一種修正晶片圖形線的臨界尺寸偏差的方法，光掩膜由透明的具有兩個(gè)完全相反表面－一個(gè)背面和一個(gè)正面的透明的感光底層組成，感光底層上的正面具有吸收覆蓋層，感光底層上的圖形線通過(guò)去除吸收覆蓋層而形成。該方法包括：在與光掩膜相關(guān)聯(lián)的晶片曝光域測(cè)定...