本發明公開了一種原子級寬度可調的NiI2納米帶及其制備方法與應用。所述制備方法包括：提供直徑為1～2.7nm的單壁碳納米管，對其進行開口和純化，得到開口且純化后的單壁碳納米管；將包含開口且純化后的單壁碳納米管、NiI2粉體的混合物置于真...

本發明公開了一種用于生成準直圓艾里渦旋光束的超透鏡及光源系統，所述超透鏡包括襯底及位于襯底上的納米柱陣列，所述納米柱陣列包括多個納米柱，每個所述納米柱的中心的相位滿足：；為圓艾里光束相位，且；為渦旋相位，且為準直透鏡相位，且；其中，f為...

本發明公開了一種復合靶材、銥基合金催化劑及其制備方法、應用，所述復合靶材包括銥靶材和位于銥靶材上的組元金屬靶材，所述組元金屬靶材包括主體框架及與主體框架相連的若干棱，若干棱遠離主體框架的一端相連，相鄰兩個棱之間形成有鏤空區域，所述鏤空區...

本發明公開了一種制氧器件，其特征在于，所述制氧器件包括密封設置的膜電極和電解槽，所述膜電極包括離子交換膜和位于離子交換膜相對的兩表面的第一電極和第二電極，所述電解槽用于盛放電解液，所述第一電極與電解槽內的電解液相接觸，所述第二電極與外部...

本申請公開了一種基于低能量離子注入調控石墨烯納米帶結構的方法，包括：在基底表面制備本征石墨烯納米帶；將基底轉移至腔室內，在真空環境下，向本征石墨烯納米帶表面注入Ar離子，得到邊緣和/或內部具有缺陷的石墨烯納米帶。本申請能夠實現摻雜位點和...

本發明公開了一種可實現超高真空環境下二維材料堆垛角度精確控制的裝置及方法。該裝置包括超真空腔體一維直線傳送桿和可旋轉樣品架，可旋轉樣品架包括樣品臺和驅動組件，驅動組件與樣品臺傳動連接，并用于驅使樣品臺在一三維坐標系的x?y平面內繞三維坐...

本申請提供了一種基于吸收譜Urbach尾巴的半導體電場表征方法，該方法包括：獲取待測樣品的實際光譜，實際光譜為實際吸收譜或者實際表面光電壓譜；設定電場值，根據電場值擬合得到擬合光譜，擬合光譜為擬合吸收譜或者擬合表面光電壓譜，計算擬合光譜...

本申請公開了一種真空互聯系統中的磁懸浮位移裝置，包括承載臺；磁驅動單元包括多個電磁鐵呈環形陣列布置，多個電磁鐵分為若干組，每組包括徑向共線的兩個電磁鐵，電磁鐵磁極方向與徑向平行，且同組電磁鐵磁極方向相同；電流切換機構用于控制多個電磁鐵沿...

本發明提供了一種改性聚離子液體基固態電解質及其制備方法和二次電池。所述改性聚離子液體基固態電解質包括電解質鹽和改性聚離子液體，所述改性聚離子液體的主鏈為碳碳烷基鏈，側鏈為包括含有功能基團的季銨鹽陽離子基團和陰離子基團的酯類結構。本發明通...

本申請公開了一種真空互聯系統的對接式晶圓傳遞夾具，包括固定臂；一對活動臂對稱設置在固定臂兩端，每一活動臂的內端與固定臂的對應端鉸接，外端沿背離固定臂方向延伸，一對活動臂和固定臂配合圍設形成夾持空間，一對活動臂的外端之間形成開口；彈性單元...

本發明公開了一種碳納米管復合材料及其制備方法和應用。所述碳納米管復合材料包括作為中間層的吸能層，以及分別設置于吸能層兩側的抗沖擊層和降低凹陷層；所述吸能層包括多層層疊設置的碳納米管薄膜；所述抗沖擊層和降低凹陷層均包括UHMWPE纖維層、...

本發明公開了一種鈣鈦礦薄膜、其制備方法以及鈣鈦礦太陽能電池器件，所述鈣鈦礦薄膜，包括依次層疊設置的導電基底、空穴傳輸層、鈣鈦礦層，所述空穴傳輸層由層疊設置的第一SAM層和第二SAM層組成，所述第一SAM層設于所述導電基底上，所述第二SA...

本發明公開了一種Aβ斑塊特異響應型近紅外熒光探針及其制備方法與應用。本發明的近紅外熒光探針具有紅移的熒光發射，其在近紅外二區具有顯著熒光信號，并且該探針對Aβ斑塊表現出較高的特異性和靈敏度，可以在活體水平對阿爾茨海默癥進行早期、精準、高...

本發明公開了一種氣凝膠的熱加工方法及氣凝膠制品。所述熱加工方法包括：提供具有熱塑性的氣凝膠，確定其熔融溫度、熱分解溫度，將氣凝膠的待加工區域加熱至其熔融溫度以上且顯著低于其熱分解溫度，使氣凝膠熔融；在待加工區域熔融的狀態下，施加機械力進...

本發明公開了一種準直渦旋雙模態激光源系統，所述準直渦旋雙模態激光源系統包括激光器和超透鏡，超透鏡包括襯底及位于襯底上的納米柱陣列，超透鏡遠離納米柱陣列的一側表面集成于激光器的激光出射面上，納米柱陣列包括多個納米柱，每個納米柱的中心的相位...

本發明公開了一種用于生成準直艾里光束的超透鏡、光源系統及其集成方法，所述超透鏡包括襯底及位于襯底上的納米柱陣列，所述納米柱陣列包括多個納米柱，每個所述納米柱的中心的相位滿足：；其中，f為超透鏡的焦距，b1為艾里光束的衰減系數，λ為入射光...

本發明公開了一種半導體器件參數測試方法及結構，屬于半導體測試領域。測試方法包括：提供測試結構，測試結構包括二維電子氣溝道和多端測試圖形，二維電子氣溝道中臨近兩端的位置分別設置有測試支路，二維電子氣溝道兩端以及各測試支路分別與多端測試圖形...

本發明公開了一種Co9S8復合材料、其制備方法及其應用，所述Co9S8復合材料為核殼結構，所述Co9S8復合材料包括芯層以及包覆于芯層外的殼層，所述芯層為包括Co9S8，所述殼層為十二烷基硫酸鈉。本發明的Co9S8復合材料展現出優異的電...

本發明提供一種固態電解質膜及其制備方法、二次電池。所述固態電解質膜包括有機?無機復合膜和無機鹽電解質，其中，所述有機?無機復合膜包括有機相和無機相，所述無機鹽電解質位于所述有機相和無機相界面縫隙處。本發明提供的固態電解質膜既具有良好的導...

本發明公開了一種金屬內嵌碳納米管薄膜的制備方法及應用，所述制備方法包括以下步驟：提供碳納米管粉末，在碳納米管上形成開口缺陷；將具有開口缺陷的碳納米管粉末與金屬前驅體粉末混合于乙醇溶液中，得到前驅體漿料；對前驅體漿料進行干燥及還原，得到金...