本發明提供了一種具有介孔結構的尖晶石型Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］納米晶的制備方法，屬于過渡金屬氧化物納米材料及過渡金屬氧化物介孔材料制備技術領域。本發明以具有良好晶型的堿式碳酸鈷作為前驅體，利用前驅體中ＯＨ↑［－］和ＣＯ↓［３］↑［２－］在...

本發明涉及一種合成制備高鐵酸鉀的新方法。具體地說，是一種用摻入硅酸鈉為穩定劑的ＮａＣｌＯ－ＫＯＨ溶液氧化三價鐵直接合成高鐵酸鉀的先進方法。本發明的合成制備高鐵酸鉀的新方法較傳統制備法的氧化效率高、反應工藝簡單易控制、反應過程中無氣泡產生...

本發明提供了一種以水滑石為模板的金屬硫化物半導體納米復合材料及其制備方法，屬于半導體復合材料技術領域。本發明以ＬＤＨｓ為模板，將金屬配合物陰離子經離子交換取代ＮＯ↓［３］↑［－］或者Ｃｌ↑［－］進入水滑石層間，構成金屬配合物陰離子占層間...

本發明提供了一種表面活性劑插層磁性水滑石材料及其制備方法，屬于水滑石材料技術領域。這種表面活性劑插層磁性水滑石的化學式為：（Ｍ↑［２＋］）↓［１－ｘ］（Ｎ↑［３＋］）↓［ｘ］（ＯＨ）↓［２］（Ｓｕｒｆ）↓［ａ］（Ｂ↑［ｎ－］）↓［ｂ］....

本發明涉及一種納米鉍酸鈉的制備方法，是將可溶性的鉍鹽溶液，也可以是鉍鹽粉末，在控制一定溫度條件、次氯酸鹽和堿液濃度條件下，慢慢地加入到次氯酸鹽和堿液的混合液中，來制備納米鉍酸鈉晶體。本發明所制備的納米級鉍酸鈉具有晶型完整，純度高，粒徑小...

本發明提供了一種陰離子型表面活性劑插層鐵基水滑石及其制備方法，屬于鐵基多功能有機－無機雜合材料領域。以層狀材料ＬＤＨｓ為主體，表面活性劑陰離子為插層客體，通過直接共沉淀法合成得到具有超分子層狀結構的有機－無機雜合材料，其化學式分別為：（...

本發明提供了一種高取向透明雙羥基復合金屬氧化物薄膜的制備方法，屬于雙羥基復合金屬氧化物技術領域。采用成核／晶化隔離法制備粒徑分布均勻的片狀結構的ＬＤＨｓ納米粒子，利用該ＬＤＨｓ納米粒子的片狀結構，通過溶劑蒸發法直接蒸發溶劑形成連續、高取...

本發明涉及一種氨基酸插層二氧化錳復合材料及其剝層組裝制備方法。該復合材料的化學組成為（Ａ↑［＋］）↓［ａ］（Ａｍｉｎｏ↑［＋］）↓［ｂ］ＭｎＯ↓［２］.ｍＨ↓［２］Ｏ，其中Ａ↑［＋］為無機或有機陽離子，如鈉離子、氫離子、四甲基銨離子中的...

本發明涉及一種高純度羥基氧化鎳的制備方法，是將摻有鈷和鋅的球形氫氧化鎳，也可以是鎳鹽，在控制一定溫度條件、次氯酸鹽和堿液濃度條件下，慢慢地加入到次氯酸鹽和堿液的混合液中，來制備羥基氧化鎳。本發明所制備的羥基氧化鎳具有晶型完整，純度高，粒...

一種均勻致密的取向性多元金屬氧化物納米薄膜的制備方法，屬于多元金屬氧化物納米薄膜技術領域。采用有序復合金屬氫氧化物前體法，在適當的溫度條件下進行固態反應，使其晶體結構向特定的晶型轉變形成均勻致密的取向性ＭＭＯ納米薄膜。本發明的優點在于：...

