本發明涉及一種輻射劑量測量裝置，具體涉及一種基于銫銅碘單晶閃爍體的輻射劑量測量裝置。解決了常用γ輻射劑量技術存在裝置復雜、技術要求高、不適于常規劑量測量、無法實時給出測量結果以及測量結果易受氣壓、溫度、濕度等環境影響的技術問題。本發明輻...

本申請公開了一種放射性掃描裝置，該放射性掃描裝置包括基座、掃描支架、第一致動組件和至少一個掃描組件；掃描支架能滑動地連接于基座；第一致動組件安裝于基座并與掃描支架傳動連接；掃描組件包括掃描頭和第二致動組件；掃描頭位于掃描支架的背離基座的...

本申請涉及防輻射技術領域，特別涉及一種防污染工作站入口清洗裝置，包括門體，所述門體上設有進水管；升降機構，所述升降機構安裝在所述門體的一側；水槽，所述水槽安裝在所述升降機構的升降活動端，所述水槽內部設置支撐板，所述支撐板上布滿通孔，所述...

本發明具體涉及一種基于改進YOLOv8s與色度?亮度協同驗證的彈孔檢測及分割方法，包括：獲取彈孔圖像數據并進行預處理，生成訓練集和測試集；構建預訓練的改進YOLOv8s彈孔檢測網絡，使用訓練集訓練彈孔檢測網絡；將測試集輸入至訓練好的改進...

本發明涉及一種條紋相機信號處理方法，具體涉及一種條紋相機信號復原方法，解決現有技術難以實現單像素采樣間隔獲得高時間分辨的條紋相機復原信號的技術問題。本發明方法包括以下步驟：1】確定條紋相機掃描響應函數r(k)；2】獲得條紋相機掃描響應矩...

本發明公開了一種倍寬線脈沖平頂振蕩改善結構及方法，解決了現有倍寬線存在由于內線、外線反射畸變不一致引起的脈沖平頂振蕩的問題；本發明倍寬線結構，包括一端封閉的倍寬線外筒，倍寬線外筒內依次同軸設置有內置磁芯的倍寬線中筒、倍寬線內筒，還包括內...

本發明提供了一種基于Weibull分布數據增強的閃絡預測方法及系統，用于解決現有基于數據增強的閃絡預測方法易引入冗余信息導致模型泛化能力下降，或者會損失關鍵工況信息并削弱模型對正常狀態的識別能力，或者缺乏物理約束可能導致合成數據偏離實際...

本發明公開了表面具有三維微結構的陶瓷真空絕緣子及其制備方法，解決現有改性后的陶瓷絕緣子無法在高溫環境下使用，以及現有的真空沿面閃絡電壓提升方法面臨應用范圍有限、設備要求高、操作復雜等技術問題。該陶瓷真空絕緣子包括陶瓷真空絕緣子基體，以及...

本發明公開了批量化污染物中尺度大氣輸運模擬方法，解決現有的模擬方法計算效率較低，不適用于多個案例、多種工況快速精準評估的技術問題。該方法包括：準備模擬區域的中尺度氣象模擬數據及靜態地形數據；開展中尺度氣象場數值模擬；將同一污染物源項在不...

本發明涉及一種放電通道數目的計算方法，具體涉及一種氣體開關間隙放電通道數目的計算方法，解決現有氣體開關間隙放電通道數目的計算方法因考慮影響因素不全導致計算誤差較大的技術問題。該氣體開關間隙放電通道數目的計算方法，充分考慮了前期放電通道數...

本申請涉及防輻射技術領域，特別涉及一種防污染工作站通風裝置，包括箱體；風機，所述風機安裝在所述箱體中，所述風機的進風口外露在所述箱體的第一端面，所述風機的出風口外露在所述箱體的第二端面；升降驅動裝置，所述升降驅動裝置安裝在所述箱體內，所...

本發明公開了一種基于靜態氣體質譜的氦同位素豐度測量裝置及方法，解決現有測量裝置的測量結果存在偏差的技術問題。該測量裝置包括主管路、高溫純化裝置、低溫冷阱裝置、常溫純化裝置、質譜儀、真空規及分子泵組；其中第一閥門與第二閥門之間形成第一封閉...

本申請公開了一種數據傳輸方法及系統，涉及通信領域；其中，方法包括：在處于搶占總線狀態時，按照預設的第一頻率，采集接入總線的所有子節點傳輸數據的狀態數據，生成第一信息；基于所述第一信息和預設的總線負載，確定在數據采集后第一時長內上傳數據的...

本發明涉及一種脈沖功率初級脈沖產生組件，具體涉及一種雙疊式高電壓大儲能密度快放電Marx機芯，解決現有針對脈沖功率技術領域初級脈沖產生組件的“S形”發生器存在的結構松散、儲能密度低，“直列式”發生器存在的難以實現級聯觸發、絕緣與機械結構...

本發明公開了表面具有三級微納結構的真空絕緣子及其制備方法，主要解決現有技術對真空沿面閃絡的抑制效果不佳、真空沿面耐壓提升效果不明顯等技術問題。該真空絕緣子包括絕緣子基體，以及設置于絕緣子基體表面的三級微納結構；第一級結構為鋸齒狀結構，由...

本發明涉及真空絕緣子及其制備方法，具體涉及表面具有含氟納米凝膠的真空絕緣子及其制備方法，以解決現有技術中存在絕緣子的沿面耐壓性能難以滿足脈沖功率技術發展，或無法在高真空環境使用的不足之處。本發明具有含氟納米凝膠的真空絕緣子包括固態絕緣子...

為了解決現有絕緣子真空沿面閃絡電壓的提升方法存在應用范圍有限、操作復雜，且對設備要求較高等技術問題，本發明公開了一種表面具有立體微結構的真空絕緣子及其制備方法。該絕緣子包括絕緣子基體，以及由內至外依次包覆在絕緣子基體上的過渡層和立體微結...

本發明公開了一種氦同位素體積比濃度測量裝置及方法，主要解決現有技術存在檢測限較高、檢測成本高以及配置要求高等技術問題。該測量裝置包括主管路、高溫純化裝置、低溫冷阱裝置、常溫純化裝置、質譜儀、壓力規、第一真空規、第二真空規、第一分子泵組及...

本發明涉及一種脈沖功率的初級脈沖源，具體涉及一種高電壓低電感脈沖放電模塊，解決現有“單電容器模式”存在結構松散、儲能密度低、開關結構較為復雜、多通道放電穩定性不足，且在同等負載條件下受限于電容器充電閾值，使得單個放電單元輸出電壓峰值比較...

本發明具體涉及一種氣體開關的預電離間隙設計方法，能夠顯著提升開關主間隙放電性能，解決現有預電離間隙擊穿電壓和預電離回路儲能電容容值設計方法難以實現最大限度地減小預電離開關主間隙擊穿抖動，同時提升開關主間隙放電通道數目的技術問題。本發明氣...