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        華為數字能源技術有限公司專利技術

        華為數字能源技術有限公司共有3252項專利

        • 本申請實施例公開了一種系統控制方法及相關裝置,用于提升發電機與儲能設備并聯運行的可靠性。本申請實施例方法包括:確定發電機的虛擬阻抗,發電機具有自動電壓調節器AVR,虛擬阻抗用于改變發電機的功角特性,根據虛擬阻抗對應的功角特性對發電機進行...
        • 本申請提供了一種變壓器及變壓器的絕緣方法,涉及電子技術領域。包括原邊繞組、副邊繞組、鐵芯和封裝外殼。其中,鐵芯穿過原邊繞組和副邊繞組。原邊繞組由環氧樹脂澆注,形成第一澆注體。副邊繞組、第一澆注體和鐵芯由有機硅膠澆注成一體,形成第二澆注體...
        • 本申請公開了一種光伏系統、直流匯流箱及故障隔離方法,包括:故障隔離電路和DC/DC變換電路;故障隔離電路的第一端連接N個光伏組串,故障隔離電路的第二端連接DC/DC變換電路的輸入端;故障隔離電路包括多極開關,N個光伏組串中的每組光伏組串...
        • 本申請提供了一種驅動控制器、功率因數校正電路的控制系統及方法,該驅動控制器適用于功率因數校正電路的控制系統,控制系統還包括PFC電路,PFC電路中包括第一橋臂、第二橋臂、第一開關管和第二開關管,驅動控制器包括采樣電路和驅動電路;采樣電路...
        • 一種動力總成和車輛,涉及傳動技術領域,動力總成包括殼體(30)、第一轉軸(10)、第二轉軸(20)和壓緊件(40);第一轉軸(10)通過兩個軸承(01,02)定位在殼體(30)內,第二轉軸(20)通過一個軸承(03)定位在殼體(30)內...
        • 本申請公開了一種半導體襯底及其制造方法、半導體器件,屬于半導體技術領域。該半導體襯底包括:單晶碳化硅基底,及層疊在單晶碳化硅基底一側的單晶碳化硅層。其中,單晶碳化硅基底的質量指標低于單晶碳化硅層的質量指標。本申請降低了綁定面處出現異質結...
        • 本申請提供一種變電站和光伏系統。變電站包括沿第一方向依次排布的第一低壓柜、第二低壓柜和第三低壓柜,第一低壓柜包括相對的第一側面和第二側面,第三低壓柜包括相對的第三側面和第四側面,第二側面包括第一接口區和第一安裝區,第四側面包括第二接口區...
        • 一種電池包的加熱方法、電機控制器、電動汽車及系統,能夠提高電池包的加熱效率。該電機控制器包括控制器和逆變電路,其中,逆變電路用于將電池包輸入的直流電轉換為交流電,并將交流電傳輸至電機,電機為對稱六相電機;控制器用于:當電機靜止且電池包需...
        • 本申請提供了一種適配器及其輸出控制方法,該適配器包括適配器本體和輸出接口模塊,輸出接口模塊用于連接適配器本體;適配器本體包括第一功率變換單元、控制單元和直流母線,第一功率變換單元的一端連接交流電源,第一功率變換單元的另一端連接直流母線;...
        • 本申請提供了一種供電系統及其組串的故障識別方法,供電系統包括管理系統、與管理系統建立通信連接的采樣裝置、逆變器以及與逆變器相連的第一組串。采樣裝置獲取第一組串在多個采樣電壓時刻下的多個工作參數以得到第一采樣時間段的多組采樣數據,并向管理...
        • 本申請提供了一種動力總成、冷卻液流量估算方法及電動車輛,涉及電機冷卻技術領域。動力總成的第一冷卻回路中的冷卻液對逆變器進行冷卻。電子泵驅動冷卻液在第一冷卻回路中流通??刂破鳟旊姍C的相電流大于或等于預設電流值時,確定電子泵在第一時刻的轉速...
        • 本申請實施例提供一種晶圓的減薄方法,涉及半導體技術領域,用于解決SiC功率器件良率低、工藝復雜、制備成本高的問題。晶圓或者理解為復合襯底,包括層疊設置的第一碳化硅層、介質層以及第二碳化硅層。晶圓具有相對的第一側和第二側,第二碳化硅層遠離...