本發明涉及一種具有納微復合結構且垂直取向類水滑石薄膜及其制備方法法。本發明采用原位合成技術，以經過表面陽極氧化后的鋁片為基體，利用基片表面上的陽極氧化鋁提供水滑石生長所需的Ａｌ↑［３＋］源，通過滴加氨水調節反應溶液的ｐＨ值，使溶液中二價...

本發明涉及一種納米氧化高銀的制備方法，是將可溶性的銀鹽溶液，也可以是銀鹽粉末，在控制一定溫度條件、次氯酸鹽和堿液濃度條件下，慢慢地加入到次氯酸鹽和堿液的混合液中，來制備納米氧化高銀晶體。本發明所制備的納米級氧化高銀具有晶型完整，純度高，...

一種層狀復合金屬氫氧化物的清潔制備方法，具體制備方法如下：　　　?。粒畬ⅲ汀郏玻莺停汀郏常莸臍溲趸?，按Ｍ↑［２＋］／Ｍ↑［３＋］摩爾比為２～４的比例進行混合，加入固體總質量０．２５～９９９倍的去離子水，置于反應器中；　　　　其...

一種由層狀前體制備類鈣鈦礦復合金屬氧化物的方法，其特征在于，制備步驟為：　　　?。幔渲坪卸r鈣離子Ｃａ↑［２＋］、二價金屬離子Ｍ↑［２＋］和三價金屬離子Ｍ↑［３＋］的可溶性鹽的混合溶液，其中各種金屬離子的摩爾濃度分別為Ｃａ↑［２＋］...

本發明公開了一種納米級硫化錸膠體顆粒的制備方法，用高錸酸鹽與硫代硫酸鹽在多醇溶劑中混合均勻，加入高氯酸或鹽酸后在常溫下反應，制得硫化錸膠體，調節膠體的酸度，得到顆粒穩定的納米級小尺寸硫化錸膠體顆粒。本發明的方法，無需加入保護劑，無需加熱...

本發明涉及一種層狀雙羥基復合金屬氧化物微球及其制備方法，該方法是首先利用共沉淀法、成核晶化／隔離法、非平衡晶化法或水熱合成法制備出粒徑為納米級或亞微米級的層狀雙羥基復合金屬氧化物（類水滑石）粒子，再將這種具有較強剛性類水滑石配成一定固含...

一種高結晶度且粒徑均一層狀α－磷酸鋯的制備方法，屬于無機層狀化合物制備技術領域。制備工藝為：將兩種反應物溶液通過高速運轉的膠體磨快速混合反應，生成粒徑細小均一的晶核，然后將其轉移至水熱反應釜中晶化。優點在于，與其他方法相比，采用本發明方...

可溶于水及有機溶劑的ＣｄＴｅ納米顆粒的制備方法屬于半導體納米材料制備技術領域。本發明以水溶液合成方法，制備水溶性的ＣｄＴｅ納米晶，利用直鏈烷基胺在ＣｄＴｅ表面進行修飾，能夠將水溶性的ＣｄＴｅ納米晶轉移至有機溶劑中。同時，調節水溶液的ｐＨ...

本發明涉及一種生長在表面陽極氧化的鋁基體上的超疏水層狀雙羥基復合金屬氧化物薄膜及其制備方法。采用原位合成技術，在表面經陽極氧化后的鋁片上合成的層狀雙羥基復合金屬氧化物薄膜具有納米／微米復合結構，并且表面存在微米級凸凹不平的起伏，在長鏈脂...

本發明提供了一種類球形磷酸鋯的簡便制備方法，即是將ＺｒＯＣｌ↓［２］的鹽酸溶液與磷酸、鹽酸的混合酸溶液按照１∶１的體積打入全返混液膜反應器進行混合，再通過程序控溫動態晶化方法進行晶化，合成出納米級或亞微米級層狀α－磷酸鋯粒子，得到的α－...