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        成都纖聲科技有限公司專利技術

        成都纖聲科技有限公司共有38項專利

        • 本申請提供一種MEMS壓電器件及其制備方法,涉及半導體技術領域,包括:在襯底上至少依次層疊基底層、壓電層和表面層;刻蝕所述表面層使所述壓電層暴露,至少在所述壓電層的敏感區域保留所述表面層。通過在壓電層表面的敏感區域保留表面層,以對敏感區...
        • 本申請提供一種聲學壓電結構及其性能優化方法、壓電麥克風和電子設備,涉及聲學傳感器技術領域,壓電膜層包括同層分布的多個懸臂梁振膜,多個懸臂梁振膜均連接于支撐體,且至少兩個懸臂梁振膜的自由端之間形成有間隙。柔性連接部位于間隙處,且分別與形成...
        • 本申請提供一種壓電結構、壓電MEMS麥克風及壓電結構的制備方法,涉及半導體技術領域。該壓電結構包括:第一電極層和沿第一方向設置在第一電極層上的至少一組復合膜層,復合膜層包括壓電層和設置在壓電層遠離第一電極層的一側的第二電極層,最遠離第一...
        • 本申請提供一種壓電型微機電器件及其制備方法,涉及半導體技術領域,包括提供基層,并在基層上至少依次形成金屬電極層、壓電膜層和圖形化硬掩膜層,圖形化硬掩膜層部分覆蓋壓電膜層;干法刻蝕壓電膜層上圖形化硬掩膜層之外的區域,以在壓電膜層形成溝槽;...
        • 本申請提供一種壓電結構的制備方法,涉及半導體技術領域。該壓電結構的制備方法包括:提供基底結構,并在基底結構上形成第一壓電層;在第一壓電層上形成金屬層;在金屬層上形成第二壓電層;采用刻蝕氣體一次刻蝕第二壓電層、金屬層和第一壓電層,以形成貫...
        • 本申請提供一種壓電型微機電器件及其制備方法,涉及半導體技術領域,包括在基層上至少依次形成金屬電極層、壓電材料層和掩膜層,掩膜層部分覆蓋壓電材料層;金屬電極層采用與堿性溶液基本不反應的金屬材料;干法刻蝕壓電材料層上掩膜層之外的區域,在壓電...
        • 本發明提供一種壓電MEMS麥克風及其制備方法,涉及半導體技術領域,包括具有空腔的基層,以及層疊于基層的空腔之上的復合振動層,復合振動層具有至少一個縫隙,縫隙沿層疊方向設置;縫隙有多個時,多個縫隙沿垂直于層疊方向的水平方向位于同一平面內;...
        • 本發明提供一種聲學壓電結構及其制備方法,涉及聲學傳感技術領域,方法通過在加工第一電極引出孔的過程中,分多次刻蝕,減少了單次刻蝕的厚度,從而優化大厚度、難刻蝕壓電薄膜刻蝕過孔中所存在的光刻膠消耗過快的現象。并且在多次刻蝕中的每次刻蝕中均充...
        • 一種通孔刻蝕方法,涉及刻蝕工藝技術領域。該方法包括:提供第一器件,第一器件具有結構單元和標識單元;結構單元具有依次層疊的第一電極層、第一待刻蝕層和第一掩膜層,第一掩膜層上設有貫通的第一刻蝕窗口;標識單元具有依次層疊的第一標記層、第一薄膜...
        • 本申請提供一種壓電堆棧結構、微機電系統及壓電堆棧結構的制備方法,涉及半導體技術領域。該壓電堆棧結構層疊設置的至少三層電極層,相鄰的兩層電極層之間設有至少一層壓電層;壓電堆棧結構還包括至少一層修復層,修復層位于最遠離襯底層的電極層朝向襯底...
        • 本申請涉及聲學器件技術領域,具體公開了一種聲學功能芯片及麥克風,包括支撐基座與壓電膜片;壓電膜片的周緣固定連接在支撐基座上;壓電膜片上具有多條繞壓電膜片的幾何中心間隔布置的狹縫;每條狹縫包括連續設置的第一段狹縫和第二段狹縫;第一段狹縫從...
        • 本申請提供一種聲學壓電結構、聲學傳感器和電子設備,涉及聲學傳感技術領域,多個壓電膜層分別連接于支撐體,多個壓電膜層沿壓電膜層的厚度方向依次層疊,且相鄰兩個壓電膜層沿壓電膜層的厚度方向間隔排布,由此,使得多個壓電膜層能夠在縱向(也即壓電膜...
        • 本申請提供一種壓電結構,包括:基底和至少1個懸臂梁結構。懸臂梁結構包括懸空部分,懸空部分包括第一區域和第二區域,懸空部分靠近第一區域的一側和基底接觸,懸空部分的其他側和基底之間具有縫隙。沿著第二區域朝向第一區域的方向,第一區域具有和所述...
        • 本申請提供了一種耳機、電子設備和入耳檢測方法,其中,該方法包括:包括:殼體和第一功能芯片;該第一功能芯片包括收音單元和超聲換能單元,該收音單元用于采集外部聲音信號,該超聲換能單元用于進行入耳檢測;該第一功能芯片安裝在該殼體內;該殼體上設...
        • 本申請提供了一種壓電式麥克風、耳機和電子設備,其中,該壓電式麥克風包括:多個環繞設置的器件區域,每個該器件區域包括中心電極和邊緣電極;設置在相鄰兩個該器件區域之間的隔離槽;用于連接相鄰的第一器件區域的邊緣電極和第二器件區域的中心電極的互...
        • 本申請提供了一種微機電系統麥克風、耳機和電子設備,其中,該微機電系統麥克風包括:壓電層,該壓電層包括調節元素,該調節元素用于對該壓電層的晶格失配進行調節;設置在該壓電層的第一側的第一電極;設置在該壓電層的第二側的第二電極。側的第二電極。...
        • 本申請提供了一種麥克風封裝結構、耳機和電子設備,其中,該麥克風封裝結構包括:印刷電路板;安裝在該印刷電路板一側的專用集成芯片;蓋設在該專用集成芯片上的微機電系統麥克風;蓋設在該印刷電路板上的外殼,該專用集成芯片和該微機電系統麥克風在該外...
        • 本申請提供了一種MEMS芯片、耳機和電子設備,其中,該方法包括:包括:超聲換能單元和聲音處理單元;該超聲換能單元與該聲音處理單元并列設置;該聲音處理單元為懸臂梁結構和錨定結構,且該懸臂梁結構與該超聲換能單元間存在間隙;該錨定結構位于該懸...