本申請公開MEMS諧振器及其制作方法，涉及微電子機械系統技術領域。該MEMS諧振器包括上電極組件、下電極層、氮化物層、上氧化物層和硅基層。上氧化物層覆蓋在硅基層的上表面。氮化物層覆蓋上氧化物層的上表面。下電極層沉積在氮化物層之上。上電極...

本申請涉及微機電系統技術領域，具體公開一種低溫漂縱向MEMS諧振器及其制造方法。該低溫漂縱向MEMS諧振器包括由上至下堆疊的上器件層、下器件層、絕緣層和基底層。縱向MEMS諧振器還包括熱量消散層，熱量消散層連接上器件層；熱量消散層的熱傳...

本申請公開一種低動態電阻的MEMS諧振器及其制備方法，涉及微機電系統技術領域。該低動態電阻的MEMS諧振器包括基礎層、下電極層和上電極層。下電極層包括多個相同的正方陣。每個正方陣包括相互隔開的連接組和獨立組。連接組包括相互連接的兩個連接...