鋰／聚吡咯二次扣式電池及其制備方法，屬于用聚吡咯／二氧化硅或炭黑納米復合材料的鋰／聚合物二次扣式電池及其制備技術。本發明為了提高二次電池性能，滿足社會的需求，提供一種新型二次扣式電池。它主要由涂覆含聚吡咯／二氧化硅或炭黑納米復合材料的正...

本發明公開的空氣電極及其制造方法涉及一種用催化劑活化的惰性電極，它具有集流網／防水層／多層催化層結構，其中多層催化層為２～４層，貼近防水層的內層催化層厚度最小，從內層向外層各催化層的厚度逐漸增加，催化層的厚度越小，其中疏水物質組成的網絡...

本發明含鋰錳復合氧化物的正極多元活性材料的制備方法涉及一種選擇鋰錳氧化物作為活性材料之一的電極，該方法的步驟順序是：直接用氫氧化鋰共沉淀法制備Ｍ（ＯＨ）↓［２］、與鋰鹽球磨混合、壓片和預焙燒、冷卻球磨壓片和焙燒成產品。制備方法中所用的鎳...

本發明一種鋰離子電池正極材料磷酸鐵鋰的水熱合成法，涉及含兩種金屬的磷酸鹽，步驟是將鋰源和磷源溶于水或與水混合后加入反應高壓釜中，加入季銨鹽類陽離子表面活性劑和烷基酚聚氧乙烯醚類非離子表面活性劑，用惰性氣體吹掃釜內死體積中的空氣后，密封高...

本發明鋰離子電池正極材料磷酸鐵鋰的水熱合成制備方法，它涉及含兩種金屬的磷酸鹽，步驟是將鋰源和磷源溶于水或與水混合后，加入高壓釜中，用惰性氣體吹掃釜內死體積中的空氣后，密封高壓釜，攪拌下從室溫加熱至４０～５０℃，打開進料閥和排氣閥，再加入...

本發明涉及一種硅單晶襯底材料表面粗糙度的控制方法，根據硅單晶襯底材料的化學性質，選用堿性介質，采用ＳｉＯ↓［２］水溶膠作為磨料，用ｐＨ調節劑調整溶液的ｐＨ值為９－１３．５，并加入ＦＡ／Ｏ等表面活性劑來制備拋光液。該方法采用不同拋光工藝條...

本實用新型屬于半導體硅晶片，尤其涉及一種可以消除半導體硅晶片表面應力的帶損傷應力環的半導體硅切片，其特征是：在所述硅切片表面設有損傷應力環。本實用新型的有益效果：通過制作損傷應力環，可有效地減少并除去硅晶片表面應力，避免晶片出現滑移線、...

一種用鍺進行硅／硅鍵合的方法及其制備的硅器件襯底片，其主要技術特征是在硅拋光片上淀積鍺層，然后兩片相對鍺層在中間，放入燒結爐內鍵合，可制備Ｎ↑［－］／Ｎ↑［＋］、Ｐ↑［－］／Ｐ↑［＋］、Ｐ↑［－］／Ｎ↑［＋］、Ｎ↑［－］／Ｐ↑［＋］、Ｎ...

一種用流延法制造高熱導率集成電路氮化鋁陶瓷基片的方法，主要技術特征是按以下成分和配比配制氮化鋁粉漿料，（重量％）聚乙烯醇縮丁醛２．０～５．０％、甘油２．０～８．０％，油酸１．０～３．０％，無水乙醇２０～３２％、余量為氮化鋁和氧化釔混合粉...

一種集成電路硅襯底拋光片表面吸附粒子吸附狀態的控制方法，屬于硅拋光片表面粒子吸附狀態的控制方法。主要解決硅襯底拋光片表面吸附粒子難以清洗，工藝復雜，效率低，成本高的問題。主要技術特點是將盛有新拋光硅片花籃放入０．０１～５％（體積％）的Ｆ...

本發明涉及一種碳化硅熱處理裝置和方法。熱處理裝置至少包括一個密封爐室、爐室內設置旋轉加熱平臺、高頻感應加熱器和樣品保護罩構成。采用高頻感應加熱法代替現有的電阻率加熱；高頻感應加熱器對石墨圓板加熱，石墨圓板旋轉，１５００－１７００℃下恒溫...

本發明涉及一種用于大規模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液，其特征在于：拋光液的組分重量％如下：磨料５０－９０，乙二胺四乙酸四（四羥乙基乙二胺）０．５－５，氧化劑０．５－４，表面活性劑０．１－１０，去離子水余量。將上述各組分逐級混合，攪拌...

本發明公開了一種能消除硅氣相外延層中滑移線與高應力區的裝置，旨在提供一種在降低熱應力作用的同時還能消除機械應力的影響，以控制和消除外延生長中產生的滑移線和高應力集中區，而且工藝簡單，生產效率高的能消除硅氣相外延層中滑移線與高應力區的裝置...

本發明涉及一種硅單晶襯底材料拋光液及其制備方法，其特征是所述拋光液配制成分和重量％比組成如下：磨料：１－９５；ＦＡ／ＯｐＨ調節劑：０．５－１０；醚醇類活性劑：０．５－１；去離子水：余量。按上述成分配比分別制成粗拋液和精拋液。該拋光液選用...

本發明公開了一種化學作用強、去除速率快、無污染、無劃傷、易清洗且成本低的超大規模集成電路多層鋁布線堿性拋光液。拋光液成分和重量％比組成如下：ｐＨ值調節劑１－１０、硅溶膠１０－９０、表面活性劑０．５－５、氧化劑０．５－５、去離子水為余量。...

本發明公開了一種硅磨片清洗劑，旨在提供一種使用胺堿與非離子表面活性劑的混合溶液來替代現在廣泛采用的ＲＣＡ清洗，來實現現在大規模集成電路對硅磨片的表面潔凈度的要求。按體積百分比由下述組分組成：胺堿２０～７０％，ＪＦＣ５～４０％，非離子表面...

本發明公開了一種利用電化學作用去除集成電路晶片表面污染物的方法，提供一種利用金剛石膜結構和能夠起到去除集成電路晶片表面殘留有機物、顆粒以及金屬離子的清洗劑的結合，能夠達到較好的清洗效果，而且工藝簡單，操作方便，滿足環保要求的去除集成電路...

本發明公開了一種控制和消除硅氣相外延層霧狀微缺陷的方法，旨在提供一種有效消除霧狀微缺陷，而且不增加成本以及工藝和設備的復雜性的控制硅氣相外延層霧狀微缺陷的方法。包括下述步驟：采用常規的化學機械拋光方法對硅襯底片進行雙面拋光處理和清洗，在...

本發明涉及提高Ｐ型硅外延電阻率一致性的控制方法，其步驟如下：（１）硅片拋光清洗后進行背封，即浸泡于含有雙氧水或臭氧的純水中，使硅片表面生成潔凈氧化層；（２）外延前提高趕氣溫度８０－１２０℃，迅速改變氣體流速，反復變化４－１２個周期，使滯...

本發明涉及一種提高硅單晶襯底片表面完美性的工藝控制方法，其實施步驟是：（１）在硅片拋光清洗后對其表面進行氧化處理，即在硅片拋光清洗后浸泡于含有雙氧水或臭氧的純水中，使硅片表面生成３－５ｎｍ的潔凈氧化層，將硅片表面封閉，有效保護防沾污；（...