本技術提供了一種BCD器件，包括襯底、外延層、超結VDMOS單元及若干平面晶體管單元，外延層位于襯底的第一表面，外延層內具有第一區域和至少一個第二區域，第二區域內具有第一中壓阱；超結VDMOS單元的部分組成結構位于第一區域內，超結VDM...

本申請公開了一種封裝結構，包括：底板；外殼，位于底板上；基板，位于底板上，基板上設置有集成電路，基板位于外殼中；包封體，包封體填充在外殼中，并至少包覆基板及基板上的集成電路，基板的背面從包封體的下表面露出并經互聯層連接底板；外殼，位于底...

本申請公開一種用于功率模塊的端子結構及功率模塊，端子結構包括至少兩個堆疊的母排，每個母排包括：主體，主體具有相對的第一側邊和第二側邊；連接腳，位于主體的第一側邊，連接腳的一端與主體相連，連接腳的另一端與功率模塊的功率單元電連接；引出部，...

本申請公開了一種散熱器及功率模塊，該散熱器包括底板，底板具有相對的第一表面和第二表面，第二表面與功率模塊相連；散熱結構，散熱結構凸出于底板的第一表面，散熱結構包括多個陣列排布的散熱柱；第一擋板，位于底板的第一表面并設置于散熱結構相對的第...

本申請公開了一種光耦合封裝結構，該光耦合封裝結構包括：承載基島，設置有受光芯片、發光芯片；第一輸出基島，設置有第一功率芯片；第二輸出基島，設置有第二功率芯片；第一輸出管腳和第二輸出管腳，分別與第一輸出基島和第二輸出基島相連；第一輸入基島...

本申請公開一種封裝結構，包括：整流單元；功率因數校正單元；功率單元，包括低側驅動芯片、高側驅動芯片、低側驅動芯片驅動的若干低側晶體管、高側驅動芯片驅動的若干高側晶體管；引線框架，具有多個管腳；塑封體，包覆引線框架、整流單元、功率因數校正...

本技術公開了一種用于以太網供電控制電路的封裝結構及受電設備。該封裝結構包括：引線框架，包括基島和多個引腳；開關電源控制器、功率開關管以及受電設備控制器放置于基島上；塑封體，包覆開關電源控制器、功率開關管、受電設備控制器以及基島，其中，開...

本發明公開了一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法，器件包括若干元胞，元胞包括：基底、漂移區位于述基底中、N個體區、源區、漏區，源區和體接觸區，N個體區從漂移區表面延伸至漂移區內并位于元胞的中間區域，N為大于或等于2的正整數，第一...

本技術公開了一種開關電源控制器和開關電源轉換器。包括開關控制電路、驅動電路、啟動控制電路和延時電路。啟動控制電路用于對直流輸入電壓進行采樣以得到以第二參考地為基準的第一采樣信號，并將第一采樣信號轉換為以第一參考地為基準的第二采樣信號，以...

公開了一種交流負載驅動裝置和電氣設備，通過在三相整流橋的輸入端和中間電壓節點之間設置分壓電路，并在中間電壓節點和三相整流電路的兩個輸出端之間分別連接兩個電容，分壓電路控制不同輸出端與中間電壓節點之間的通斷，從而維持兩個電容的電壓平衡，進...

本申請公開了一種光耦合封裝結構，該光耦合封裝結構包括：承載基島，設置有受光芯片、發光芯片；第一輸出基島，設置有第一功率芯片；第二輸出基島，設置有第二功率芯片；第一輸出管腳，與第一輸出基島相連；第二輸出管腳，與第二輸出基島相連；第一輸入基...

本申請公開一種功率模塊的封裝結構，包括：第一功率單元和第二功率單元；該封裝結構具有多個基島和多個管腳的引線框架；多個低側晶體管、多個高側晶體管、多個低側驅動芯片以及多個高側驅動芯片，安裝在引線框架的對應基島上，連接以組成多個功率單元；塑...

本申請實施例公開了一種驅動電路和汽車點火系統，驅動電路包括驅動電路輸入端，驅動電路輸入端接收點火信號，點火信號為驅動電路的內部單元供電，點火信號控制功率器件的第一端，功率器件的第一端為功率器件的控制端。本申請的點火信號不僅用于驅動功率器...

本申請公開一種功率模塊，包括：第一絕緣基板；第一布線層，第一布線層位于第一絕緣基板上；多個功率器件，多個功率器件位于對應的第一布線層上，每個功率器件均包括第一端、第二端和第三端，第二匯流部，第二匯流部包括主匯流部以及多個分支匯流部，多個...

本申請公開了一種合封結構，該封裝結構包括：絕緣基板；第一基島，位于絕緣基板第一表面，設置有IGBT和FRD1；第二基島，位于絕緣基板第一表面，設置有FRD2；多個管腳；塑封體，包覆第一基島、第二基島、IGBT、FRD1、FRD2和多個管...

本技術提供了一種功率模塊，包括塑封體及多個引腳，所述塑封體具有相對設置的頂面和底面以及相對設置的兩個側面，所述引腳從所述塑封體的側面引出，至少一組相鄰兩個所述引腳之間具有凹槽，所述凹槽未貫穿所述頂面和/或底面；在保證功率模塊整體尺寸不變...

本申請公開一種功率模塊，功率模塊包括：第一絕緣基板；第一布線層，第一布線層位于第一絕緣基板上；下橋功率器件組和下橋功率器件組的多個功率器件，多個功率器件位于第一布線層上，每個功率器件均包括第一端、第二端和第三端，本發明通過下橋功率器件組...

本申請公開了一種合封結構，包括：絕緣基板；第一基島，位于絕緣基板的第一表面，設置有IGBT和FRD1；第二基島，位于絕緣基板的第一表面，設置有FRD2；多個管腳；塑封體，包覆第一基島、第二基島、IGBT、FRD1、FRD2和多個管腳的部...

本申請公開一種功率模塊的封裝結構，包括：底板、位于底板上的第一功率單元和第二功率單元，第一功率單元包括第一基板以及位于第一基板上的第一三相全橋電路；第二功率單元包括三個第二基板以及第二三相全橋電路且每一相電路分別位于一個第二基板上；其中...

本公開提供了一種芯片及其修調控制電路、修調控制方法，修調控制電路包括：修調位產生單元，根據上電信號對修調模式控制信號鎖存以生成修調使能信號，并根據所述修調使能信號和計數使能信號對接收的修調時鐘信號計數，以及在每計數修調時鐘信號的一個周期...