提供了一種具有改善的電特性和可靠性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及包括該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電子系統(tǒng)。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件可以包括：襯底；模制結(jié)構(gòu)，包括在第一方向上交替堆疊在襯底上的多個(gè)模制絕緣層和多個(gè)柵電極；以及溝道結(jié)構(gòu)，穿過(guò)模制結(jié)構(gòu)形成，并且在第一方向上...

公開了頁(yè)緩沖器電路和包括頁(yè)緩沖器電路的存儲(chǔ)器裝置。所述頁(yè)緩沖器電路包括：多個(gè)頁(yè)緩沖器單元；以及多個(gè)高速緩存鎖存器，通過(guò)組合感測(cè)節(jié)點(diǎn)與所述多個(gè)頁(yè)緩沖器單元連接。所述多個(gè)頁(yè)緩沖器單元中的每個(gè)包括與對(duì)應(yīng)的感測(cè)節(jié)點(diǎn)連接的主鎖存器。主鎖存器包括與...

提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：第一存儲(chǔ)器圖案，其包括在第一方向上延伸的第一字線和第二字線、在第一方向上延伸并且在第二方向上與第一字線和第二字線間隔開的背柵電極、具有接觸第一有源圖案和第二有源圖案的下表面的一個(gè)端部和接觸數(shù)據(jù)存儲(chǔ)...

根據(jù)實(shí)施方式的印刷電路板結(jié)構(gòu)（200）可以包括：第一印刷電路板（210）；中介件（230）；第二印刷電路板（220）；以及安裝層（241），具有連接到第二印刷電路板的基底孔；支撐層（242），提供在安裝層的相對(duì)于第二印刷電路板的相反側(cè)上...

提供了一種用于生成3D手模型的方法和系統(tǒng)。所述方法包括：接收從多個(gè)跟蹤系統(tǒng)收集的異構(gòu)手關(guān)鍵點(diǎn)；執(zhí)行粗略優(yōu)化處理以將異構(gòu)手關(guān)鍵點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)到解剖參考系中，以產(chǎn)生統(tǒng)一手關(guān)鍵點(diǎn)；執(zhí)行精細(xì)優(yōu)化處理以將手網(wǎng)格模型擬合到統(tǒng)一手關(guān)鍵點(diǎn)；使用擬合到統(tǒng)一手關(guān)鍵...

本公開提供了一種三維鐵電存儲(chǔ)器件。所述三維鐵電存儲(chǔ)器件包括：襯底；多條位線，其在所述襯底上在第一方向上延伸，并且彼此間隔開；第一塊選擇線和第二塊選擇線，其在所述多條位線上方在所述第二方向上延伸；第一字線，其與所述第一塊選擇線的至少一部分...

一種粘合帶片包括粘合膜，粘合膜包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域附接到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)并與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的邊緣豎直疊置，第二區(qū)域與第一區(qū)域鄰近。粘合膜包括非圖案部和由切口部限定的多個(gè)圖案部。所述多個(gè)圖案部中的一部分包括開口部和延伸部，開口部在第一方...

本公開的實(shí)施例公開了存儲(chǔ)裝置、運(yùn)行存儲(chǔ)控制器的方法及非易失性存儲(chǔ)器件的運(yùn)行方法。該存儲(chǔ)裝置包括：存儲(chǔ)控制器，存儲(chǔ)控制器被配置為利用與數(shù)據(jù)線分離的命令/地址線發(fā)送命令和地址；以及非易失性存儲(chǔ)器件，非易失性存儲(chǔ)器件被配置為從與地址相對(duì)應(yīng)的存...

一種半導(dǎo)體器件可以包括：襯底；順序堆疊在襯底上的第一有源圖案和第二有源圖案，分別與第一有源圖案和第二有源圖案相交的第一柵電極和第二柵電極；第一層級(jí)源極/漏極圖案，在第一柵電極的側(cè)壁上并且連接到第一有源圖案；第二層級(jí)源極/漏極圖案，在第二...

提供了用于測(cè)試半導(dǎo)體樣品的自動(dòng)化系統(tǒng)和自動(dòng)化方法。該自動(dòng)化系統(tǒng)可以包括：保持器，被配置為保持半導(dǎo)體樣品；容器，被配置為保持試劑；夾持器，被配置為夾持該保持器；機(jī)器人，包括末端執(zhí)行器，末端執(zhí)行器被配置為在夾持模式和釋放模式之間操縱夾持器；...

