本技術(shù)實(shí)施例公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包括基板、芯片和/或器件、引腳、塑封體以及若干凸臺(tái)。芯片和/或器件位于基板的第一表面，引腳的一端電連接基板的第一表面的部分以及芯片和/或器件，引腳的另一端連接電路板，塑封體包裹基板的第一表面未被...

本技術(shù)實(shí)施例公開了一種功率模塊封裝結(jié)構(gòu)，包括基板以及功率單元。其中，功率單元包括依次相疊的第一金屬結(jié)構(gòu)、功率器件和第二金屬結(jié)構(gòu)，第二金屬結(jié)構(gòu)包括銅層，功率單元通過第一金屬結(jié)構(gòu)與基板電連接，功率單元通過第二金屬結(jié)構(gòu)的銅層與外部電路板電連接...

本申請(qǐng)公開一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：DBC基板，具有相對(duì)的第一表面和第二表面；功率器件，位于DBC基板的第二表面；塑封體，包覆DBC基板和功率器件，塑封體包括相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，以及相對(duì)的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，第一側(cè)邊與第三側(cè)邊相垂直；多...

本技術(shù)實(shí)施例公開了一種功率模塊，包括：第一基板、至少一個(gè)功率器件，功率器件位于第一基板的第一表面；塑封體包覆第一基板和功率器件，塑封體包括相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊以及相對(duì)的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，塑封體的第一側(cè)邊和第三側(cè)邊垂直，塑封體的第三...

本技術(shù)公開了一種空調(diào)室外機(jī)和空調(diào)器。該空調(diào)室外機(jī)包括：電路板；回液管，與儲(chǔ)液罐連接；散熱器，所述散熱器的一側(cè)固定安裝在所述儲(chǔ)液罐或所述回液管上，所述散熱器的另一側(cè)與所述電路板連接；所述電路板和所述儲(chǔ)液罐或所述回液管連接，所述儲(chǔ)液罐或所述...

本申請(qǐng)公開了一種像素驅(qū)動(dòng)電路以及由該像素電路組成的像素驅(qū)動(dòng)陣列，像素電路包括鎖存單元，接收行控制信號(hào)和列控制信號(hào)，并基于行控制信號(hào)對(duì)列控制信號(hào)鎖存以輸出第一控制信號(hào)；選通單元，與鎖存單元連接，基于接收的第一控制信號(hào)控制導(dǎo)通以輸出接收的驅(qū)...

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種MEMS微鏡和電磁式MEMS微鏡，該電磁式MEMS微鏡包括基板、環(huán)形承載部、反射鏡、線圈、x軸扭轉(zhuǎn)梁、y軸扭轉(zhuǎn)梁、壓阻反饋結(jié)構(gòu)、輸入端子以及輸出端子。具體地，基板上具有鏤空結(jié)構(gòu)，環(huán)形承載部轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置于鏤空結(jié)構(gòu)中，反射...

本技術(shù)實(shí)施例公開了一種功率模組，該功率模組包括第二基板、至少一個(gè)功率模塊以及限位結(jié)構(gòu)。其中，功率模塊包括第一基板、功率器件、塑封體、第一功率端、第二功率端以及信號(hào)端子，功率器件位于第一基板的第一表面，塑封體包覆第一基板和功率器件，第一功...

本申請(qǐng)公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：高側(cè)功率單元和低側(cè)功率單元，高側(cè)功率單元的第二端連接低側(cè)功率單元的第一端形成橋臂中點(diǎn)與橋臂中點(diǎn)引腳連接；高壓功率引腳連接高側(cè)功率單元的第一端；低壓功率引腳連接低側(cè)功率單元的第二端；高側(cè)功率單元信號(hào)引腳控制...

本技術(shù)實(shí)施例公開了一種功率模組，該功率模組包括第二基板、至少兩個(gè)功率模塊以及限位結(jié)構(gòu)。其中，功率模塊包括第一基板、功率器件、塑封體、第一功率端、第二功率端以及信號(hào)端子，塑封體包覆第一基板和功率器件，第一功率端、第二功率端和信號(hào)端子與功率...

