本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N非射頻壓電聲學(xué)器件及耳機(jī)。非射頻壓電聲學(xué)器件包括：基底、絕緣層以及壓電功能層，通過將基底設(shè)置為低電阻材料，能夠有效降低非射頻壓電聲學(xué)器件在工作時(shí)的損耗。低電阻率的基底中具有大量的自由載流子，當(dāng)壓電功能層中電場(chǎng)變化時(shí)，這些自...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NMEMS器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該MEMS器件，包括：基底層和設(shè)置在基底層上的功能層，基底層上設(shè)有貫通腔，功能層包括至少一層壓電層以及分別設(shè)置在壓電層兩側(cè)的電極層，功能層的部分區(qū)域與基底層固定連接、部分區(qū)...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括硅基底，所述硅基底形成有空腔，所述硅基底和所述空腔上層疊有結(jié)構(gòu)層，所述結(jié)構(gòu)層對(duì)應(yīng)所述空腔形成薄膜區(qū)，所述結(jié)構(gòu)層對(duì)應(yīng)所述薄膜區(qū)之外的所述硅基底形成打線區(qū)；所述打線區(qū)包括第一打線區(qū)和第二打線...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NMEMS器件、懸臂梁結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該懸臂梁結(jié)構(gòu)包括：支撐座和懸臂梁，支撐座上設(shè)有第一貫通腔，第一貫通腔貫穿支撐座相對(duì)的兩個(gè)表面，懸臂梁的部分區(qū)域與支撐座的上表面貼合、另一部分區(qū)域懸浮于第一貫通腔的上...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N聲學(xué)器件及其制備方法，涉及聲學(xué)傳感器技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：在襯底的背面通過BOSCH工藝制作出空腔，其中，BOSCH工藝在作用于釋放層之前停止，BOSCH工藝包括交替進(jìn)行的刻蝕步驟和沉積步驟；以釋放層作為停止層，采用非BOS...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N振動(dòng)頻率測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法，涉及半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。該振動(dòng)頻率測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：第一支撐體和設(shè)置在第一支撐體上的第一振動(dòng)單元，第一支撐體與聲學(xué)芯片的第二支撐體完全相同，第一振動(dòng)單元與聲學(xué)芯片的第二振動(dòng)單元完全相同，第一支撐體上...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N懸臂梁式壓電MEMS器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。懸臂梁式壓電MEMS器件包括：限位結(jié)構(gòu)，限位結(jié)構(gòu)上設(shè)有第一空腔和第二空腔，第一空腔在第二空腔上的正投影的外輪廓位于第二空腔的側(cè)壁之內(nèi)；懸臂梁，懸臂梁的一部分區(qū)域與限...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件的制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括襯底上依次形成層疊的基底膜層、第一介質(zhì)膜層和調(diào)整層，圖形化調(diào)整層；圖形化的調(diào)整層上依次形成第二介質(zhì)膜層和掩膜，通過掩膜刻蝕第二介質(zhì)膜層至調(diào)整層；去除刻蝕區(qū)的調(diào)整層以露出第一介質(zhì)...

本發(fā)明公開一種改善濕法腐蝕金屬工藝的方法，涉及半導(dǎo)體制造工藝技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：在襯底上形成待腐蝕膜層；在所述待腐蝕膜層上形成光刻膠掩模圖案，其中，所述光刻膠掩模圖案包括位于所述光刻膠掩模圖案邊緣的不完全改性光刻膠膜層；去除所述不完全...

