一種鐵合金氮化物納米巨磁阻抗薄膜材料及制備方法，屬于功能材料技術領域。所述材料為ＮｉＦｅ合金薄膜層和ＦｅＸＮ（Ｘ＝Ａｌ、Ｔｉ或Ｔａ）納米晶軟磁薄膜層彼此相間形成的多層薄膜體系。其中ＦｅＸＮ（Ｘ＝Ａｌ、Ｔｉ或Ｔａ）納米晶軟磁薄膜層的厚度小...

高壓ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件，屬于半導體功率器件技術、功率器件傳感技術和功率集成電路技術領域。包括具有橫向ＪＦＥＴ結構和縱向ＪＦＥＴ結構的高壓ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件。具有橫向ＪＦＥＴ結構的功率ＳｅｎｓｏｒＦＥＴ器件是通過ｐ（或ｎ）柵區(qū)２和...

鐵電場效應晶體管存儲器件結構及制備方法，屬于微電子器件領域，具體涉及一種ＭＦＰＩＳ結構的鐵電場效應晶體管存儲器件制備技術。本發(fā)明包括上電極、源區(qū)和漏區(qū)，從上到下各層依次為：ＰＺＴ鐵電薄膜、多晶硅、絕緣層、阱和Ｓｉ基片，上電極位于ＰＺＴ鐵...

本發(fā)明提出一種三維槽柵金屬半導體場效應晶體管結構，即在源漏區(qū)之間有源層中開出一個或多個溝槽，柵電極連續(xù)地覆蓋于溝槽中。溝槽形狀可根據實際需要改變，可以是方形、Ｖ形、梯形以及階梯形等結構。與傳統(tǒng)ＭＥＳＦＥＴ結構相比，三維槽柵ＭＥＳＦＥＴ結...

本發(fā)明提出了一種應用在高頻、大功率領域的金屬半導體場效應晶體管（ＭＥＳＦＥＴ）結構，即源漏雙凹結構ＭＥＳＦＥＴ。柵漏和柵源之間的有源層通過刻蝕形成了兩個相互獨立的凹槽，并在兩凹槽之間形成一個凸起的平臺。柵電極可以全部淀積在平臺上；也可以...

一種柔性光電子器件用基板，包括柔性襯底，其特征在于，還包括旋涂在襯底表面的有機緩沖層和導電薄膜，所述導電薄膜沉積在有機緩沖層表面，所述有機緩沖層材料為有機光固化劑。該基板解決了由于柔性襯底表面能低導致沉積的薄膜與襯底的附著性差的問題，提...

一種具有ａ－ｂ取向的ＺｎＯ納米線陣列的制備方法，屬于電子材料技術領域，涉及寬禁帶半導體ＺｎＯ發(fā)光材料，特別涉及ＺｎＯ納米線陣列的制備方法。本發(fā)明采用化學氣相沉積技術，以純ＺｎＯ粉末為蒸發(fā)源，采用藍寶石Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］（１１＊０）作...

本發(fā)明提供了一種用于ＳＯＩ功率器件的具有雙介質埋層的耐壓層結構，以及采用該耐壓層結構的ＳＯＩ功率器件，屬于ＳＯＩ功率器件耐壓技術領域。本發(fā)明耐壓層具有雙介質埋層，兩介質埋層之間設置中間層。本發(fā)明采用的耐壓層及其采用該耐壓層制作的功率器件...

本發(fā)明公開了一種基于水溶性感光膠的功率型白光ＬＥＤ平面涂層工藝，包括以下步驟：①配制有機膠體；②配制光敏劑溶液；③混合成感光體系：將有機膠體與光敏劑按比例混合，加入少量分散劑或消泡劑使光敏劑均勻分散于有機膠體中，形成符合要求的感光體系；...

本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件的新型封裝系統(tǒng)，包括基板，所述基板由襯底和有機電致發(fā)光工作層構成，其中有機電致發(fā)光工作層包括陽極層、空穴傳輸層、電子傳輸層和金屬電極，其特征在于，所述襯底在蒸鍍了有機電致發(fā)光工作層的一側設置有蓋板，所述蓋...

