本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種鍵合后晶圓退火方法。本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種鍵合晶圓退火技術的優化，其特征在于，包括以下步驟：步驟一，將鍵合后的晶圓以低于15℃/min的加溫速率從室溫加熱至300℃；步驟二，將步...

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種解決晶圓破片的方法，包括以下步驟：步驟一，將器件晶圓與載片進行鍵合，鍵合后器件晶圓外延層處于載片和器件晶圓體襯底之間；步驟二，對器件晶圓背面研磨，減薄器件晶圓體襯底的厚度；步驟三，對器件晶圓進行退火...

本發明涉及半導體的制作領域，具體地說是一種使晶圓背部平坦的方法。本發明包括以下步驟：將載片晶圓與器件晶圓通過鍵合氧化物鍵合；對所述器件晶圓進行修邊，使所述器件晶圓的邊沿圓滑；對所述器件晶圓的背部進行機械研磨，研磨至所述器件晶圓的厚度為2...

本發明涉及一種影像傳感器的制造方法，包括器件晶圓平整度研磨，器件晶圓的鍵合，器件晶圓背面減薄，器件晶圓背面表面研磨，淀積，彩色濾光片和微透鏡的安裝，所述器件晶圓背面表面處理采用射頻發生器發出的射頻激發去耦合化等離子體氧化物產生等離子對器...

本發明涉及半導體制造領域，具體來說是一種可避免空洞的電鍍銅的方法。包括以下步驟：在晶圓上刻蝕出需要填充的溝槽；在所述溝槽的表面以及晶圓的上表面添加添加劑；使用4～5安培的電流對所述溝槽通過電鍍方式填充銅，填充過程中所述晶圓的轉速為85～...

本發明涉及一種硅中介層制作方法，包括以下步驟：步驟一，在基底上劃分出硅中介層區域；步驟二，在硅中介層中制作硅中介元件；步驟三，將基底與載片鍵合連接，硅中介層位于載片與基底之間；步驟四，將硅中介層從基底上分離；步驟五，在硅中介層表面做平坦...

本發明涉及半導體制造鍵合技術，具體涉及一種鍵合機臺裝置與鍵合對準的方法。包括將頂部對準相機和底部對準相機分別與標準對準標識對準；將頂部卡盤對準標識與底部對準相機對準，將底部卡盤對準標識與頂部對準相機對準；將頂部晶圓對準標識與頂部卡盤對準...

本發明涉及一種晶圓背面減薄方法，特別涉及一種兩步式濕蝕刻的晶圓背面減薄方法，具體包括步驟一：使用強酸對晶圓背面的硅襯底進行濕蝕刻，一旦外延層露出，則停止蝕刻，強酸采用氫氟酸、硝酸、磷酸和硫酸的混合物，其對硅襯底進行濕蝕刻的速率為8-12...

本發明涉及半導體制造領域，具體的是一種解決薄膜剝落的方法。包括以下步驟：步驟一：在晶圓的上表面淀積一層氧化層；步驟二：在所述氧化層的上表面淀積一層高介質層；步驟三：在所述高介質層的上表面淀積一層抗反射層，所述抗反射層即鉭的氧化物，如氧化...

本發明涉及一種晶圓表面缺陷修復方法，利用等離子體將氧氣進行去耦合化，形成高能的氧自由基，與基底硅進行反應，形成氧化物，修復表面缺陷。本發明利用去耦合等離子氧化物方法，降低硅基底背面減薄造成的表面缺陷，通過在硅基底背面減薄后的表面上形成一...

本發明涉及半導體制造領域，具體來說是一種影像傳感器及其制造方法。本發明包括以下步驟：在晶圓上刻蝕出需要填充的溝槽及通孔；對所述溝槽及通孔的拐角處使用惰性氣體轟擊，對所述拐角進行倒角處理,使所述溝槽及通孔開口增大；使用等離子體刻蝕法刻蝕所...

本發明涉及影像傳感器制造領域，具體涉及一種用金屬硬掩膜制造影像傳感器的方法。包括對晶圓表面氧化物進行刻蝕,至露出四乙氧基硅層;在表面上淀積一層隔離氧化層;淀積一層金屬硬掩膜;將金屬硬掩膜刻蝕出開口;在金屬硬掩膜上涂抹光刻膠，并刻蝕掉金屬...

本發明涉及影像傳感器制造領域，具體涉及一種用深槽隔離制造影像傳感器的方法及影像傳感器結構。包括將器件晶圓與邏輯晶圓進行鍵合；對鍵合后晶圓中的器件晶圓二氧化硅層進行深通孔局部刻蝕，形成器件晶圓深通孔；進行硅刻蝕直至露出器件晶圓頂層金屬和邏...

本發明涉及一種影像傳感器晶圓背面處理方法，包括對晶圓表面進行拋光處理，使其平坦化；將晶圓的正面與載片鍵合連接；對晶圓背面進行減薄處理；采用臭氧對晶圓背面表面處理，其中臭氧濃度為20～80毫克/升，處理時間為6～15分鐘，處理后在晶圓背面...

本發明涉及一種降低影像傳感器小丘的方法，包括淀積粘合層、鋁遮蔽、破真空和淀積抗反射層，粘合層為一層厚度為20-100埃的金屬鈦層，且金屬鈦層上淀積有一層厚度為200-300埃的氮化鈦層，鋁遮蔽的厚度為1000-3000埃，抗反射層厚度為...

本發明涉及一種晶圓自對準硅通孔連接方法，包括以下步驟：將內部均淀積有用作刻蝕停止層的金屬的兩片晶圓鍵合連接；將頂層晶圓減薄；通過圖形化工藝在頂層晶圓表面上制作圖案，定位通孔制作區域；從頂層晶圓到底部晶圓之間制作通孔；清洗通孔；在通孔底部...

本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種影像傳感器晶圓的鍵合方法，包括以下步驟：運用高密度等離子體化學氣相淀積器件晶圓鈍化層氧化物；對淀積鈍化層氧化物的器件晶圓進行第一次化學機械研磨；將器件晶圓進行等離子體增強化學氣相淀積法在原有的氧化物...

本發明涉及一種便攜式器件晶圓的制造方法，包括：首先減薄器件晶圓外延層，采用熱處理的工藝對晶圓基底進行處理，使摻雜劑從濃度高的基底向摻雜濃度低的外延層進行擴散；然后在晶圓上制作功能器件；接著將載有功能器件的晶圓與載片相鍵合；最后對鍵合后的...

卷煙企業在紙質盒裝香煙所選定的面上按本人的發明設計出預留安裝打火機的裝置，再按本人的發明生產打火機直至裝箱，最后按終端香煙經銷商的香煙訂購量配套運送到終端香煙經銷商處，由終端香煙經銷商把免費的打火機捆綁香煙一起賣出。這種營銷方式：有效的...

磨光機裝切割片打磨金屬零件補焊焊疤法主要適用于打磨平面鉆孔報廢的金屬零件和平面有凹陷的金屬零件補焊留下的焊疤。其技術要點是：1、把磨光機打磨常用的厚的打磨沙輪片改換成切割片。2、打磨首選左手，因為左手更容易握穩磨光機，打磨時左手握穩已裝...