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        南昌大學(xué)專(zhuān)利技術(shù)

        南昌大學(xué)共有11554項(xiàng)專(zhuān)利

        • 本發(fā)明提供了一種耐濕型層狀仿生復(fù)合材料及其3D打印制備方法,涉及高分子復(fù)合材料和增材制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明由乙烯基硅烷接枝石墨烯無(wú)機(jī)增強(qiáng)相與聚二甲基硅氧烷非極性高分子基體構(gòu)成,所述石墨烯經(jīng)乙烯基硅烷改性并水熱還原獲得,聚二甲基硅氧烷由乙烯...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種再生鋁廢料分選與再熔煉設(shè)備及加工方法,涉及再生鋁加工領(lǐng)域,包括固定支架以及設(shè)置于固定支架一側(cè)的熔煉爐,所述固定支架上傾斜設(shè)置有兩個(gè)過(guò)濾網(wǎng),兩個(gè)過(guò)濾網(wǎng)上下分布,且處于上方的過(guò)濾網(wǎng)網(wǎng)眼直徑大于下方過(guò)濾網(wǎng)網(wǎng)眼直徑,所述第二傾斜...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了鉛鹽單晶敏化薄膜及其制備方法和在紅外探測(cè)器中的應(yīng)用,涉及光電子半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。鉛鹽單晶敏化薄膜的制備方法包括以下步驟:S1、在基底上生長(zhǎng)鉛鹽薄膜;S2、將所述鉛鹽薄膜進(jìn)行氧氣高溫預(yù)敏化處理,形成氧摻雜鉛鹽薄膜;S3、將所...
        • 本發(fā)明涉及水利工程領(lǐng)域,尤其是涉及一種小型人工明渠移動(dòng)式束水沖沙設(shè)備,其包括蓄水倉(cāng)、水泵、擋水閥板、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、空氣泵、液壓泵、液壓管、四個(gè)液壓升降桿、控制電路等,蓄水倉(cāng)中空且底部有排水口和排水閥門(mén),水泵連接渠水和蓄水倉(cāng),擋水閥板可在蓄水...
        • 本技術(shù)公開(kāi)了一種質(zhì)子交換膜燃料電池多蛇形流道,包括若干條氣體流道,以及設(shè)于所述氣體流道中的繞流元件;氣體流道,任一氣體流道至少包括三段沿第一方向平行設(shè)置的第一流道,和至少兩段沿第二方向平行設(shè)置的第二流道,任一所述第二流道連接相鄰的所述第...
        • 本發(fā)明公開(kāi)機(jī)器學(xué)習(xí)驅(qū)動(dòng)的翼型設(shè)計(jì)方法、設(shè)備、介質(zhì)和程序產(chǎn)品,包括:(1)以重量和剛度為約束,構(gòu)建翼型節(jié)點(diǎn)的浮動(dòng)量與升阻比的數(shù)學(xué)模型;(2)基于空間填充拉丁超立方采樣建立翼型種群;(3)采用均勻分布隨機(jī)數(shù)調(diào)用DE變異操作及最大最小距離篩選...
        • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于異構(gòu)磁盤(pán)的分布式存儲(chǔ)優(yōu)化方法、系統(tǒng)、設(shè)備及介質(zhì),該方法根據(jù)第一磁盤(pán)和第二磁盤(pán),對(duì)所有類(lèi)型的磁盤(pán)進(jìn)行性能基準(zhǔn)測(cè)試,得到每塊磁盤(pán)的寫(xiě)入吞吐量和讀取吞吐量;計(jì)算每種磁盤(pán)組合的總體成本;基于總體成本、寫(xiě)入吞吐量和讀取吞吐量,...
        • 本發(fā)明提供了一種抑制白肋菱蘭原球莖褐化的方法,涉及植物組織培養(yǎng)與生物技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的一種抑制白肋菱蘭原球莖褐化的方法包括:將白肋菱蘭原球莖外植體置于含有5μmol/L?50μmol/L茶多酚的液體培養(yǎng)基中進(jìn)行脈沖式預(yù)處理,處理時(shí)間...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種抗干擾壓電式陣列柔性傳感器及其制備方法,屬于壓力傳感器技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)抗干擾壓電式陣列柔性傳感器由上而下包括:觸覺(jué)層、上電極層、壓電層、下電極層和下基板,其中觸覺(jué)層為被十字結(jié)構(gòu)制造的縫隙分裂成四部分的分體結(jié)構(gòu);通過(guò)改變觸...
        • 本發(fā)明提供一種LED芯片漏電分析方法,包括:提供待分析的漏電LED芯片,將漏電LED芯片制備成裸芯封裝的封裝體;采用數(shù)字源表對(duì)漏電LED芯片進(jìn)行通電測(cè)試;加熱漏電LED芯片,將漏電LED芯片放置于漏電定位檢測(cè)設(shè)備中并通入正向電壓,以定位...
