本發明涉及半導體材料制備技術領域，具體涉及一種用于液相法生長碳化硅單晶的工藝參數優化方法及系統，所述方法包括：構建宏觀有限元模型，依據多組工藝參數耦合得到籽晶前沿邊界層的宏觀物理場數據；構建微觀動力學模型，以多組宏觀物理場數據作為面上邊...

本發明屬于碳化硅單晶制備技術領域，具體涉及凹面籽晶、基于凹面籽晶的單晶生長方法及碳化硅單晶。該方法的核心在于采用特定幾何參數的凹面籽晶，在物理氣相傳輸法生長過程中，通過精確控制熱場，使籽晶邊緣溫度T2持續高于中心溫度T1，并維持5~25...

本發明屬于碳化硅晶體制備技術領域，具體涉及一種用于碳化硅單晶生長的石墨導向環及其長晶工藝。該石墨導向環包含接近籽晶邊緣的導向環內結構層和導向環外結構層以及設置于兩者之間的中介層，導向環內結構層為等徑或擴徑曲面，中介層截面為梯形，梯形頂部...

本發明屬于半導體材料制備技術領域，具體涉及一種批量合成碳化硅粉料的閉環系統及方法。所述系統包括順次連接的原料合成與純化、化學氣相沉積反應、尾氣處理與循環三大模塊。該方法通過所述模塊合成并純化原料氣體，進行化學氣相沉積反應生成碳化硅沉積體...

本發明屬于半導體材料制備技術領域，具體涉及一種用于合成碳化硅粉料的坩堝組件及其合成方法。所述坩堝組件包括外坩堝、裝料坩堝和支撐環。外坩堝由等靜壓石墨制成，其內腔側壁設導氣槽，底部和頂部坩堝蓋開設通氣孔；裝料坩堝由多孔石墨制成并容置于外坩...

本發明涉及半導體材料制備技術領域，具體涉及一種具有應力釋放結構的碳化硅單晶生長坩堝及生長方法。坩堝內部由下至上依次設置有：由外向內鋪設的、粒徑遞減的第一與第二碳化硅粉料；覆蓋于第一粉料表面的石墨盤；覆蓋于第二粉料表面的多孔石墨板；支撐于...