本發明在一個例示性的實施方式中，提供一種基片處理裝置。基片處理裝置包括第一腔室和第二腔室。第二腔室配置于第一腔室內。第二腔室與載置臺一起界定用于對載置于載置臺的基片進行處理的處理空間。第二腔室具有設置于構成第二腔室的壁體，調節第二腔室的...

本發明提供基片處理裝置和清潔方法。基片處理裝置處理基片，并包括：處理腔室；配置在上述處理腔室內的支承部件；液柱供給部，其向配置于上述支承部件的上部的上述基片的周緣部供給液柱；照射激光的激光照射部，其中，上述激光在上述液柱內傳播；和控制部...

披露了半導體器件和對應的制造方法。該方法包括：在第一襯底上形成第一層；用氮基等離子體處理第一層以形成第一類型的懸掛鍵；用氧基等離子體處理第一層以將第一類型的懸掛鍵轉化為第二類型的懸掛鍵；以及用水處理第一層以將第二類型的懸掛鍵轉化為第三類...

本發明提供一種蝕刻方法，其包括如下工序：（a）將基板提供到腔體內的基板支承部上，基板包含第1區域和第2區域，第1區域包含含有選自由氧化硅及碳組成組中的至少1種的第1材料，第2區域包含與第1材料不同的第2材料；及（b）不向基板支承部供給電...

本發明的蝕刻方法包括工序（a），所述工序（a）在等離子體處理裝置的腔室內準備基板。基板包含含硅膜及掩模。掩模含有碳。蝕刻方法還包括工序（b），所述工序（b）通過來自在腔室內由處理氣體生成的等離子體的化學物種來對含硅膜進行蝕刻。處理氣體包...

本發明提供一種基片處理方法，在光致抗蝕劑膜之上有選擇地形成氮化膜。基片處理方法包括：準備具有基底膜的基片的步驟；在所述基底膜之上形成光致抗蝕劑膜的步驟；對所述光致抗蝕劑膜實施曝光處理和顯影處理，在所述光致抗蝕劑膜形成開口的圖案的步驟；暴...

本發明提供一種用于在基板形成金屬硅化物層的方法和裝置。在該方法中，向露出了硅層的基板供給金屬鹵化物的氣體來形成金屬硅化物層。該方法包括以下工序：將露出了硅層的所述基板加熱至490℃以上且600℃以下的范圍內的溫度；預供給原料氣體，所述原...

一種表征被測器件（DUT）的方法包括：利用光學視場（FOV）內的寬帶光束照射該DUT；利用與光學FOV重疊的X射線FOV內的X射線束照射該DUT；以及并發地采集該X射線FOV的X射線計量信息（例如，利用比如吸收、相位襯度差、暗場、小角X...

本公開涉及一種接合裝置、接合系統以及接合方法，使基板彼此的接合精度提高。第一保持部保持第一基板。第二保持部保持第二基板。移動部使第一保持部和第二保持部中的一方接近另一方。光學系統向第一基板和第二基板照射光，利用反射光或透射光來拍攝設置于...

一種加工襯底的方法，該方法包括：在第一襯底上形成紅外（IR）吸收分離層；在該IR吸收分離層上形成一個或多個層；使用直接鍵合技術在該一個或多個層與第二襯底之間的鍵合界面處鍵合該第一襯底和該第二襯底，以形成晶圓堆疊體；將該晶圓堆疊體暴露于紅...

本發明提供一種基片處理裝置的清洗方法。所述基片處理裝置包括：能夠收納多個基片且貯存處理液的處理槽；承接從所述處理槽灑出的所述處理液的承液部；和將由所述承液部承接的液體排出的承液部排出管。在所述清洗方法中，在檢測到所述承液部排出管發生堵塞...

基板處理方法包括以下處理：利用調液部制備包含氫氟酸、硝酸以及磷酸的水溶液；從所述調液部向處理部供給所述水溶液；通過利用所述處理部對基板供給所述水溶液來對所述基板進行蝕刻；以及將供給到所述基板的所述水溶液從所述處理部送回到所述調液部。所述...

本發明的示例性實施方式所涉及的蝕刻方法包括：（a）通過包含硅的噴淋頭的氣體導入口向腔體內供給成膜氣體、在氣體導入口的內壁形成保護膜的工序；及（b）通過形成有保護膜的氣體導入口向腔體內供給蝕刻氣體、通過由蝕刻氣體生成的等離子體對腔體內的基...

本發明的一個例示的實施方式中，提供一種基片處理裝置。基片處理裝置包括第一腔室和第二腔室。第二腔室具有：流通空間，其形成于構成第二腔室的壁體的內部，使氣體沿著壁體的延伸方向流通；供給口，其與流通空間連通，用于供給氣體；和排氣孔，其與流通空...

本發明提供一種熱處理裝置、熱處理方法和存儲介質。對形成有抗蝕劑的覆膜且該覆膜被實施了曝光處理的基片進行熱處理的熱處理裝置即熱處理單元（U8）包括：能夠支承并加熱基片的加熱板（21）；覆蓋加熱板（21）上的處理空間（S）的腔室（41）；在...

本發明提供一種蝕刻方法，其包括如下工序：（a）在腔室內將基板提供至基板支承部上；（b）將基板暴露于包含氟化氫氣體的第1處理氣體中；及（c）在（b）之后，向基板支承部供給電偏置，并將基板暴露于由第2處理氣體生成的等離子體中，第2處理氣體包...

本發明提供等離子體處理裝置、電源系統和頻率控制方法。在本發明的等離子體處理裝置中，高頻電源能夠改變電偏置的波形周期內的多個第1時間點的源高頻電功率的源頻率，對由多個第1時間點分割的波形周期內的多個第1分割時段各自中的源頻率進行插補，并確...

一種高縱橫比蝕刻方法包括：在室中生成等離子體，該室容納包括圖案化表面（比如硬掩模）的襯底；以及通過將包括直流偏置波形的周期性序列耦合到該襯底來通過該圖案化表面中的開口蝕刻一個或多個下伏層。每個偏置波形具有范圍是從參考電壓到峰值電壓的電壓...

本發明提供評價方法、評價裝置以及計算機程序。由計算機執行處理：獲取評價對象的材料的表面圖像；從獲取到的表面圖像提取第一特征量；從存儲部讀出從具有結構均勻性的多個材料的表面圖像提取并預先存儲于存儲部的多個第二特征量；計算第一特征量與多個第...

本發明提供液處理裝置和液處理方法。針對向基板供給涂敷液而形成涂敷膜的液處理裝置，獲得高生產率且省空間。構成如下裝置，其具備：第1噴嘴，其在基板之上的各第1噴出位置向該基板噴出第1處理液，以各基板保持部為單位設置；第2噴嘴，其在各基板之上...