提供一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法。封裝結(jié)構(gòu)包括形成在基板之上的第一晶粒、以及圍繞第一晶粒的第一封裝層。封裝結(jié)構(gòu)包括形成在第一晶粒和第一封裝層之上的蓋結(jié)構(gòu)、以及形成在第一晶粒和蓋結(jié)構(gòu)之間的第一熱界面材料(TIM)。第一熱界面材料包括液態(tài)金屬。...

一種集成電路裝置、只讀記憶體電路及其制造方法。集成電路(IC)裝置包括第一晶體管及第二晶體管，第一晶體管包括耦接至第一字元線且包括第一功函數(shù)組態(tài)的第一柵極、與第一柵極相鄰并耦接至位元線或參考線中的一者的第一類金屬界定(MD)區(qū)段、與第一...

本技術(shù)的實(shí)施例提供一種像素傳感器陣列包括排列成柵格且包括位于襯底中的多個(gè)光電二極管的多個(gè)像素傳感器、在側(cè)向上環(huán)繞所述多個(gè)光電二極管且位于所述襯底中的深溝渠隔離結(jié)構(gòu)、位于所述深溝渠隔離結(jié)構(gòu)上方且位于所述襯底上方的金屬柵格結(jié)構(gòu)以及位于所述金...

本技術(shù)的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在第一半導(dǎo)體襯底上方的第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)、嵌入在第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中并感測(cè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的溫度變化的多個(gè)熱傳感器以及設(shè)置在第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)上并電性耦合到第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的第一接合結(jié)構(gòu)。熱傳感器與第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的...

本公開提供一種半導(dǎo)體器件包括存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)包括晶體管結(jié)構(gòu)及存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。晶體管結(jié)構(gòu)的柵極電極在大致上垂直于半導(dǎo)體器件的襯底的表面的方向上延伸，這使得在存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的水平或橫向尺寸有最小的增加到不增加的情況下能夠增加?xùn)艠O長(zhǎng)度。通道...

本技術(shù)提供一種環(huán)境檢測(cè)裝置。在一項(xiàng)實(shí)施例中，所述環(huán)境檢測(cè)裝置包括：第一感測(cè)器件；第二感測(cè)器件，其與所述第一感測(cè)器件流體連通；及頻譜分析器，其電連接到所述第一感測(cè)器件及所述第二感測(cè)器件。所述第一感測(cè)器件包含經(jīng)配置以直接向流入所述第一感測(cè)器...

提供了半導(dǎo)體器件及其形成方法。半導(dǎo)體器件可以包括：第一源極/漏極區(qū)域；第一納米結(jié)構(gòu)，位于第一源極/漏極區(qū)域的第一側(cè)壁上；第一柵極結(jié)構(gòu)，位于第一納米結(jié)構(gòu)周圍；第一內(nèi)部間隔件，位于第一源極/漏極區(qū)域的第一側(cè)壁上；第二內(nèi)部間隔件，位于第一源極...

本申請(qǐng)的實(shí)施例公開了存儲(chǔ)器電路及其操作方法。存儲(chǔ)器電路包括：被配置為儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)位的第一存儲(chǔ)器單元；被配置為儲(chǔ)存第二數(shù)據(jù)位的第二存儲(chǔ)器單元；感測(cè)放大器，分別通過數(shù)據(jù)位線和參考位線耦合到第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元；第一開關(guān)；以及第二開...

形成半導(dǎo)體器件的方法包括：在襯底上方形成導(dǎo)電部件；在導(dǎo)電部件和襯底上方形成介電層；在介電層上方形成多晶材料的層，其中，多晶材料的第一小平面和多晶材料的第二小平面具有不同的晶格密度；選擇性吸附多晶材料的第一小平面上的材料的分子；以及在選擇...

方法包括：形成源極/漏極區(qū)域，在源極/漏極區(qū)域上方形成接觸蝕刻停止層，在接觸蝕刻停止層上方形成層間電介質(zhì)，在層間電介質(zhì)和接觸蝕刻停止層中形成第一接觸插塞，以及執(zhí)行蝕刻工藝以在層間電介質(zhì)和接觸蝕刻停止層中形成溝槽。源極/漏極區(qū)域和第一接觸...

