本技術涉及加工治具技術領域，提供了一種用于雙面加工的翻轉治具，包括底框和噴淋頭固定件，底框設有相對設置的第一凸起和第二凸起，第一凸起設有第一通孔，第二凸起分別設有第二通孔，噴淋頭固定件設有轉軸，轉軸兩端分別穿設于第一通孔和第二通孔，以使...

本技術涉及包裝盒領域，提供一種半導體零件包裝盒，旨在解決傳統包裝盒適配性差、模具成本高及填料消耗大的問題。該包裝盒包括第一板和第二板，第一板上有保護壁圍合的中空置物部，安裝至少一個調節限位裝置；第二板上的壓塊能壓入中空置物部，且有與調節...

本技術涉及半導體零部件加工設備領域，尤其是一種半導體零部件用可調式清洗工裝，其包括放置層板、夾持機構及承重架，放置層板包括多個平行且同軸分布的層板，各層板可拆卸地安裝在承重架上，各層板上貫穿設置透水孔；夾持機構設置在各層板上，所述夾持機...

本技術涉及刀具工裝技術領域，尤其是一種銑刀輔助裝夾工裝，其包括同軸設置的銑刀位置調整機構、手柄本體及夾持部，手柄本體包括手持部、懸掛部及夾持座，夾持部包括多個夾持齒，夾持齒的一端與夾持座固定連接，另一端沿手柄本體軸向延伸，多個夾持齒周向...

本發明提供了一種基于深度學習的多傳感器協同晶圓位姿實時矯正方法，屬于半導體智能制造技術領域；本發明方法采用眼在手外模式的全局視覺與眼在手上模式的局部激光掃描相結合的異構感知架構，通過專門設計的雙流多模態注意力網絡，從紋理圖像和深度點云中...

本發明提供了一種基于背面微槽與梯度退火的碳化硅襯底處理方法及碳化硅襯底，通過非均勻分布的微槽結構、在微槽結構內進行填充或者進行注入形成改性層，以及多段非線性梯度退火工藝，深度釋放有害應力，并在微槽內主動誘導補償應力，產生與翹曲應力相反的...

本發明涉及微鉆削設備檢測技術領域，具體涉及一種基于多模態信息融合的微鉆頭斷針檢測方法，該方法首先構建了多模態時序數據集，通過非侵入式傳感器采集數據并標注了多工況和多狀態的標簽。采用多尺度重采樣技術對原始信號進行預處理和特征增強，生成多尺...

本發明提供了一種基于超臨界CO2的半導體碳化硅零部件的清洗方法及設備，通過預處理、預熱、納米顆粒注入、主清洗、污染物分離以及后處理，有效去除了半導體碳化硅零部件上的污染物，同時，對超臨界的廢液進行收集和分離，實現CO2的循環利用；超臨界...

本發明提供了一種基于自適應學習與多參數建模的噴淋盤清洗工藝優化方法，屬于基于深度學習的半導體加工技術領域；采集噴淋盤表面清洗過程中的工藝參數和噴淋盤表面圖像；構建清洗質量預測模型，以采集的數據作為輸入，輸出清洗潔凈度與殘留顆粒程度預測結...

本發明涉及功率半導體器件損傷預測技術領域，具體提供一種碳化硅材料高壓擊穿電弧三維重建與損傷預測方法，包括：步驟S1，采集碳化硅材料在高壓擊穿過程中電弧放電的時序數據和同步光譜數據，并進行預處理；步驟S2，采用時空卷積神經網絡對電弧演化過...

本發明涉及深度學習技術領域，具體涉及一種碳化硅部件應力分布監測與裂紋風險預測方法，實現了對碳化硅部件應力狀態的全面感知、風險區域的精準定位與裂紋故障的超前預警。通過多類傳感器同步采集多模態數據，并經由特征對齊實現跨模態時序同步；設計裂紋...

本發明提供了一種碳化硅部件等離子體轟擊能量分布檢測與壽命預測的方法，屬于基于深度學習的半導體加工技術領域；首先布設磁探針陣列以獲取局部電磁參數，并利用光學成像和光譜采集設備獲取等離子體發光特征；對獲取數據進行預處理，得到多源融合特征；設...

本發明屬于半導體加工技術領域。本發明提供了一種碳化硅分流盤后處理方法，包括以下步驟：S1.去脂清洗：采用表面活性劑溶液清洗碳化硅分流盤表面，溫度90?100℃，浸泡60?120min；S2.干法噴砂；S3.濕法噴砂；S4.第一超聲清洗；...

本發明涉及碳化硅加工技術領域，尤其是一種碳化硅盤狀零件開粗裝置及方法，裝置包括水平移動裝置、滑移平臺、可調式工裝及切割機構，切割機構包括線輪及切割線，切割線為金剛石線鋸，切割線的切割區域沿縱向設置，滑移平臺由水平移動裝置帶動并在水平面內...

本發明提供了一種基于多模態傳感器的碳化硅研磨裝置故障智能檢測方法，屬于深度學習的半導體加工監測技術領域；首先，采集碳化硅研磨過程中的工件接觸面應力數據、研磨區域溫度數據、研磨液電導率數據和研磨電機振動信號數據；然后，構建研磨裝置狀態特征...

本發明涉及半導體加工技術領域，提供了一種噴淋盤清洗設備，包括底座、清洗液箱、分流組件和固定組件，所述底座設有噴淋盤放置槽，所述固定組件用于將噴淋盤固定于噴淋盤放置槽，所述分流組件設于底座內腔且位于噴淋盤下方，所述分流組件設有多個通孔，所...

本發明提供了一種基于人工智能的自動采購系統及方法，該方法中通過對采購相關的多模態數據集進行預處理，構建基于多模態學習的自動采購模型；并使用訓練集對自動采購模型進行訓練，得到訓練完成的自動采購模型；通過驗證集對訓練完成的自動采購模型進行準...

本發明涉及半導體刻蝕機零部件加工技術領域，尤其是一種用于碳化硅電極微孔的復合加工方法，其包括對工件進行一次清洗及一次定位；對代加工孔進行水導激光粗加工，且加工完成的單孔直徑小于成型孔直徑；對工件進行二次清洗及二次定位；對待加工孔進行一次...