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        江蘇多維科技有限公司專利技術(shù)

        江蘇多維科技有限公司共有346項專利

        • 本發(fā)明提供一種角度編碼器。所述角度編碼器括:由相同的M個環(huán)段構(gòu)成的磁環(huán),至少一對梯度傳感器以及信號調(diào)理模塊。每個M環(huán)段對應(yīng)一個磁對極,每個磁對極的N、S極各占半個環(huán)段,M為大于或等于1的自然數(shù)。所述至少一對梯度傳感器的感測方向平行或反平...
        • 本申請?zhí)峁┮环N無磁芯的電流傳感器。所述電流傳感器包括呈倒置筒形的磁屏蔽體,電場屏蔽體,導(dǎo)流體,磁場梯度感測模塊和信號處理模塊。通過導(dǎo)流體的結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化,構(gòu)造或增大由流經(jīng)導(dǎo)流體的電流在磁場梯度感測模塊感測方向上的磁場梯度。同時,利用嵌套設(shè)...
        • 本技術(shù)提供一種Z軸磁場傳感器,其包括塑封層,磁阻Die,若干引腳以及第一屏蔽層。所述第一屏蔽層設(shè)置在所述磁阻Die上表面,由在X-Y平面的若干軟磁材料塊組成以屏蔽所述磁阻Die上表面的XY方向磁場。所述磁阻Die采用晶圓前道工藝制作,包...
        • 本技術(shù)涉及一種用于磁頭的磁阻。該磁阻在其兩個磁屏蔽層上、下表面各增加的一個鎢層、鉬層、或含有鎢或鉬的合金層,從所述兩個磁屏蔽層引出所述磁阻的感測信號;并設(shè)置該磁阻各結(jié)構(gòu)層在與磁記錄介質(zhì)接觸的一面上的長短,以實現(xiàn)對磁頭磁阻的防護。本技術(shù)充...
        • 本技術(shù)提供一種磁軸按鍵、及鍵盤。所述磁軸按鍵利用磁阻的磁滯效應(yīng),采用雙穩(wěn)態(tài)磁阻作為感測元件檢測磁軸按鍵的按壓狀態(tài)。在按壓過程中,所述雙穩(wěn)態(tài)磁阻的兩端輸出的兩種電信號不經(jīng)任何數(shù)模轉(zhuǎn)換和信號放大,分別落入所述處理器通用引腳定義的高、低兩種電...
        • 本申請?zhí)峁┮环N磁阻式拉弧電流檢測電路。所述磁阻式拉弧電流檢測電路采用基于磁阻的磁場感測單元以及特制的線圈感測傳輸線中的電流,所述線圈的感生電壓作為所述磁場感測單元的供電電壓;所述磁場感測單元為由磁阻構(gòu)成的平衡半橋或平衡全橋,相鄰橋臂上的...
        • 本申請?zhí)峁┮环N電流傳感器。該電流傳感器在導(dǎo)流排的上、下兩側(cè)相應(yīng)的位置設(shè)置四個相同的磁敏部件,所述四個磁敏部件的敏感中心兩兩關(guān)于所述導(dǎo)流排對稱,感測方向平行或反平行于所述導(dǎo)流排的排寬方向。所述導(dǎo)流排設(shè)置為扁平金屬導(dǎo)體,以抵消自身各處電流對...
        • 本發(fā)明提供一種電流傳感器。所述電流傳感器采用無磁芯設(shè)計,采用特殊構(gòu)造的導(dǎo)流排組引導(dǎo)目標電流以增強電流傳感器的通電能力、降低高頻電流趨膚效應(yīng)對測量的不利影響。基于所述導(dǎo)流排組的結(jié)構(gòu)特點,配合設(shè)置測量目標電流的磁敏部件,以及相應(yīng)的感測信號處...
        • 本技術(shù)提供一種按鍵、及輸入設(shè)備。所述按鍵包至少包括一個按壓檢測單元,所述按壓檢測單元包括:磁鐵,以及相同的第一對磁感測元件。所述磁鐵固定在所述按鍵的按壓組件的底部,所述第一對磁感測元件位于所述磁鐵下方,且在電路上分別構(gòu)成一個半橋的兩個橋...
        • 本申請?zhí)峁┮环N探測絕對位置的系統(tǒng)。所述系統(tǒng)利用Z軸方向充磁、完全相同的兩塊磁鐵在XY平面上沿X軸間隔設(shè)置,構(gòu)建出一個Y軸磁場分量或相關(guān)磁場角度、與所述探測目標的位置成一一對應(yīng)關(guān)系的空間區(qū)域。所述探測目標沿著平行/反平行于X軸方向在該空間...