本發(fā)明提出了一種具有“Ｕ”字形樣的漂移區(qū)的半導體器件，包括：第一種導電類型的半導體襯底材料，在襯底材料的第一主表面內形成至少一個溝槽，溝槽內含有絕緣介質，每個溝槽及其周圍的半導體形成器件的一個單元，此半導體器件包含至少一個單元，溝槽兩側...

本發(fā)明公開了一種新型有機電致發(fā)光器件，包括導電基板或者襯底，陽極層和陰極層，其中一種電極位于襯底或者導電基板表面，所述陽極層和陰極層之間設置有機功能層，它至少包括發(fā)光層，所述發(fā)光層在外加電源的驅動下發(fā)光，其特征在于：所述有機功能層還包括...

本發(fā)明公開了一種能發(fā)出白光的有機電致發(fā)光器件，包括導電基板或者襯底，陽極層和陰極層，其中一種電極位于襯底表面，所述陽極層和陰極層之間設置有機功能層，它至少包括發(fā)光層，該發(fā)光層是發(fā)出白光的有機材料層，在外加電源的驅動下，發(fā)出白光，其特征在...

一種基于芴－咔唑共聚物的有機電致發(fā)光器件，包括透明襯底、陽極層和陰極層，其中一種電極位于透明襯底表面，還包括設置在所述陽極層和陰極層之間的有機功能層，它包括發(fā)光層或者空穴傳輸層，所述發(fā)光層在外加電源的驅動下發(fā)光，其特征在于，所述空穴傳輸...

本發(fā)明公開了一種結構優(yōu)化的白光有機電致發(fā)光器件，包括襯底、陽極層、陰極層和位于陽極層和陰極層之間的有機功能層，所述的陽極層或者陰極層位于襯底之上，所述有機功能層在外加電源的驅動下，發(fā)出白光，其特征在于：有機功能層包括空穴傳輸層、摻雜層、...

本發(fā)明公開了一種簡化結構的有機薄膜晶體管，基板為剛性襯底或柔性襯底，其特征在于：在所述基板正面設置有呈平面排列的源電極、漏電極和柵電極，在呈平面結構的源電極、漏電極和柵電極上設置有有機柵絕緣膜，在所述有機柵絕緣膜的表面設置有有機半導體膜...

本發(fā)明公開了一種有機薄膜晶體管，包括Ｓｉ基板，其特征在于：所述Ｓｉ基板的背面設置柵電極，所述Ｓｉ基板的正面設置有單層或者多層有機柵絕緣膜，所述有機柵絕緣膜的上端蒸鍍有漏電極和源電極，所述漏電極、源電極和有機柵絕緣膜的表面覆蓋有有機半導體...

一種半導體表面的橫向耐壓區(qū)及由其構成的器件。它是一種利用階梯式場板對半導體表面形成的金屬－絕緣層－半導體（ＭＩＳ）電容來吸收（或注入）電通量于半導體表面，使半導體表面向襯底發(fā)出的有效電通量密度接近于最佳分布，從而在最短的表面距離內有最高...

ＳＯＩ高壓器件，屬于電子技術領域中的ＳＯＩ高壓半導體器件。本發(fā)明提供的ＳＯＩ高壓器件包括二極管、ＬＤＭＯＳ和ＬＩＧＢＴ，其主要技術方案是將常規(guī)實心形狀的陰極／漏極／集電極改成環(huán)形形狀的陰極／漏極／集電極，使ＳＯＩ高壓器件工作于截止狀態(tài)時...

本發(fā)明公開了一種改變薄膜力學及光學性能的方法，其特征在于，在襯底上設置一層具有壓應力的非晶二氧化硅過渡層，然后在所述過渡層上再設置一層具有張應力的非晶氮化硅膜。該方法克服了現有技術中所存在的缺陷，通過性質相近、但應力相反的普通薄膜的簡單...