        • 一種基于擴(kuò)散模型的機(jī)器人模仿學(xué)習(xí)方法,屬于機(jī)器人學(xué)習(xí)與具身智能技術(shù)領(lǐng)域。包括:對(duì)輸入的圖像觀測(cè)數(shù)據(jù)和機(jī)器人狀態(tài)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理,并采用灰度變換、隨機(jī)擦除和高斯模糊進(jìn)行圖像增強(qiáng);基于增強(qiáng)后的圖像和機(jī)器人狀態(tài),訓(xùn)練擴(kuò)散模型以生成動(dòng)作序列,包括...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種再生銅熔體中氫氧協(xié)同深度脫除的方法,涉及到再生金屬處理領(lǐng)域,包括S101,原料預(yù)處理:再生銅原料經(jīng)磁選除鐵后破碎至50?200mm,篩分去除≤10mm細(xì)粉,送入熱風(fēng)循環(huán)烘箱干燥2?4小時(shí),干燥后原料加入豎爐,形成熔體;S...
        • 一種考慮退化成本的混合儲(chǔ)能容量?jī)?yōu)化配置方法,包括:獲取全年風(fēng)電出力數(shù)據(jù)集;對(duì)全年風(fēng)電出力數(shù)據(jù)集進(jìn)行聚類(lèi);根據(jù)所述全年風(fēng)電出力數(shù)據(jù)集和所述目標(biāo)并網(wǎng)波動(dòng)量限值,確定混合儲(chǔ)能系統(tǒng)功率曲線(xiàn);引入改進(jìn)粒子濾波算法求解鋰電池壽命,結(jié)合超級(jí)電容年退化...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種醫(yī)用鈦金屬表面緩釋抗菌肽涂層及其制備方法和應(yīng)用,涉及生物醫(yī)用材料技術(shù)領(lǐng)域,包括如下步驟:醫(yī)用鈦經(jīng)活化后,依次接枝硅烷聚乙二醇活性酯、疊氮?活性氧響應(yīng)連接臂N3?TK?PEG?NH2及DBCO修飾的抗菌肽DBCO?GL13...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種用于真空環(huán)境下維持氣壓的裝置,屬于真空設(shè)備氣壓控制領(lǐng)域。該發(fā)明旨在解決設(shè)備在真空環(huán)境下因內(nèi)外壓強(qiáng)差導(dǎo)致內(nèi)部氣壓持續(xù)泄露,從而影響設(shè)備正常工作的問(wèn)題。本發(fā)明的技術(shù)方案包括:一個(gè)設(shè)置于所述設(shè)備內(nèi)部的補(bǔ)壓腔體;所述補(bǔ)壓腔體內(nèi)存...
        • 本技術(shù)屬于用于機(jī)械應(yīng)力測(cè)試固體材料強(qiáng)度特性的試驗(yàn)機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,提供一種用于大尺寸土工合成材料的動(dòng)單剪直剪試驗(yàn)裝置,包括:上剪切盒,其下表面均勻布滿(mǎn)上釘齒;豎向負(fù)載機(jī)構(gòu),其與上剪切盒連接;下剪切盒,其設(shè)置于上剪切盒的下方,所述下剪切盒的上表...
        • 一種新型CDK6共價(jià)抑制劑及其制備方法和醫(yī)藥用途,包含結(jié)構(gòu)如下式所示的化合物或其藥學(xué)上可接受的鹽,其中,R1選自H、Br,R2選自C=CH(CH2COOCH3)、C≡CH、CH2Cl,R3選自H、CH3。本發(fā)明抑制劑可作為腫瘤的單一治療...
        • 本發(fā)明涉及醫(yī)藥保健品領(lǐng)域,具體是一種具有免疫調(diào)節(jié)功能的藥食同源組合物及其制備方法,該組合物由以下質(zhì)量百分比的原料制備而成:猴頭菇提取物30?40%、繡球菌提取物15?25%、鷹嘴豆粉10?12%、低酸烏梅粉5?8%、百合粉3?5%、微膠...
        • 本發(fā)明提供了一種制備超細(xì)中重稀土氧化物的工藝方法,屬于稀土濕法冶金分離工藝。本發(fā)明以中重稀土鹽溶液與碳酸鹽類(lèi)沉淀劑為原料,在加熱與攪拌的條件下,分階段進(jìn)行加料反應(yīng):以特定摩爾投料比同步對(duì)加方式進(jìn)行第一階段反應(yīng)并保溫陳化;待結(jié)晶出現(xiàn)后,補(bǔ)...
        • 本發(fā)明公開(kāi)了一種Micro?LED器件的鈍化方法,包括:提供Micro?LED器件,Micro?LED器件包括驅(qū)動(dòng)基板和陣列分布于驅(qū)動(dòng)基板上的發(fā)光單元,發(fā)光單元之間形成隔離溝槽;在Micro?LED器件上沉積第一鈍化層,第一鈍化層覆蓋發(fā)...