        • 本發(fā)明提供一種磁場傳感器,其通過帶有磁場感測元件的積分電路、并輸入匹配的周期性方波信號(激勵信號),實現(xiàn)以所述積分電路的時間常數(shù)表征待測磁場強度。同時,通過額外設(shè)置的電路部分,在不需要采用模數(shù)轉(zhuǎn)換器的基礎(chǔ)上數(shù)字化輸出所述時間常數(shù)。本申請...
        • 本技術(shù)提供一種按鍵、及鍵盤。所述按鍵,包括:第一靜磁鐵、若干第二靜磁鐵和動磁鐵。其中,所述動磁鐵和所述第二靜磁鐵的充磁方向為上下充磁,所述動磁鐵固定設(shè)置于按鍵的按壓部下方,隨按壓部一起運動;所述若干第二靜磁鐵設(shè)置所述動磁鐵的外側(cè)使用所述...
        • 本技術(shù)公開了一種Z軸磁場傳感器。所述Z軸磁場傳感器通過半導(dǎo)體片上工藝設(shè)置相隔一定距離的兩個磁場轉(zhuǎn)換區(qū)域,在每個磁場轉(zhuǎn)化區(qū)域設(shè)置若干平行的軟磁條,并在每個軟磁條底部兩側(cè)地制作若干磁阻。將每個磁場轉(zhuǎn)換區(qū)域中所有磁阻設(shè)置為靈敏方向相同,兩個磁...
        • 本申請?zhí)峁┮环N位置感測系統(tǒng)。該位置感測系統(tǒng)包括:磁柵,磁場感測模塊以及數(shù)據(jù)處理模塊。其基于磁柵周期性磁極形成的磁場特點,構(gòu)建一個與Z軸(垂直于磁柵平面)位置成一一對應(yīng)的參考信號以測量待測對象在Z軸方向上的運動/位置。所述參考信號由對應(yīng)的...
        • 本技術(shù)提供一種改善按壓手感的磁軸按鍵及鍵盤。所述磁軸按鍵,包括:非磁性的按鍵帽,按鍵軸,磁傳感模塊,動磁鐵以及靜磁鐵;所述動磁鐵和靜磁鐵的充磁方向相反,且均為按鍵的按壓方向。通過在按鍵帽上端面設(shè)置一塊軟磁材料片,利用按壓時動磁鐵與軟磁材...
        • 本技術(shù)公開了一種微行程的按鍵,所述按鍵包括:按壓部件、磁鐵以及磁傳感器;所述按壓部件被按壓時,所述磁鐵和所述磁傳感器中的一者隨著所述按壓部件一起移動,使得所述磁鐵和所述磁傳感器之間發(fā)生沿所述磁鐵的磁極排列方向上的相對運動;所述磁傳感器通...
        • 本技術(shù)提供一種Z軸磁場傳感器,包括:若干Z軸磁場轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和若干磁阻。以所述Z軸磁場轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)所在的基板平面為X?Y平面,所述Z軸磁場轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括在X?Y平面的環(huán)狀結(jié)構(gòu)。所述若干磁阻僅沿著平行于所述Z軸磁場轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)第一組對邊的方向陣列分布。...
        • 本技術(shù)提供一種按壓平順的磁軸按鍵、及輸入設(shè)備。所述磁軸按鍵包括:非磁性的按鍵軸,按鍵上蓋,按鍵座,動磁鐵以及靜磁鐵。所述動磁鐵的充磁方向為上下充磁,所述靜磁鐵的充磁方向和所述動磁鐵的充磁方向相反;所述動磁鐵、靜磁鐵中的一者為圓柱形磁鐵、...
        • 本技術(shù)提供一種磁軸按鍵、及輸入設(shè)備。所述磁軸按鍵,包括:非磁性的按鍵軸,按鍵上蓋,按鍵座,磁傳感模塊,動磁鐵以及N塊靜磁鐵;N為大于/等于2的整數(shù)。所述動磁鐵固定設(shè)置在所述按鍵軸的下端,其充磁方向和所述N塊靜磁鐵的充磁方向相同充磁方向、...
        • 本申請?zhí)峁┮环N絕對位置檢測系統(tǒng),包括:以交替排列N?S磁極形成的磁柵,磁場感測模塊以及位置計算模塊。在磁極排列方向上,所述磁柵的磁極的高度相同、寬度形成等差數(shù)列。磁場感測模塊由四個在平行于所述磁柵平面上等間隔排列、感測系數(shù)大小相等、感測...
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