本發(fā)明提供一種與液態(tài)化學(xué)品供應(yīng)系統(tǒng)相關(guān)的方法。該方法包括：接收儲(chǔ)存槽，其中保持液態(tài)化學(xué)品；將入口噴嘴附加到儲(chǔ)存槽，入口噴嘴包括：其中界定第一開口，第一開口與儲(chǔ)存槽內(nèi)部流體連通；其中界定第二開口，第二開口與儲(chǔ)存槽內(nèi)部氣體連通；其中界定第三...

本公開實(shí)施例提供了方法，方法包括：提供襯底；在襯底上形成有源區(qū)域，其中，有源區(qū)域包括交替堆疊的多個(gè)第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層；在有源區(qū)域上形成柵極介電層；在頂部FET和底部FET的柵極介電層上形成圖案化的第一偶極材料M；以第一溫度T1對(duì)...

形成半導(dǎo)體器件的方法包括：在互連結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電部件的表面上形成自對(duì)準(zhǔn)材料(SAM)，其中互連結(jié)構(gòu)形成在包括晶體管的器件層的第一側(cè)，其中導(dǎo)電部件嵌入互連結(jié)構(gòu)的遠(yuǎn)離器件層的最外介電層中，并且導(dǎo)電部件的表面由最外介電層暴露；在形成SAM之后，在互...

本公開的實(shí)施例提供半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括第一源極/漏極區(qū)、與第一源極/漏極區(qū)相鄰設(shè)置的第二源極/漏極區(qū)、以及設(shè)置在第一源極/漏極區(qū)上方的接觸蝕刻停止層。第一源極/漏極區(qū)的頂面被接觸蝕刻停止層覆蓋。該結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置...

本公開的一些實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體封裝，包括中介層、設(shè)置在中介層上方且具有彼此相對(duì)的第一表面及第二表面的第一半導(dǎo)體晶片，及設(shè)置在第一半導(dǎo)體晶片上方且具有彼此相對(duì)的頂表面及底表面的第二半導(dǎo)體晶片。半導(dǎo)體封裝進(jìn)一步包括沿著第一半導(dǎo)體晶片的一側(cè)...

光子集成電路中的光調(diào)變器結(jié)構(gòu)包括在光調(diào)變器結(jié)構(gòu)的光學(xué)模式(例如，光調(diào)變器結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生光的區(qū)域)處的U形P?N結(jié)。相對(duì)于另一種類型的結(jié)(例如水平結(jié)或I形結(jié))，U形P?N結(jié)在光學(xué)模式下提供了增加的P?N結(jié)重疊面積。增加的重疊面積使得光調(diào)變器結(jié)...

提供了用于形成半導(dǎo)體器件的方法。方法包括在具有(110)晶體取向的襯底的頂面上方形成每個(gè)包括交替的溝道半導(dǎo)體部分和犧牲介電部分的多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)鰭結(jié)構(gòu)中的相鄰鰭結(jié)構(gòu)的每個(gè)的溝道半導(dǎo)體部分的側(cè)壁由源極/漏極溝槽暴露，其中，相鄰鰭結(jié)構(gòu)...

方法包括：接收第一器件組件；接收第二器件組件；以及接合第一器件組件和第二器件組件的半導(dǎo)體層堆疊件以形成第一堆疊結(jié)構(gòu)。第一器件組件包括設(shè)置在半導(dǎo)體層堆疊件和第一襯底之間的釋放層，并且第一堆疊結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在釋放層和第二器件組件之間的半導(dǎo)體層...

本公開的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括在襯底上形成堆疊件，圖案化堆疊件和襯底，以形成第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域，在第一有源區(qū)域和第二有源區(qū)域之間形成隔離結(jié)構(gòu)，在隔離結(jié)構(gòu)上沉積隔離結(jié)構(gòu)保護(hù)層，橫跨第一和第二有源區(qū)域形成偽柵極堆...

本申請(qǐng)的實(shí)施例公開了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。方法包括提供一種結(jié)構(gòu)。所述結(jié)構(gòu)包括底部溝道層的堆疊件、位于所述底部溝道層的堆疊件上方的頂部溝道層的堆疊件、夾在所述底部溝道層的堆疊件和所述頂部溝道層的堆疊件之間的隔離部件，以及包裹圍繞每個(gè)底部...