本發明屬于半導體制造設備技術領域，尤其涉及一種嵌入式電極氮化鋁靜電卡盤及其制造方法；采用絲網印刷技術在氮化鋁生坯表面預置鎢漿電極圖案；將印刷好電極的氮化鋁生坯先進行排膠處理，然后在N2?H2混合氣氛中共燒；利用激光加工技術在靜電卡盤表面...

本發明公開了一種自修復氮化鋁復合靜電卡盤及其制備方法，屬于半導體制造設備技術領域。采用AlN?SiCw復合材料（SiC晶須含量5?8vol%）為基體，表面滲透含硼玻璃相（B2O3?SiO2，軟化點850℃）修復層，內部設置16個獨立控溫...

本發明屬于半導體制造設備技術領域，尤其涉及一種梯度孔隙氮化鋁靜電卡盤及其制備方法，特別適用于5nm以下制程的刻蝕設備中對12英寸晶圓的高效、穩定吸附及處理。包括氮化鋁基體；氮化鋁基體具有梯度分布的孔隙結構，從表面到內部依次分為表面層、過...