本發明涉及微波毫米波成像技術領域，尤其涉及一種微波毫米波稀疏陣列波數域算法聯合壓縮感知成像方法與系統。其技術方案包括以下步驟：獲取來自目標的后向散射回波信號，經數字下變頻處理得到數字IQ解調信號。本發明通過將波數域算法與壓縮感知技術跨維...

本發明公開了一種煤鈾協同開采循環補給開采系統及應用方法，具體涉及煤鈾開采技術領域，地質機構，所述地質機構包括地表層、鈾層、煤層和地下徑流，其中，所述地表層位于鈾層的上方，所述鈾層位于煤層的上方，且地下徑流位于地表層和鈾層之間；地面開采機...

本發明涉及能源應用技術領域，尤其涉及一種等離子體直接裂解液氨制氫系統與方法。其主要針對氨裂解制氫技術響應速度慢、能耗高，液氨氣化能耗損失顯著且系統調控精準性不足的問題，提出如下技術方案包括控制系統、裂解器罐、等離子體電源、等離子體第一電...

本發明公開了一種預點火型高密度ICP離子源裝置及其使用方法，具體涉及射頻耦合等離子體源技術領域，包括離子源電離室。本發明采用燈絲及外加磁場的輔助方式，使工作氣體能夠更加充分的被電離形成等離子體，氣體的等離子體化效率更高，等離子體更聚集于...

本發明涉及太赫茲近場成像技術領域，尤其涉及一種太赫茲近場系統用甲狀腺腫瘤組織區域識別方法。其技術方案包括以下步驟：使用光學顯微鏡對甲狀腺切片進行初步分區，以識別疑似腫瘤組織區域；在所述疑似腫瘤組織區域內，使用光學顯微鏡進行放大分區，基于...

本發明公開了一種基于虛擬阻抗的多機系統改進GFM?PMSG暫態控制方法，屬于電力系統穩定控制技術領域，并包括：當故障期間沖擊電流大于電流安全閾值Imax時，通過調節電壓指令值減小GFM?PMSG故障期間輸出電壓大小，從而減小故障期間短路...

本發明公開了一種應用于BNCT離子源出束端真空和束流調控方法，屬于粒子加速器和真空技術領域，該方法利用帶冷卻機構，高氣壓下可電動調節進氣孔孔徑的可變機構進行實現，主要解決離子源出束端吸附性真空泵在長期工作以后需要加熱激活，需要增加孔徑增...

本發明涉及光譜數據處理技術領域，尤其涉及一種優化高值區域穩定性的NBI多普勒頻移光譜擬合方法及系統。其技術方案包括以下步驟：數據加載與預處理，獲取NBI多普勒頻移光譜的波長與強度數據，進行預處理后，識別光譜中的特征峰并提取其峰高、峰位及...

本發明涉及膜電極技術領域，尤其涉及一種膜電極及其制備方法、應用。其技術方案包括以下步驟：以下步驟：對商業碳納米管在300?800℃下進行高溫預處理10?60min，獲得具有開口結構的碳納米管，將所得碳納米管加入高速攪拌的金屬氧酸鹽水溶液...

本發明涉及熱電材料技術領域，尤其涉及一種CuInSe2熱電材料的制備方法。其技術方案包括將Cu單質、In單質和Se單質按照摩爾比1:1:2稱量并混合，裝入第一石英管中；將所述第一石英管置于第二石英管中，抽真空并封管；將封管后的第二石英管...

本發明涉及汽車用制動燈控制技術領域，尤其涉及一種汽車制動力度可視化的制動燈控制方法與系統。其技術方案包括以下步驟：確定汽車減速度的分級制度，獲取汽車在非緊急狀態下的最小參考減速度以及在緊急制動狀態下的最大參考減速度，并在所述最小參考減速...

本發明公開了一種太赫茲近場系統樣品納米重復定位方法，屬于太赫茲近場成像技術領域。所述方法通過兩種關鍵技術手段實現納米級精度的重復定位：位移補償：在完成樣品區域的第一次掃描并記錄基準坐標后，進行第二次掃描，監測探針中心坐標在X軸和/或Y軸...

本發明公開了一種太赫茲近場系統納米級探針選擇及使用方法，屬于太赫茲近場成像技術領域。所述方法首先利用光學顯微鏡對探針針尖進行非接觸式觀察，依據針尖相對于懸臂中心的偏移量進行分類篩選；使用時，根據探針的偏移類別，反向調整拋物面鏡的焦點理論...

本發明公開了一種廢舊極片負極粉的分離提純再生方法，屬于電池回收再生領域，主要包括以下工藝步驟：將廢舊電池負極片球磨篩分為一定粒度，浸泡在堿液和除雜劑中，攪拌反應分離得到負極粉濕料和銅離子溶液；負極粉濕料經過干燥除磁和紅外輻照處理得到再生...

本發明涉及緊湊環等離子體加料技術領域，尤其涉及一種預電離同軸裝置及其工作方法。其技術方案包括接電不銹鋼金屬殼體和位于其下方的接地不銹鋼金屬殼體，兩者內部共同構成供氣體流動的連續空腔結構；紫銅電極，固定于所述接電不銹鋼金屬殼體內部頂口端加...

本發明涉及太赫茲照射系統技術領域，尤其涉及一種用于皮膚疤痕修復的太赫茲照射系統。其技術方案包括太赫茲波產生模塊、發射天線、控制模塊、電源模塊，太赫茲波產生模塊用于生成頻率在60?200GHz范圍內、輸出功率小于1瓦的連續太赫茲波；發射天...

本發明涉及無機非金屬材料提純技術領域，尤其涉及一種從非晶態合成石英材料中深度去除網格型Al雜質的方法。其技術方案包括以下步驟：氯化焙燒，將非晶態合成石英材料在干燥的氯化氫氣氛中，于900℃至1200℃下進行焙燒處理；酸浸出，將經過以上處...

本發明涉及功能材料技術領域，尤其涉及一種Bi含量可調的n型Mg3Sb2基熱電材料及其制備方法和應用，所述Mg3Sb2基熱電材料的化學結構式為Mg3.2Sb1.5?xBi0.49+xTe0.01。本發明通過真空固相燒結結合快速熱壓及后續退...

本發明涉及美容裝置技術領域，尤其涉及一種用于皮膚美容的太赫茲美容裝置及使用方法。其主要針對當前太赫茲波專用美容設備稀缺，且傳統太赫茲波源因技術復雜致相關裝置體積大不便家用的問題，提出如下技術方案包括握持手柄，所述握持手柄一端連接有太赫茲...

本發明涉及高電壓傳輸技術領域，尤其涉及一種設有電纜支撐結構的直流高壓加速器過渡電極。其主要針對現有的過渡電極結構，在為直流高壓加速器的離子源系統提供供電通路的穩定性方面存在不足的問題，提出如下技術方案：所述過渡電極包括用于發電機供電系統...