本發(fā)明公開(kāi)了一種應(yīng)用于行波管程控高壓電源的MOSFET開(kāi)關(guān)管隔離驅(qū)動(dòng)方法，將脈寬調(diào)制信號(hào)經(jīng)過(guò)處理后，送入超高壓隔離脈沖變壓器產(chǎn)生同幅、同頻、但相位相反的兩組觸發(fā)脈沖信號(hào)；每組觸發(fā)信號(hào)各自經(jīng)過(guò)推挽放大電路、瞬態(tài)抑制電路后，驅(qū)動(dòng)各自橋臂上的...

本發(fā)明適用于場(chǎng)景仿真技術(shù)領(lǐng)域，提供了基于輻射能量特性和光譜特性的紫外場(chǎng)景仿真方法，其特征在于，所述紫外場(chǎng)景仿真方法包括以下步驟：步驟A：創(chuàng)建目標(biāo)和背景的紅外場(chǎng)景仿真模型;步驟B：根據(jù)輻射能量特性和光譜特性，推算仿真的目標(biāo)和背景模型中每個(gè)...

本發(fā)明提出了一種自校驗(yàn)串行總線(xiàn)控制器和自校驗(yàn)串行總線(xiàn)實(shí)現(xiàn)方法。自校驗(yàn)串行總線(xiàn)控制器包括：時(shí)鐘產(chǎn)生模塊、串行總線(xiàn)自測(cè)試模塊、狀態(tài)線(xiàn)監(jiān)測(cè)模塊、串行總線(xiàn)設(shè)置和控制模塊、并行總線(xiàn)轉(zhuǎn)換接口、同步異步轉(zhuǎn)換模塊、串行地址FIFO緩存模塊、串行數(shù)據(jù)FI...

本發(fā)明公開(kāi)了一種使微波儀器電路板智能化的插件方法，其包括以下步驟：步驟一，分析確定智能插件，根據(jù)微波儀器電路板功能確定智能插件的構(gòu)成，智能插件包括功能單元的特征屬性值和板級(jí)功能函數(shù)；步驟二，構(gòu)建智能插件；步驟三，存儲(chǔ)智能插件，把構(gòu)建的智...

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于鋁合金表面選擇性制備功能涂層的方法，其包括以下步驟：S1、加工鋁合金腔體和鋁合金掩膜殼；S2、清洗所述鋁合金腔體和所述鋁合金掩膜殼；S3、將所述鋁合金腔體和所述鋁合金掩膜殼組合；S4、將所述鋁合金腔體和所述鋁合金掩膜...

本發(fā)明提供一種薄膜混合集成電路電鍍方法，首先是利用磁控真空濺射機(jī)將TaN-TiWu-Au復(fù)合薄膜依次沉積在微帶基片上，然后用光刻膠做掩膜，通過(guò)濕法刻蝕工藝刻蝕掉其中的金層和鈦鎢層并完整的保留下氮化鉭層，用以實(shí)現(xiàn)對(duì)局部孤島電路電鍍時(shí)的互聯(lián)...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種射頻測(cè)試電路的屏蔽結(jié)構(gòu)，包括有屏蔽盒，屏蔽盒由屏蔽蓋、屏蔽框、屏蔽板組成，電路板安裝在屏蔽框與屏蔽板之間，三者用螺釘緊密連接，屏蔽蓋與屏蔽框獨(dú)立連接，屏蔽框與屏蔽蓋、電路板之間通過(guò)條形彈性導(dǎo)電材料密封。本實(shí)用新型從電...

本發(fā)明涉及多模終端綜合測(cè)試儀的模式切換裝置，包括與待測(cè)試終端設(shè)備相連的高性能本振模塊，其輸入輸出端依次通過(guò)射頻通道模塊、AD/DA轉(zhuǎn)換器與全數(shù)字中頻處理模塊的輸入輸出端相連，全數(shù)字中頻處理模塊的輸入輸出端分別與TD-LTE系統(tǒng)模擬器、T...

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于FPGA的光纖圖像實(shí)時(shí)處理方法,通過(guò)對(duì)光纖圖像的實(shí)時(shí)處理，區(qū)分出屏幕中纖芯的位置區(qū)域，實(shí)施背景、包層、纖芯三者亮度值分析，針對(duì)當(dāng)前的數(shù)據(jù)處于背景、包層還是纖芯區(qū)域，然后實(shí)施不同算法對(duì)圖像處理，從而解決光纖包層圖像質(zhì)量...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種小數(shù)抽取電路及其所在的信號(hào)接收裝置，基于∑-Δ調(diào)制變換成形技術(shù)的小數(shù)抽取電路變換數(shù)據(jù)速率，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)重采樣，實(shí)現(xiàn)不同碼元速率的矢量調(diào)制信號(hào)的接收，提升接收機(jī)性能。本實(shí)用新型具體的工作碼元速率范圍為100Hz~100MH...

