一種半導體結構及其形成方法，結構包括：襯底；漂移區，位于襯底上，且漂移區中摻雜有第一型離子；體區，位于漂移區側部的襯底上，體區與漂移區相接觸，且體區環繞漂移區，體區中摻雜有第二型離子，第一型離子與第二型離子的離子類型不同；反型層，間隔分...

一種測試結構及其形成方法、測試組、測試方法，測試結構包括多個測試單元，測試單元包括單個主有源區、位于主有源區上的柵極結構、以及分別位于柵極結構兩側的第一源漏摻雜區和第二源漏摻雜區，每個主有源區包括在第一方向上未被柵極結構覆蓋的延伸部，延...

本公開實施例提供一種離子注入方法、制造設備、設備、介質及程序產品，方法包括：獲取離子注入機臺執行晶圓的多次離子注入處理后，所述晶圓對應的多組電阻信息；其中，一組電阻信息對應晶圓的一次離子注入處理，且每次離子注入處理所對應的工藝參數一致，...

本發明公開了一種SONOS存儲器件及其形成方法，該SONOS存儲器件包括：襯底；所述襯底包括位于中部區域的第一襯底以及位于兩端的第二襯底；位于所述第一襯底上的ONO介質層以及柵極；位于所述第二襯底中的源極以及漏極；所述源極、所述漏極分別...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種版圖模糊匹配方法、裝置、設備及介質，其中方法包括：確定模板匹配圖形中的參考模板多邊形，并在版圖圖形中篩選出與參考模板多邊形相匹配的粗匹配候選區域；構建空間索引結構；其中，空間索引結構用于查找交疊候選區...

本申請涉及半導體工藝參數動態優化技術領域，提供了一種動態補償方法、制造方法、系統、裝置、設備及產品，該動態補償方法包括：實時獲取光刻工藝中的參數數據，參數數據包括整個光刻工藝過程中影響光刻精度的參數數據，如曝光劑量、溫度、光源光譜特性、...

本申請提供一種SRAM模型版圖自動生成方法、測試方法、系統及存儲介質，該SRAM模型版圖自動生成方法包括：獲取金屬氧化物半導體場效應晶體管器件的關鍵特征尺寸；基于該關鍵特征尺寸構建對應的電路仿真模型，并通過該電路仿真模型對該關鍵特征尺寸...

本發明提供一種測試結構及其測試方法，測試結構包括：基底，基底包括襯底，襯底包括多個有源區；多個測試柵極，位于有源區上，且位于同一有源區上的測試柵極之間具有沿第一方向的第二間距；多個源漏摻雜區，分別位于測試柵極兩側的有源區的襯底內；多個第...

本發明實施例提供一種光學鄰近修正模型的建立方法、系統、設備及存儲介質，方法包括：提供測試版圖，測試版圖上具有第一測試圖形；利用第一光學鄰近修正模型對第一測試圖形進行修正操作，生成第一測試圖形的掩模版圖形數據；獲取按照掩模版圖形數據，執行...

本發明提供一種掩模版的缺陷修復方法、裝置及終端，修復方法包括：獲取掩模版表面的光聲信號與熒光信號；光聲信號與熒光信號是在量子點溶液施加至掩模版表面，通過激發所述量子點溶液中的量子點時產生的；根據光聲信號與熒光信號，確定缺陷區域的缺陷信息...

本申請公開了一種基于多模態的室內定位方法及裝置，通過獲取觀測環境內的定位數據和監控數據；定位數據用于檢測觀測環境內的觀測對象；確定觀測環境的觀測場景信息；觀測場景信息表征對觀測環境的定位精度；基于觀測場景信息確定目標網絡的輸出結果屬性；...

本申請涉及半導體技術領域，公開了一種改良型硅控整流器的制備方法、改良型硅控整流器、半導體器件和集成電路。包括：提供P型基板；在P型基板上的第一注入區域沉積指定遷移率的半導體材料；其中，指定遷移率高于純硅的遷移率；在第一注入區域注入P型離...

本發明提供一種掩膜版缺陷原位修復方法，通過采用飛秒激光進行缺陷修復，吸收了飛秒激光的所有優勢。飛秒激光是一種以“飛秒”為時間單位的超短脈沖激光，其脈沖持續時間極短(飛秒量級)、峰值功率極高(最大可達拍瓦)。因此本發明的修復方法的修復精度...

本發明提供一種超純水制造系統及方法，包括原水箱、原水泵、殺菌燈、過濾器、反滲透裝置、純水箱、檢測裝置及PID控制器，其中，所述原水泵與所述原水箱的出水口連接；殺菌燈設置于所述原水泵的后級，過濾器設置于所述殺菌燈的后級，反滲透裝置設置于所...

本發明提供一種非陣列式環形振蕩器電路的版圖設計方法、系統、終端及介質，獲取定義的設計規格表，并基于該表構建設計框架，生成Ring?Oscillator版圖并進行自動仿真，將生成的Ring?Oscillator版圖自動連接到測試PAD上，...

本發明提供一種半導體電極清洗裝置，包括電極、清洗組件及動力單元；其中，清洗組件包括噴頭、連接管及儲液單元，且連接管連接儲液單元與噴頭，噴頭設置于電極的外圍且顯露電極，通過儲液單元向噴頭提供清洗電極的清洗液；動力單元與清洗組件連接，通過動...

一種水錘消除裝置，包括：緩沖管，緩沖管具有緩沖腔；設置于緩沖腔內的緩沖裝置，緩沖裝置包括：第一彈簧，與緩沖管固定連接；阻擋件，與第一彈簧固定連接；第二彈簧，分別與緩沖管和阻擋件的固定連接；阻擋件位于第一彈簧和第二彈簧之間。當水錘效應產生...

本技術提供一種防止氣體倒灌的管路結構及半導體制造設備，其中防止氣體倒灌的管路結構包括：至少一個的氣柜，所述氣柜具有出氣管路；主管路，所述出氣管路連接在所述主管路的一端上，所述主管路的另外一端與氣體消耗端連通；單向閥位于所述出氣管路上，所...

本申請實施例中提供一種半導體結構及其形成方法；所述半導體結構，包括：基底，包括電容區；第一介質層，覆蓋于所述電容區；電容第一凹槽，位于所述電容區的所述第一介質層中；第一電極層，填充于所述電容第一凹槽內；電容介質層，覆蓋于所述第一電極層上...

本申請提供一種光刻工藝優化方法、裝置、終端及介質，其中，光刻工藝優化方法，包括：構建掩膜圖形數據組、光源數據組和光刻膠數據組，并基于掩膜圖形數據組、光源數據組和光刻膠數據組隨機生成父代種群；父代種群包括多個父代個體；基于預設的迭代次數，...