本發明涉及一種等離子體刻蝕設備、刻蝕機臺、聚焦環及其頂升結構，該聚焦環包括多個層疊設置的環體，各個所述環體相互獨立地設置，位于最上層的所述環體的軸向尺寸大于所述聚焦環所允許的最大頂升高度，本發明提供了一種分體式的聚焦環，在使用過程中，各...

本技術公開了一種晶圓載臺裝置。該晶圓載臺裝置包括磁流體結構，包括磁流體定軸和磁流體轉軸，磁流體轉軸轉動設置在磁流體定軸的中心孔，且磁流體定軸將晶圓載臺裝置的內部結構分隔為真空環境側和大氣環境側；加熱器，與磁流體轉軸位于真空環境側的一端連...

本技術公開了一種晶圓載臺裝置。晶圓載臺裝置包括磁流體結構，磁流體結構包括磁流體定軸和磁流體轉軸，磁流體轉軸轉動設置在磁流體定軸的中心孔，且磁流體定軸將晶圓載臺裝置的內部結構分隔為真空環境側和大氣環境側，磁流體轉軸位于大氣環境側的一端能夠...

本技術公開了一種晶圓載臺裝置。該晶圓載臺裝置包括：載臺本體，設有用于放置晶圓的放置部；磁流體結構，設置于載臺本體的下方，磁流體結構包括磁流體定軸和磁流體轉軸，磁流體轉軸轉動設置在磁流體定軸的中心孔，且磁流體轉軸靠近載臺本體的一端與載臺本...

本發明公開了一種噴氣結構，包括：噴氣頭；噴氣頭設有周向氣道，周向氣道的一端用于連接進氣管組，另一端用于朝向反應腔室的腔壁，周向氣道為弧形。該噴氣結構周向氣道為弧形相對于有直角拐角的氣道，具有流阻小、噴氣方向遠和動量大的特點，更容易通過調...

本發明公開了一種可調氣流的刻蝕機，包括：反應腔室、噴嘴、晶圓載臺和氣流控制系統；氣流控制系統包括：第一氣流擋環；第一氣流擋環設置在反應腔室內，且位于噴嘴和晶圓載臺之間；第一氣流擋環設置在反應腔室內，且位于噴嘴和晶圓載臺之間，第一氣流擋環...

本申請公開了一種表面鍍膜方法及半導體設備，該表面鍍膜方法包括：提供待鍍膜的設備本體；在所述設備本體的表面形成第一保護層；其中，所述第一保護層至少包括基于原子層沉積工藝形成的第一子保護層。本申請技術方案在設備本體表面形成有第一保護層，第一...

本申請公開了一種表面鍍膜方法及半導體設備，該表面鍍膜方法包括：提供待鍍膜的設備本體；在所述設備本體的表面形成第一保護層；其中，所述第一保護層至少包括基于等離子體浸沒工藝形成在所述設備本體表面上的第一子保護層。本申請技術方案在設備本體表面...

本申請公開了一種射頻濾波裝置及射頻連接裝置，射頻濾波裝置包括：射頻濾波器、第一阻抗元件和第二阻抗元件；射頻濾波器包括第一電感和第二電感，第一電感和第二電感為共模電感；第一電感的第一端通過第一導線連接第一加熱絲的第一端；第二電感的第一端通...

本申請提供一種射頻等離子體匹配網絡電路，包括：第一真空繼電器以及高/低功率等離子體負載匹配網絡，利用第一真空繼電器實現高功率等離子體負載匹配網絡和低功率等離子體負載匹配網絡之間的切換，低功率等離子體負載匹配網絡包括電容模塊和電阻模塊，也...

本申請提供了一種金屬氧化物材料刻蝕方法，該方法包括：在反應腔室內提供待刻蝕金屬氧化物材料；利用還原性氣體電離產生的第一等離子體，處理待刻蝕金屬氧化物材料，以形成金屬改性層；利用原子層沉積蝕刻氣體電離產生的第二等離子體，刻蝕金屬改性層和待...

本申請提供一種半導體結構及制備方法，該方法包括：提供帶溝槽的襯底；離子束沉積設備的濺射離子源產生的中性離子束，轟擊第一靶材，以產生第一濺射粒子；離子束沉積設備的輔助離子源產生的中性離子束，改變第一濺射粒子的入射方向，以在溝槽的內壁形成黏...

本申請提供了一種薄膜沉積裝置及其薄膜沉積方法，所述薄膜沉積裝置包括：支撐組件，用于將靶材、待鍍膜基板以及參考基板分別固定在鍍膜腔室的對應工位；離子束濺射組件，用于基于通入的氣體以及所述靶材，在所述待鍍膜基板以及所述參考基板表面進行鍍膜；...

本申請提供了一種鈮酸鋰基板的刻蝕方法，包括：提供一鈮酸鋰基板，具有相對的第一表面和第二表面；所述第一表面具有第一區域和第二區域；對所述第一區域的鈮酸鋰材料進行改性處理，形成第一改性層；去除所述第一改性層，在所述第一表面形成圖形凹槽。本申...

本申請提供了一種偏振片及其制作方法，所述制作方法，包括：提供一基板，具有相對的第一表面和第二表面；通過離子束沉積方法，在所述第一表面形成周期排布的多條線柵。采用離子束沉積法制作偏振片，能降低對基板的損傷，提高偏振片的使用壽命。同時使用離...

本申請提供一種半導體器件的制造方法，方法包括：利用目標氣體、目標上射頻功率、目標下射頻功率以及目標腔壓對金屬層進行刻蝕，去除覆蓋在絕緣層上的金屬層以及降低凹陷的深度，目標上射頻功率以及目標下射頻功率的比值與目標氣體的氣流量呈正比關系也就...

本技術公開了一種半導體加工設備及其勻分氣裝置。包括進氣總管路和氣體分配組件，其中：進氣總管路包括進氣總管和多路進氣支管，進氣總管和多路進氣支管分別連通，多路進氣支管之間并排設置；氣體分配組件設置在進氣總管或者進氣支管。采用本技術的勻分氣...

本發明公開一種離子源裝置及離子源系統，其中，該離子源裝置包括工作桶，所述工作桶包括環形側板和底板，所述環形側板位于所述底板的一側，所述環形側板和所述底板圍合形成放電腔室；所述環形側板的內壁面設置有第一隔斷部，所述第一隔斷部為凹陷結構或者...

本發明公開了一種邊緣進氣裝置及等離子刻蝕系統，所述邊緣進氣裝置包括氣體管路、進氣塊及勻氣環；所述氣體管路連接所述進氣塊，所述進氣塊均勻分布在所述勻氣環周圍，所述勻氣環的環狀凹槽由介質窗覆蓋，所述環狀凹槽設有用于通入氣體的進氣孔和用于連通...

本發明公開了一種柵組件及離子源裝置，該柵組件至少包括兩個柵極單元，每一柵極單元包括柵格部以及支撐部，相鄰柵極單元的支撐部之間設置有絕緣體，以隔離兩相鄰柵格部；絕緣體包括第一接觸面和第二接觸面，分別用于與相鄰柵極單元的支撐部接觸連接，相鄰...