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        卡爾蔡司SMT有限責任公司專利技術

        卡爾蔡司SMT有限責任公司共有740項專利

        • 一種基于確定像場中多個場點的像差數據的測量操作,來確定光學成像系統的該像場中場相關像差的方法,該方法包括以下步驟:?定義目標網格,其包括該像場中的多個目標場點,其中目標場點為要確定像差水平的場點;?定義包括該目標場點的第一子集的測量網格...
        • 本發明的各種實例關于在粒子顯微鏡系統的情況下對待檢查的樣本的傾斜度和/或高度的測量,特別是具備產生聚焦離子束的附加柱的電子束顯微鏡。例如根據自準直原理使用光學檢測系統。
        • 一種驅動裝置(100),其用于驅動N個致動器元件(210)以致動光學系統(4、10)的光學元件(310),包括:N個驅動級(110?130),其通過時分多路復用方案(Z)確定的時分多路復用信號(ZMD、ZMA)控制,其中所述N個驅動級(...
        • 提供了一種用于晶片內的半導體對象的三維體圖像生成的方法和雙束裝置。該方法和該雙束裝置提供了更高的精確度,并配置成通過監測位移向量并考慮來自多個二維剖面圖像的3D像素插值期間的位移向量,以減輕帶電粒子束成像系統與晶片平臺之間的漂移。
        • 一種用于EUV光刻的光學部件(200),包含在真空環境中操作的介質輸送管系統(300、307、400、406、500、508),其中該介質輸送管系統(300、307、400、406、500、508)包含在金屬區段(207)與由線性膨脹系...
        • 本發明關于用于獲得晶片中的至少一個半導體結構的至少一個測量(26)的方法,其包含:通過使用FIB柱以傾斜角GF銑削至檢查體積以露出檢查體積中的一橫截面表面而獲得晶片的檢查體積的楔形切口(66),并以帶電粒子束成像系統對橫截面表面進行成像...
        • 一種用于光刻的物體的聚焦粒子束誘導處理的方法、設備和計算機程序,所述方法包括提供蝕刻氣體,提供水蒸氣,以及提供氧化物質。蝕刻氣體經由第一供應裝置以第一供應壓力提供,并且水蒸氣經由第二供應裝置以第二供應壓力提供,并且第二供應壓力是第一供應...
        • 本發明涉及一種用于減小光學元件(Mi)的像差的方法,特別是光刻系統中的光學元件(Mi)的像差的方法,包括:確定光學元件(Mi)的光學性質的時間變化,特別是光學元件(Mi)的基板(24)的表面(24a)的面形(P(x,y))的時間變化,其...
        • 本發明涉及一種具有光學元件(M3)的光學模塊(30、40、50),其中光學元件(M3)具有光學有效表面(31)并且經由至少一個連接元件(33、41)連接到加強體(32)。該連接元件的特征在于,該連接元件(33、41)包含解耦區域(34、...
        • 本發明涉及一種在光刻的投射曝光設備(1)中使用的MEMS反射鏡陣列模塊(100)。根據本發明的MEMS反射鏡陣列模塊(100)包括位于重新布線基板(120)上的MEMS反射鏡陣列結構(110),以及用于將MEMS反射鏡陣列模塊(100)...
        • 本發明涉及一種微光刻投射曝光設備中的組件,其中該組件(100、200、300、400)包含:光學元件(101、201、301、401);至少一個重量補償裝置(110、210、310、410),其具有用于產生磁場的無源磁路(111、211...
        • 一種反射鏡組合件(21)具有反射鏡(27),該反射鏡具有反射鏡主體(25)和反射表面(26)。用于該反射鏡主體(25)的至少一個反射表面支撐部(251)的旋轉驅動裝置(28)具有第一馬達(29)和第二馬達(30)。該第一馬達(29)具有...
        • 本發明涉及投射曝光系統(1、101)的投射物鏡(110)和投射曝光系統(1、101),其包括具有光學元件(M3)和加強體(35、45、55、75.1、75.2)的光學模塊(30、40、50、70、90),其中光學元件(M3)和加強體(3...
        • 本發明關于一種反射鏡系統,其包括EUV反射鏡(M1?M6),其中該EUV反射鏡(M1?M6)包括鏡體(38)和形成在該鏡體(38)上具有高EUV輻射反射率的光學表面(32)。該反射鏡系統還包括框架結構(31),該框架結構承載該鏡體(38...
        • 本發明尤其涉及一種用于影響樣品的電荷狀態的方法,該方法包括:為了分析和/或處理樣品而將帶電粒子束引導到樣品上,其中粒子束的粒子通過第一加速電壓加速到樣品上并且導致樣品的充電;以及為了影響樣品的充電而將帶電粒子束引導到樣品上,其中粒子束的...
        • 一種操作雙波束系統的改良方法,以及一種在圖像形成或離子束銑削期間用于改良減輕充電效應的雙波束系統。所述改良方法和該雙波束系統利用產生用于電荷排出的暫時傳導區、在離子束銑削期間的并行停止充電、或者采用封圍在局部氣體沖洗體積中的沖洗氣體停止...
        • 本發明提供了一種方法,該方法包含確定在半導體樣本中提供的代表性基準真實結構,所述半導體樣本具有多個結構,其主要在含有所述多個結構的針對性區域中沿該樣本的厚度方向延伸。此外,確定銑削樣本的至少一個調適圖像,其中該至少一個調適圖像包含沿厚度...
        • 本發明涉及一種反射鏡系統,其包括具有對EUV輻射具有高反射率的光學表面(32)的EUV反射鏡,并且包括承載反射鏡系統的系統部件的框架結構(39)。所述框架結構包括結構體(40)和插入件(42),所述插入件(42)由熱性能與所述結構體(4...
        • 本發明涉及一種部件,特別是光學元件(Mi)或結構部件部分,包括:主體(25),包括流體可流過的中空結構,該中空結構具有多個冷卻通道(31)、流體分配器(33)和流體收集器(34),其中,為了將流體供應到冷卻通道(31),流體分配器(33...
        • 本發明涉及一種用于驅動致動器(200)的驅動裝置(100),該致動器用于致動光學系統(4、10)的光學元件(310),該驅動裝置具有放大器(110),該放大器被配置為在輸入節點(K1)處接收所提供的電源電壓(V1)并在輸出節點(K2)處...
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