本申請提供一種非射頻壓電聲學器件及耳機。非射頻壓電聲學器件包括：基底、絕緣層以及壓電功能層，通過將基底設置為低電阻材料，能夠有效降低非射頻壓電聲學器件在工作時的損耗。低電阻率的基底中具有大量的自由載流子，當壓電功能層中電場變化時，這些自...

本申請提供一種MEMS器件及其制備方法，涉及半導體器件技術領域。該MEMS器件，包括：基底層和設置在基底層上的功能層，基底層上設有貫通腔，功能層包括至少一層壓電層以及分別設置在壓電層兩側的電極層，功能層的部分區域與基底層固定連接、部分區...

本發明提供一種半導體器件，涉及半導體技術領域，包括硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上層疊有結構層，所述結構層對應所述空腔形成薄膜區，所述結構層對應所述薄膜區之外的所述硅基底形成打線區；所述打線區包括第一打線區和第二打線...

本申請提供一種MEMS器件、懸臂梁結構及其制備方法，涉及半導體技術領域。該懸臂梁結構包括：支撐座和懸臂梁，支撐座上設有第一貫通腔，第一貫通腔貫穿支撐座相對的兩個表面，懸臂梁的部分區域與支撐座的上表面貼合、另一部分區域懸浮于第一貫通腔的上...

本申請提供一種聲學器件及其制備方法，涉及聲學傳感器技術領域，方法包括：在襯底的背面通過BOSCH工藝制作出空腔，其中，BOSCH工藝在作用于釋放層之前停止，BOSCH工藝包括交替進行的刻蝕步驟和沉積步驟；以釋放層作為停止層，采用非BOS...

本申請提供一種振動頻率測試結構及測試方法，涉及半導體測試技術領域。該振動頻率測試結構包括：第一支撐體和設置在第一支撐體上的第一振動單元，第一支撐體與聲學芯片的第二支撐體完全相同，第一振動單元與聲學芯片的第二振動單元完全相同，第一支撐體上...

本申請提供一種懸臂梁式壓電MEMS器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。懸臂梁式壓電MEMS器件包括：限位結構，限位結構上設有第一空腔和第二空腔，第一空腔在第二空腔上的正投影的外輪廓位于第二空腔的側壁之內；懸臂梁，懸臂梁的一部分區域與限...

本申請提供一種半導體器件的制備方法，涉及半導體技術領域，包括襯底上依次形成層疊的基底膜層、第一介質膜層和調整層，圖形化調整層；圖形化的調整層上依次形成第二介質膜層和掩膜，通過掩膜刻蝕第二介質膜層至調整層；去除刻蝕區的調整層以露出第一介質...

本發明公開一種改善濕法腐蝕金屬工藝的方法，涉及半導體制造工藝技術領域，該方法包括：在襯底上形成待腐蝕膜層；在所述待腐蝕膜層上形成光刻膠掩模圖案，其中，所述光刻膠掩模圖案包括位于所述光刻膠掩模圖案邊緣的不完全改性光刻膠膜層；去除所述不完全...

本申請涉及MEMS器件技術領域，具體涉及一種壓電膜片結構及聲學器件，包括膜片本體；所述膜片本體為正多邊形結構；所述膜片本體上具有多條第一狹縫，所述正多邊形結構的外邊數量等于所述第一狹縫數量的兩倍；所述第一狹縫一端連接所述正多邊形結構的頂...

本申請提供一種壓電MEMS器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。該壓電MEMS器件，包括：第一振動層、設置在第一振動層上的電極層和第二振動層，電極層具有在預設方向上相對的第一電極表面和第二電極表面，以及連接第一電極表面和第二電極表面的電...

本發明提供一種半導體器件及其制備方法，涉及半導體技術領域，包括依次層疊的前置膜層、氧化層和表層金屬層，所述氧化層包括多個通過溝槽間隔的預設氧化區，所述表層金屬層包括與所述預設氧化區對應的預設金屬層，所述預設金屬層包裹所述預設氧化區。表層...

本申請提供一種掩膜版、MEMS聲學器件及其制備方法，涉及半導體加工技術領域。該掩膜版，包括：至少一個光刻區和包裹至少一個光刻區的非光刻區，光刻區和非光刻區中的一者透光、另一者不透光，光刻區上沿光刻區的長度方向交替劃分有寬區和窄區，寬區和...

本發明提供一種壓電器件，涉及半導體技術領域，包括：襯底以及層疊于所述襯底上的懸臂梁，所述襯底形成有空腔，所述懸臂梁劃分為位于所述襯底上的固定端和位于所述空腔上的自由端；所述懸臂梁包括層疊在所述襯底上的壓電層和至少一層第一金屬層，所述壓電...

本申請提供一種壓電結構及其制備方法，涉及半導體技術領域。壓電結構包括基底層、基底層上的至少兩層電極層，以及設置在相鄰的兩層電極層之間的壓電層，電極層和其上的壓電層之間設有保護層，保護層一個表面與電極層貼合、另一個表面與壓電層貼合；刻蝕壓...

本申請提供一種壓電結構、懸臂式麥克風及壓電結構的制備方法，涉及半導體技術領域。該壓電結構，包括：壓電復合疊層，壓電復合疊層的表面設有至少一組凹槽組，凹槽組包括至少兩個凹槽，至少兩個凹槽沿與第一方向相反的方向依次設置并連通；沿與第一方向相...

本申請提供一種MEMS壓電聲學器件及其制備方法，涉及半導體技術領域。該MEMS壓電聲學器件包括：基底層和設置在基底層上的至少兩個懸臂梁，相鄰的兩個懸臂梁之間具有間隙；還包括柔性連接層，柔性連接層位于間隙內和/或懸臂梁背離基底層的一側，柔...

本申請提供一種壓電堆棧結構及MEMS聲學器件，涉及半導體技術領域。該壓電堆棧結構包括：沿第一預設方向層疊設置的至少兩層電極層和設置在相鄰的兩層電極層之間的壓電層，壓電堆棧結構內設有狹縫，狹縫分別貫穿壓電堆棧結構在第一預設方向上相對的兩個...

本申請提供一種壓電堆棧結構的制備方法，涉及半導體技術領域。該壓電堆棧結構的制備方法，包括：壓電堆棧結構的制備方法，包括：提供基底結構，并在基底結構上沿第一預設方向形成復合膜層，其中，復合膜層包括沿第一預設方向層疊設置的至少兩層電極層和設...

本申請提供一種聲學結構及其制備方法，涉及聲學傳感器技術領域，方法包括：提供基底，基底的正面具有預設區域；在基底正面的預設區域內形成邊界定義層，邊界定義層用于定義聲學結構的空腔在預設區域內的邊界；在預設區域內形成層疊于邊界定義層上的壓電振...