本技術(shù)實(shí)施例公開了一種功率模組，該功率模組包括第二基板、至少一個(gè)功率模塊以及限位結(jié)構(gòu)。其中，功率模塊包括第一基板、功率器件、塑封體以及信號(hào)端子，功率器件位于基板的第一表面，塑封體包覆第一基板和功率器件，塑封體包括相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊...

本技術(shù)實(shí)施例公開了一種功率模組，該功率模組包括第二基板、至少一個(gè)功率模塊以及限位結(jié)構(gòu)。其中，功率模塊包括第一基板、功率器件、塑封體以及信號(hào)端子，功率器件位于基板的第一表面，塑封體包覆第一基板和功率器件，塑封體包括相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊...

本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種封裝結(jié)構(gòu)和使用該封裝結(jié)構(gòu)的功率模塊。功率模塊包括多個(gè)功率器件和封裝結(jié)構(gòu)。封裝結(jié)構(gòu)包括：底板、若干個(gè)封裝基板、殼體、至少一個(gè)擋板、密封層。封裝基板位于底板上。殼體位于底板上，殼體包裹封裝基板。擋板位于底板上，并且將所...

本技術(shù)提供了一種BCD器件，包括襯底、第一阱區(qū)、第一柵氧化層、至少一個(gè)歐姆接觸區(qū)、第一柵電極層及第一介質(zhì)層。所述第一阱區(qū)從所述襯底的頂面向下延伸，所述第一柵氧化層位于所述第一阱區(qū)中的歐姆接觸區(qū)以外的部分頂面上，所述第一介質(zhì)層位于所述第一...

本技術(shù)提供了一種BCD器件，包括襯底、第一阱區(qū)和第二阱區(qū)、至少一個(gè)歐姆接觸區(qū)、第一介質(zhì)層、第一柵氧化層及第一柵電極層。第一柵氧化層位于歐姆接觸區(qū)以外的依次連續(xù)覆蓋第一阱區(qū)的部分頂面、第一阱區(qū)與第二阱區(qū)之間的襯底及第二阱區(qū)的部分頂面，第一...

本申請(qǐng)公開一種功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)及驅(qū)動(dòng)電路，包括：引線框架，包括多個(gè)基島和多個(gè)管腳；高側(cè)晶體管、低側(cè)晶體管、高側(cè)驅(qū)動(dòng)單元和低側(cè)驅(qū)動(dòng)單元；塑封體，包括相對(duì)的第一側(cè)邊和第二側(cè)邊，以及相對(duì)的第三側(cè)邊和第四側(cè)邊，第一側(cè)邊和第二側(cè)邊沿塑封體的寬度...

本申請(qǐng)公開了脈沖鎖存觸發(fā)器及數(shù)據(jù)鎖存方法。所述脈沖鎖存觸發(fā)器包括：脈沖發(fā)生器，用于接收輸入數(shù)據(jù)、時(shí)鐘信號(hào)以及輸出數(shù)據(jù)，以及根據(jù)所述輸入數(shù)據(jù)、所述時(shí)鐘信號(hào)和所述輸出數(shù)據(jù)產(chǎn)生第一脈沖信號(hào)；以及鎖存器，用于根據(jù)所述第一脈沖信號(hào)翻轉(zhuǎn)所述輸出數(shù)據(jù)...

本申請(qǐng)公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：引線框架，包括主體、高壓引腳和多個(gè)低壓引腳，高壓引腳和多個(gè)低壓引腳分別位于引線框架的主體的兩側(cè)，高壓引腳同主體電連接，多個(gè)低壓引腳獨(dú)立于主體和高壓引腳；功率器件單元，位于主體上，高壓引腳和至少部分低壓引腳...

本申請(qǐng)公開了一種功率模組及其制造方法，包括功率單元，所述每個(gè)功率單元包括：上橋功率單元和下橋功率單元；功率端子，所述功率端子包括直流正端子、直流負(fù)端子和交流端子；印刷電路板，所述印刷電路板包括至少N層導(dǎo)電層，所述N≥4；功率端子，所述功...

本發(fā)明的低壓差線性穩(wěn)壓器，包括：第一功率晶體管的第一端和第二功率晶體管的第一端與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸入端連接，輸入端接收輸入電壓，第一功率晶體管的第二端和第二功率晶體管的第二端與低壓差線性穩(wěn)壓器的輸出端連接，輸出端提供輸出電壓；誤差放大...