本申請(qǐng)涉及MEMS器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種壓電膜片結(jié)構(gòu)及聲學(xué)器件，包括膜片本體；所述膜片本體為正多邊形結(jié)構(gòu)；所述膜片本體上具有多條第一狹縫，所述正多邊形結(jié)構(gòu)的外邊數(shù)量等于所述第一狹縫數(shù)量的兩倍；所述第一狹縫一端連接所述正多邊形結(jié)構(gòu)的頂...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N壓電MEMS器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該壓電MEMS器件，包括：第一振動(dòng)層、設(shè)置在第一振動(dòng)層上的電極層和第二振動(dòng)層，電極層具有在預(yù)設(shè)方向上相對(duì)的第一電極表面和第二電極表面，以及連接第一電極表面和第二電極表面的電...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括依次層疊的前置膜層、氧化層和表層金屬層，所述氧化層包括多個(gè)通過溝槽間隔的預(yù)設(shè)氧化區(qū)，所述表層金屬層包括與所述預(yù)設(shè)氧化區(qū)對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)金屬層，所述預(yù)設(shè)金屬層包裹所述預(yù)設(shè)氧化區(qū)。表層...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N掩膜版、MEMS聲學(xué)器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域。該掩膜版，包括：至少一個(gè)光刻區(qū)和包裹至少一個(gè)光刻區(qū)的非光刻區(qū)，光刻區(qū)和非光刻區(qū)中的一者透光、另一者不透光，光刻區(qū)上沿光刻區(qū)的長(zhǎng)度方向交替劃分有寬區(qū)和窄區(qū)，寬區(qū)和...

本發(fā)明提供一種壓電器件，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括：襯底以及層疊于所述襯底上的懸臂梁，所述襯底形成有空腔，所述懸臂梁劃分為位于所述襯底上的固定端和位于所述空腔上的自由端；所述懸臂梁包括層疊在所述襯底上的壓電層和至少一層第一金屬層，所述壓電...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N壓電結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。壓電結(jié)構(gòu)包括基底層、基底層上的至少兩層電極層，以及設(shè)置在相鄰的兩層電極層之間的壓電層，電極層和其上的壓電層之間設(shè)有保護(hù)層，保護(hù)層一個(gè)表面與電極層貼合、另一個(gè)表面與壓電層貼合；刻蝕壓...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N壓電結(jié)構(gòu)、懸臂式麥克風(fēng)及壓電結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該壓電結(jié)構(gòu)，包括：壓電復(fù)合疊層，壓電復(fù)合疊層的表面設(shè)有至少一組凹槽組，凹槽組包括至少兩個(gè)凹槽，至少兩個(gè)凹槽沿與第一方向相反的方向依次設(shè)置并連通；沿與第一方向相...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NMEMS壓電聲學(xué)器件及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該MEMS壓電聲學(xué)器件包括：基底層和設(shè)置在基底層上的至少兩個(gè)懸臂梁，相鄰的兩個(gè)懸臂梁之間具有間隙；還包括柔性連接層，柔性連接層位于間隙內(nèi)和/或懸臂梁背離基底層的一側(cè)，柔...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N壓電堆棧結(jié)構(gòu)及MEMS聲學(xué)器件，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該壓電堆棧結(jié)構(gòu)包括：沿第一預(yù)設(shè)方向?qū)盈B設(shè)置的至少兩層電極層和設(shè)置在相鄰的兩層電極層之間的壓電層，壓電堆棧結(jié)構(gòu)內(nèi)設(shè)有狹縫，狹縫分別貫穿壓電堆棧結(jié)構(gòu)在第一預(yù)設(shè)方向上相對(duì)的兩個(gè)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N壓電堆棧結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該壓電堆棧結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：壓電堆棧結(jié)構(gòu)的制備方法，包括：提供基底結(jié)構(gòu)，并在基底結(jié)構(gòu)上沿第一預(yù)設(shè)方向形成復(fù)合膜層，其中，復(fù)合膜層包括沿第一預(yù)設(shè)方向?qū)盈B設(shè)置的至少兩層電極層和設(shè)...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N聲學(xué)結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及聲學(xué)傳感器技術(shù)領(lǐng)域，方法包括：提供基底，基底的正面具有預(yù)設(shè)區(qū)域；在基底正面的預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)形成邊界定義層，邊界定義層用于定義聲學(xué)結(jié)構(gòu)的空腔在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的邊界；在預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)形成層疊于邊界定義層上的壓電振...