本公開的實施例涉及布線評估方法、模型、設備和存儲介質。在此提出的方法包括：獲取針對芯片中的標準單元的多個布局，其中多個布局中的布局至少指示標準單元中的多個器件的排布；確定分別與多個布局對應的多個布局指標集合，多個布局指標集合中的布局指標...

本公開的實施例涉及對象渲染方法、設備和存儲介質。在此提出的方法包括：針對對象的第一體素，基于第一體素與第二體素之間的幾何關系，確定第一體素的至少一個法線，其中至少一個法線包括第一體素的面法線和頂點法線中的至少一項，并且第二體素是對象中位...

本公開的示例實施例涉及用于半導體器件的仿真方法、電子設備及存儲介質。該方法包括：基于預定的勢壘相關參數的預定范圍和步長對勢壘相關參數進行離散化以生成多個第一數據點；以及確定與多個第一數據點中的每個第一數據點對應的透射系數，其中，透射系數...

本公開涉及一種半導體器件的仿真方法、電子設備和計算機可讀存儲介質。方法包括：在所述半導體器件的仿真區域內確定粒子的當前位置，其中所述仿真區域包括局部擴展區域，所述局部擴展區域包含至少一個完整的虛擬晶格；基于所述粒子的所述當前位置使用所述...

本公開的實施例提供了用于光源掩模優化的方法、設備、存儲介質及程序產品。該方法包括接收一組掩模圖形。該方法還包括獲取多個光源圖形，以分別作為多個初始光源圖形，其中該多個光源圖形基于該組掩模圖形生成。該方法還包括針對多個光源圖形中的每個光源...

本公開的實施例涉及仿真模型的參數更新方法、仿真方法、電子設備及介質。仿真模型的參數更新方法，包括：基于各個時間步和相應的蝕刻速率確定蝕刻后溝槽的底部的最終高度的仿真值；基于仿真值與目標值的比較確定與溝槽的蝕刻速率相關的參數的更新值，以使...

本公開的實施例涉及仿真模型的參數更新方法、仿真方法、電子設備及介質。仿真模型的參數更新方法，包括：基于各個時間步和相應的蝕刻速率確定蝕刻后溝槽的底部的最終高度的仿真值；基于仿真值與目標值的比較確定與溝槽的蝕刻速率相關的參數的更新值，以使...

本公開的實施例涉及仿真模型及其生成方法、仿真方法、電子設備及存儲介質。該方法包括：基于預定的全局工藝角的位置及全局工藝角各自的目標參數之間的相關性確定偽全局工藝角的位置，偽全局工藝角用于輔助界定仿真對象的電學特性分布范圍；基于全局工藝角...

根據本公開的示例實施例，提供了對光學鄰近效應修正(OPC)修正結果進行驗證的驗證方法、設備和存儲介質。該方法包括獲取與驗證器相對應的特征規則和模型條件，該驗證器與驗證操作相關聯，該驗證操作包括對OPC模型在該模型條件下對掩模圖形進行掩模...

本公開的實施例涉及用于確定互連線有效性的方法、設備和介質。在此提出的方法包括：對于目標互連線網絡中的給定線段，確定給定線段在發生給定結構變化之后給定線段上的電導變化，其中給定線段的給定結構變化是基于給定線段在經過目標工藝后的模擬形貌而確...

本公開的實施例提供了用于光源掩模優化的方法、設備、存儲介質及程序產品。該方法包括接收一組掩模圖形。該方法還包括獲取多個光源圖形，以分別作為多個初始光源圖形，其中該多個光源圖形基于該組掩模圖形生成。該方法還包括針對多個光源圖形中的每個光源...

本公開的實施例涉及仿真模型的參數更新方法、仿真方法、電子設備及介質。仿真模型的參數更新方法，包括：基于各個時間步和相應的蝕刻速率確定蝕刻后溝槽的底部的最終高度的仿真值；基于仿真值與目標值的比較確定與溝槽的蝕刻速率相關的參數的更新值，以使...

本公開提供了用于建立OPC模型的方法、電子設備、存儲介質及程序產品。該方法包括基于用于OPC模型的原始損失函數和L1正則化損失函數，構建最小絕對值收縮和選擇算子（LASSO）線性回歸的損失函數，其中原始損失函數基于待確定的OPC模型閾值...

根據本公開的實施例提供了用于套刻精度補償的方法、設備和介質。在該方法中，獲取表征某一批次晶圓在曝光前的套刻精度分布的套刻精度圖?；谠撆尉A所使用的補償最優值，確定該批次晶圓與多個候選權重值對應的多個套刻精度反饋值。隨后，基于對應于該...

根據本公開的實施例，提供了一種用于參數校正的方法、設備和存儲介質。該方法包括基于拍攝圖像的一個或多個圖像處理參數的相應初始值，生成第一組處理參數集，第一組處理參數集中的處理參數集包括一個或多個圖像處理參數的相應參數值，一個或多個圖像處理...

本公開的實施例涉及用于調整互連線結構的方法、設備和介質。在此提出的方法包括：對于目標互連線網絡中的給定線段，確定給定線段的結構在發生給定結構變化之后給定線段上的電導變化；基于電導變化，確定目標互連線網絡中的給定節點隨電導變化的電學屬性變...

根據本公開的實施例，提供了用于版圖處理的方法、設備、介質和程序產品。在該方法中，基于與初始版圖的版圖拆分有關的拆分條件，確定針對初始版圖中的多個區域的區域關聯信息，區域關聯信息指示多個區域中的兩個相鄰區域在版圖拆分中是否相關；以及響應于...

本公開的實施例涉及模擬光刻膠形貌的方法、設備和介質。在此提出的方法包括：針對光刻膠的目標模擬區域處的多個光刻膠單元，確定與多個光刻膠單元對應的多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征；基于多個顯影液濃度特征和多個光刻膠濃度特征，確定在顯影...

本公開的實施例涉及仿真模型及其生成方法、仿真方法、電子設備及存儲介質。該方法包括：基于預定的全局工藝角的位置及全局工藝角各自的目標參數之間的相關性確定偽全局工藝角的位置，偽全局工藝角用于輔助界定仿真對象的電學特性分布范圍；基于全局工藝角...

本公開的實施例涉及電路仿真模型的生成方法、電子設備及存儲介質。該生成方法包括：對多個半導體工藝器件的各自初始模型的預定模型參數進行仿真優化，以確定與預定模型參數相關的目標參數的仿真值，多個半導體工藝器件分別具有不同尺寸；響應于目標參數的...