提供了一種半導(dǎo)體器件，其包括：在垂直方向上延伸的第一鰭結(jié)構(gòu)；在垂直方向上延伸的第二鰭結(jié)構(gòu)，其中，第二鰭結(jié)構(gòu)與第一鰭結(jié)構(gòu)間隔開；在第一鰭結(jié)構(gòu)和第二鰭結(jié)構(gòu)之間的蝕刻停止圖案；下絕緣層，與第一鰭結(jié)構(gòu)的下表面、第二鰭結(jié)構(gòu)的下表面和蝕刻停止圖案的...

提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括：第一有源圖案和第二有源圖案，在基底上；第一源極/漏極圖案和第一溝道圖案，在第一有源圖案上；第二源極/漏極圖案和第二溝道圖案，在第二有源圖案上；以及柵電極，與第一溝道圖案和第二溝道圖案中的每個(gè)交叉。...

本文的實(shí)施例公開了用于從多方會(huì)話生成動(dòng)作的方法和系統(tǒng)。本文的實(shí)施例公開了用于生成具有多級(jí)雙方推斷的面向用戶的會(huì)話圖的方法和系統(tǒng)，其中，該會(huì)話圖將用戶與針對(duì)一個(gè)或多個(gè)可能動(dòng)作的關(guān)鍵信息鏈接。本文的實(shí)施例公開了用于從當(dāng)前會(huì)話和過(guò)去會(huì)話確定候...

一種半導(dǎo)體裝置包括：晶體管，在基底上；第一布線結(jié)構(gòu)，在晶體管上并且電連接到晶體管；絕緣圖案，延伸穿過(guò)基底；第二布線結(jié)構(gòu)，在基底下方；多個(gè)貫穿過(guò)孔，在絕緣圖案中并且在水平方向上彼此間隔開，所述多個(gè)貫穿過(guò)孔中的每個(gè)延伸穿過(guò)絕緣圖案并接觸第一...

導(dǎo)線、互連結(jié)構(gòu)體、以及半導(dǎo)體器件，所述導(dǎo)線包括拓?fù)浒虢饘俸投S材料，所述互連結(jié)構(gòu)體包括一個(gè)或多個(gè)介電層和第一導(dǎo)線，所述第一導(dǎo)線包括拓?fù)浒虢饘俸投S材料，所述半導(dǎo)體器件包括所述導(dǎo)線或所述互連結(jié)構(gòu)體。

一種存儲(chǔ)器件包括：襯底；柵極線接觸部，電連接到從多條柵極線之中選擇的柵極線；導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)，連接到柵極線接觸部；以及接合焊盤，布置在導(dǎo)電布線結(jié)構(gòu)上。接合焊盤包括：第一接合焊盤；第二接合焊盤；第三接合焊盤，在第一水平方向上與第一接合焊盤間隔...

提供了一種相機(jī)模塊，包括：殼體；以及在殼體上的耦合框架，其中，殼體包括第一主表面、以及連接到第一主表面并且在第一方向上間隔開的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面，其中，耦合框架包括：第二主表面；連接到第二主表面并且在第一方向上間隔開的第三側(cè)表面和第...

一種電子存儲(chǔ)器裝置包括：循環(huán)冗余校驗(yàn)（CRC）校驗(yàn)器，被配置為：對(duì)接收數(shù)據(jù)和包括接收CRC碼的CRC碼字進(jìn)行接收，從接收數(shù)據(jù)得出比較CRC碼，并且確定接收CRC碼和比較CRC碼是否相同；以及錯(cuò)誤位置估計(jì)數(shù)據(jù)采樣器，被配置為：當(dāng)接收CRC...

提供了對(duì)晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的方法和系統(tǒng)。該方法包括：向通過(guò)配方樣本訓(xùn)練的第一模型提供定義配方的配方數(shù)據(jù)；從第一模型獲得第一去除量；向通過(guò)配方樣本和晶片樣本訓(xùn)練的第二模型提供定義晶片的晶片數(shù)據(jù)和配方數(shù)據(jù)；從第二模型獲得第二去除量；以及基...

在此公開了多用戶識(shí)別模塊用戶設(shè)備和用于多用戶識(shí)別模塊用戶設(shè)備中的網(wǎng)絡(luò)注冊(cè)的方法，所述多用戶識(shí)別模塊用戶設(shè)備包括第一用戶識(shí)別模塊和至少一個(gè)第二用戶識(shí)別模塊，第一用戶識(shí)別模塊和所述至少一個(gè)第二用戶識(shí)別模塊連接到公共的網(wǎng)絡(luò)，并且所述方法包括：...