一種多頻率天線框架結構，該多頻率天線包括一饋線，以及一電連接于該饋線的第一輻射組件。一調諧組件電連接于該第一輻射組件，該調諧組件包括至少兩個調諧短線，每一個調諧短線皆具有連接于該第一輻射組件的一固定端和相互分離的一自由端。該第一輻射組件...

一種多重頻率天線，包括有由介電材料構成的一電路板，該電路板具有一第一表面和一第二表面，兩者分離且本質上互相平行。由導電材料構成的一接地平面層覆蓋于該電路板的第一表面的一部分之上，由導電材料構成的一饋送線設置于該電路板的第二表面上，且延伸...

本發明公開了一種半導體電容結構，其包含第一金屬層、第二金屬層、第一組介電窗插塞、第二組介電窗插塞以及介電層。該第一金屬層包含第一區段，多個平行的第二區段，第三區段，及多個平行的第四區段。該第二金屬層包含第五區段，多個平行的第六區段，第七...

本發明公開了一種半導體電容結構及其布局，其提供一種具有多個對稱環型區段的金屬－氧化層－金屬電容結構。本發明的金屬－氧化層－金屬電容結構不需要使用額外的光掩模，工藝費用較便宜。此外，由于半導體工藝的進步，因此可以迭加數目相當大的金屬層，而...

一種適用于多種封裝模式的集成電路包含：核心電路、多個接合墊以及選擇模塊。其中，選擇模塊耦接于核心電路及多個接合墊之間，選擇模塊包含多個選擇電路，用以依據控制信號來決定核心電路通過選擇模塊與多個接合墊之間的導通狀態。當控制信號為第一數值時...

本發明公開了一種集成電感結構，其包括半導體基底以及設于半導體基底上方的電感金屬層。半導體基底與電感金屬層之間設有介電層。于電感金屬層正下方的半導體基底中，設有阱防護層，包括多個小區塊Ｎ型離子阱以及多個小區塊Ｐ型區域，彼此相間重復排列組合...

本發明提供一種由第一電容與第二電容所組成的金屬－氧化層－金屬電容結構，其具有多個對稱分支區段，沿著多個環狀輪廓形成相互叉合的結構，具有最佳化的幾何對稱性，因此能得到優選的電容匹配效果，并具有較高的單位電容值，且在該半導體電容結構中可以根...

本發明公開了一種集成電路焊線墊片的結構及其形成方法，系設置于一絕緣層中，該集成電路焊線墊片的結構包括有：一下導電層、一復合層結構以及一焊墊導電層。該下導電層設于該絕緣層內適當位置處，并連接至一固定電位，該復合層結構設于該絕緣層之上，該復...

一種靜電放電箝制電路，包含：　　　　一ＥＳＤ偵測電路，是電連接于一第一工作電壓與一第二工作電壓之間，用來偵測前述第一工作電壓與前述第二工作電壓之間的一靜電，并產生一觸發電壓；以及　　　　一ＮＰＮ雙載子接面晶體管，是電連接于前述第一工作電...

一種具有深Ｎ井區的串接二極管結構，包含：　　　　一Ｐ型基材；　　　　一深Ｎ井區，是形成于前述Ｐ型基材上；　　　　多個二極管組件，是形成于前述深Ｎ井區上；以及　　　　多個導體，藉以串接前述多個二極管組件；　　　　其中前述每個二極管組件包含...

一種保護裝置，位于一芯片內，該裝置包括有：一解碼電路，解碼該密碼，并輸出一解碼信號；以及一保密電路，電連接該解碼電路，并依據該解碼信號輸出一啟用信號，該集成電路依據該啟用信號實現應有的特性，藉此保護裝置達到防止芯片復制的目的。

本發明涉及一種輸出級結構，其包含第一、第二ｐ型金屬氧化物半導體晶體管以及第一、第二ｎ型金屬氧化物半導體晶體管，其中，該些金屬氧化物半導體晶體管是以雙阱工藝制作。第一ｐ型金屬氧化物半導體晶體管的源極連接電壓源，柵極連接第一電壓；第二ｐ型金...

一種抑制電壓抖動電路及其方法被揭露。該抑制電壓抖動電路用以減少集成電路的電壓抖動現象，該抑制電壓抖動電路包含：接腳；第一接合墊，用以耦接該集成電路內部的電源線；第一打線，耦接于該接腳與該第一接合墊之間，該第一打線具有第一電感；第二接合墊...

一種布線結構，包含：第一布局層；第二布局層，與該第一布局層實質上互相平行；及　多條走線，每條該走線各傳輸一信號，該多個信號各具有相位差；其中，設置于該第一布局層與該第二布局層的同一層而相鄰的二條該走線之間具有水平耦合電容，設置于該第一布...

本發明公開一種成形于Ｎ層連續隔離層中的芯片式平衡－不平衡變壓器。該變壓器包含主繞線以及次繞線。該主繞線包含多個第一半圈線圈、多個第二半圈線圈、多個金屬結以及多個第一金屬電橋。該次繞線包含多個第三半圈線圈、多個第四半圈線圈以及多個第二金屬...

一種對一存儲裝置進行讀取相位校正的方法，該方法包括步驟：對該存儲裝置寫入至少一預定模式的數據；以多個相位當中的一個相位，讀取該存儲裝置的數據；比較所讀取的數據與該預定模式的數據；以及根據該比較結果，在該多個相 ...

一種芯片輸出電流調整裝置和方法，其包含：一驅動電路，用以依據一控制信號以輸出一驅動電流，其中該驅動電流流至另一芯片中的一參考電阻以產生一輸出電壓；以及一檢測電路，耦接至該驅動電路，用以檢測該輸出電壓和一參考電壓以產生該控制信號；其中，該...

本發明是一種處理器的內部存儲器存取方法及其裝置，該方法是利用一交換機制，使一處理器的處理單元與一直接存儲器存取控制器能同時存取一內部存儲器的不同存儲單元，藉此使該處理單元能持續存取并運算內部存儲器的數據，以發揮運算效能，而本發明的裝置中...

本發明披露了一種用來存取存儲卡的一控制芯片，該控制芯片包含：一時鐘產生器，用來產生一第一時鐘訊號以及一第二時鐘訊號，其中，該第二時鐘訊號為一具有展頻的時鐘訊號；一第一存儲卡接口，耦接該時鐘產生器，該第一存儲卡接口包括一第一時鐘訊號接腳與...

本發明提供一種輸出信號驅動電路，其包含有一第一開關、一第二開關、一第三開關以及一第四開關。該第一開關依據一第一控制信號以選擇性地將一第一電源電壓與一第一端點導通。該第二開關依據一第二控制信號以選擇性地將一第二電源電壓與一第二端點導通。該...