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        ISTE株式會社專利技術

        ISTE株式會社共有1項專利

        • 根據本發明的一實施例,在SiCN薄膜形成中,以SiCN薄膜的折射率達到預設的基準折射率以上的成膜條件形成SiCN薄膜,由此在形成薄膜之后因水分或氧的吸附而導致的劣化現象得到改善,由此可提高元件的可靠性。
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