本技術公開了一種雙柵射頻開關器件，涉及射頻開關技術領域。本技術包括SOI晶圓的襯底層、埋氧層以及器件層；器件層包括源端、漏端、體端一、體端二、柵端一、柵端二；源端和漏端分布于單個NMOS開關器件的兩邊；體端一、體端二、柵端一以及柵端二分...

本技術公開了一種用于射頻開關的電源自動檢測電路，涉及電源自動檢測電路技術領域。本技術檢測電路采用電源電壓直接供電，包括兩級反相器、PMOS管、電阻、第一NMOS管以及第二NMOS管：PMOS管的源端與電源電壓相連，PMOS管的柵端與漏端...

本申請涉及一種基于聲表面波的雙模聲波濾波器和濾波裝置，雙模聲波濾波器包括反射器，以及設置于反射器之間的多個IDT，各IDT沿聲表面波的傳播方向布置；每個IDT包括多個間距區間，且各間距區間均設置有沿聲表面波的傳播方向排列并依次首尾相連的...

本申請涉及一種DMS型濾波器和濾波裝置，DMS型濾波器包括反射柵，以及設置于反射柵之間的多個IDT，各IDT沿聲表面波的傳播方向布置；每個IDT包括多個間距區間，且各間距區間均設置有沿聲表面波的傳播方向排列并依次首尾相連的叉指；其中，每...

本發明公開了一種九端子芯片框架及封裝方法，涉及芯片設計技術領域，所述芯片框架包括：矩形框架本體，包括1.1mm×1.1mm尺寸或1.0mm×1.0mm尺寸；九個相互絕緣的端子，包括一個中心端子及八個環繞分布的邊緣端子；其中，所述端子按3...

本申請涉及一種叉指換能器、聲學諧振器及電子設備。該叉指換能器包括：第一匯流條和第二匯流條；及叉指電極，包括位于第一匯流條與第二匯流條之間的多個第一電極指和多個第二電極指，各個第一電極指與各個第二電極指一一對應的在第一方向上彼此相對布設；...