本技術提供一種半導體器件，包括：襯底；體區，從襯底頂面延伸至襯底內；柵極結構，位于體區頂面；源極區和漏極區，分別位于柵極結構兩側的體區中，源極區和漏極區的摻雜類型與體區的摻雜類型相反；第一體接觸區和第二體接觸區，分別相應的位于源極區和漏...