本發(fā)明提出一種高平坦度指標(biāo)寬帶大功率衰減器的制造方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中寬帶大功率衰減器的平坦度補(bǔ)償需要額外加工步驟、效率低、成本高的問(wèn)題。本發(fā)明的一種高平坦度指標(biāo)寬帶大功率衰減器的制造方法利用衰減器自身的電容效應(yīng)來(lái)提高平坦度指標(biāo)，不僅設(shè)...

本發(fā)明提出了一種支持并行測(cè)試的測(cè)試資源管理方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中多個(gè)測(cè)試程序同時(shí)訪(fǎng)問(wèn)同一測(cè)試儀器時(shí)造成測(cè)試儀器狀態(tài)紊亂的問(wèn)題。利用本發(fā)明的一種支持并行測(cè)試的測(cè)試資源管理方法，用戶(hù)可以簡(jiǎn)單的、快速的開(kāi)發(fā)出能夠有序且有效的訪(fǎng)問(wèn)測(cè)試儀器資源的...

本發(fā)明提供了一種小數(shù)分頻鎖相環(huán)電路及分頻比控制方法，以解決高速掃頻時(shí)小數(shù)分頻鎖相時(shí)間不能滿(mǎn)足需求的問(wèn)題。一種小數(shù)分頻鎖相環(huán)電路，包括：參考時(shí)鐘、鑒相器、環(huán)路積分器、壓控振蕩器、前置分頻器和Σ‐Δ小數(shù)分頻器；壓控振蕩器的輸出信號(hào)，一路直接...

本發(fā)明涉及一種鍍膜方法，特別涉及一種復(fù)雜結(jié)構(gòu)硬質(zhì)聚酰亞胺屏蔽腔體的表面金屬化方法。在部分應(yīng)用中，需要對(duì)聚酰亞銨屏蔽腔體表面進(jìn)行金屬化處理。而現(xiàn)有的化學(xué)鍍和電鍍方法均存在著諸多缺陷。本復(fù)雜結(jié)構(gòu)硬質(zhì)聚酰亞胺屏蔽腔體的表面金屬化方法利用磁控濺...

本發(fā)明公開(kāi)了一種矢量信號(hào)分析方法和裝置，采用固定采樣的A/D變換，將矢量調(diào)制信號(hào)數(shù)字化，再經(jīng)過(guò)基于∑-Δ調(diào)制變換成形技術(shù)的小數(shù)抽取模塊變換數(shù)據(jù)速率，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)重采樣，使得數(shù)據(jù)速率等于碼元速率與碼元點(diǎn)數(shù)的整數(shù)倍，再經(jīng)過(guò)FIR成形濾波以消除碼...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于機(jī)器視覺(jué)技術(shù)的煙支檢測(cè)器，包括有控制器，控制器內(nèi)包括工控板、接口板，接口板上包括有單片機(jī)，單片機(jī)的信號(hào)輸入端與編碼器信號(hào)采集電路的信號(hào)輸出端、包裝機(jī)控制系統(tǒng)通訊接口、工控板雙向連接，單片機(jī)信號(hào)輸出端連接有工業(yè)相機(jī)...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于模盒內(nèi)煙支空頭檢測(cè)的工業(yè)相機(jī)模塊，包括有殼體，殼體上蓋，殼體上設(shè)有一個(gè)透明窗，殼體與殼體上蓋密封安裝，殼體上插裝有一個(gè)電纜插座，電纜插座的一端深入至殼體中，電纜插座周?chē)c殼體密封，殼體中設(shè)有一個(gè)支架，支架上傾斜固...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于單片機(jī)的USB接口工業(yè)相機(jī)自動(dòng)上電控制裝置，包括有上位機(jī)、多個(gè)工業(yè)相機(jī)、單片機(jī)、電源控制芯片、USB插座、USB轉(zhuǎn)串口芯片，單片機(jī)的四個(gè)IO口分別控制連接一個(gè)電源控制芯片的電源控制管腳，四個(gè)電源控制芯片的輸入管腳...

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于模盒內(nèi)煙包缺支、反支檢測(cè)的工業(yè)相機(jī)模塊，包括有殼體，殼體上蓋，殼體上設(shè)有一個(gè)透明窗，殼體上插裝有一個(gè)電纜插座，電纜插座的一端深入至殼體中，電纜插座周?chē)c殼體密封，殼體中設(shè)有一個(gè)支架，支架的中部水平固定安裝有工業(yè)相...

本實(shí)用新型涉及一種可檢測(cè)多種顏色物體的成像檢測(cè)光源，包括可編程控制器，其信號(hào)輸出端通過(guò)繼電器K1分別與電位器R1、R2的輸入端相連，電位器R1的輸出端接白色發(fā)光二極管LED組，電位器R2的輸出端接藍(lán)色發(fā)光二極管LED組。本實(shí)用新型通過(guò)可...