本發明提供了一種碳化硅BJT器件結構及制備方法，涉及半導體器件制備技術領域，包括如下步驟：在襯底上的外延層內形成與外延層摻雜類型相反的終端結構；在外延層的上表面生成基區；在基區的上表面生成發射區；在基區和發射區上分別生成基區引線金屬；在...

本發明提供了一種深層網格結的碳化硅肖特基二極管及其制造方法，包括：N型襯底；N?外延層，設置在N型襯底的一側；P+離子注入層，設置在N?外延層上；P+離子高濃度注入層，設置在N?外延層上；N+離子注入層，設置在P+離子注入層上；P+離子...

本發明提供了一種抗輻射功率器件及其制造方法，包括第一導電類型外延層、形成于第一導電類型外延層中的第一導電類型區域與第二導電類型區域、形成于第一導電類型外延層上的柵極結構與源極金屬層；所述源極金屬層與部分柵極結構的氧化層上形成有抗輻射層。...

本發明提供了一種ONO介電介質柵極結構的SiC?MOSFET芯片及制造方法，包括：N+襯底和N?外延，在N?外延內設有P?well注入區、N+注入區、P+注入區；ONO柵極結構包括：依次堆疊設置的第一柵極氧化層、第一柵極SiN層、第二柵...