本實用新型公開了一種單比特開關(guān)電容Sigma-Delta調(diào)制器，包括：第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、第四開關(guān)、第五開關(guān)、采樣電容、積分電容、分壓電容、運放、比較器和反相器。本實用新型增加了分壓電容，便可以使運放輸入端的壓差的絕對值有效降...

本實用新型提供一種基于SOI襯底的高壓金屬氧化物半導體管，基于SOI襯底片結(jié)合深溝槽的全介質(zhì)隔離技術(shù)，能夠徹底消除以往體硅電路中存在的寄生閂鎖效應。采用雙柵氧工藝流程制備的厚柵氧的高壓MOS管，可靠性好，開啟電壓得到提高。所述高壓MOS...

本發(fā)明提供一種帶寬可調(diào)的零相移RC低通濾波器，包括零相移RC低通濾波電路、頻率檢測環(huán)路、RC常數(shù)檢測環(huán)路以及加法和寄存器，其中所述零相移RC低通濾波電路接收輸入信號，輸出濾除時鐘噪聲信號的輸出信號；所述頻率檢測環(huán)路接收參考頻率和所述輸出...

本發(fā)明提供一種導航信息系統(tǒng)，所述結(jié)構(gòu)至少包括：視頻文件路徑存儲單元，用于記錄所述導航信息系統(tǒng)所映射的視頻文件路徑；視頻文件起始地址存儲單元，用于記錄所述導航信息系統(tǒng)映射的視頻文件起始地址；時間地址映射表存儲單元，用于記錄所述導航信息系統(tǒng)...

本發(fā)明提供了一種耗盡型功率半導體器件及其形成方法，所述器件包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底上的第一摻雜類型的外延層；形成于所述外延層內(nèi)的第二摻雜類型的阱區(qū)，所述第二摻雜類型與所述第一摻雜類型相反，所述阱區(qū)的表面具有第一摻雜類型的反型...

本實用新型公開了一種集成電路引腳開短路的測試裝置，包括：包括引腳測試模塊、測試機總線、控制單元以及上位機；所述引腳測試模塊與控制單元均連接在所述測試機總線上，所述上位機與控制單元相連；所述引腳測試模塊包括N個引腳測試通道，N為大于等于1...

本發(fā)明提供一種RC環(huán)形振蕩器，包括第一至第三級聯(lián)反相器、電阻、第一至第二等效電容；第一級聯(lián)反相器的輸入端和輸出端分別連接第一節(jié)點和第二節(jié)點；第二級聯(lián)反相器的輸入端和輸出端分別連接第二節(jié)點和第三節(jié)點；電阻兩端分別連接第一節(jié)點和第二節(jié)點；第...

本實用新型提供了一種鎖相環(huán)及其壓控振蕩電路，壓控振蕩電路包括：壓控振蕩器，在控制電壓控制下產(chǎn)生振蕩信號；電容陣列模塊，在電容狀態(tài)位信號控制下改變等效電容值，以切換振蕩信號的頻段；尾電流陣列模塊，在尾電流狀態(tài)位信號的控制下調(diào)節(jié)尾電流的強度...

本發(fā)明提供了一種變換器及其驅(qū)動方法及包含該變換器的功率因數(shù)校正裝置，所述變換器包括：電感，其第一端連接輸入信號的正端；第一開關(guān)管，其輸入端連接所述電感的第二端，其輸出端連接所述輸入信號的負端；二極管，其陰極連接所述輸入信號的正端；第二開...

本發(fā)明公開了一種用于檢測MCU電壓的檢測電路，所述MCU包括第一I/O端口和第二I/O端口、定時裝置、連接電源電壓VDD的電壓輸入端和接地端，其特征在于，所述檢測電路包括電容、電阻和鉗位模塊，所述鉗位模塊的一端連接所述第一I/O端口，所...

本發(fā)明公開了一種用于檢測MCU電壓的檢測電路，所述MCU包括第一I/O端口、第二I/O端口、定時裝置、被測電壓端口、連接電源電壓VDD的電壓輸入端和接地端，所述被測電壓端口的電壓跟隨電源電壓VDD，其特征在于，所述檢測電路包括電容、電阻...

本實用新型提供了一種鎖相環(huán)及其壓控振蕩器，所述壓控振蕩器包括：壓控振蕩器組合模塊，包含兩個或更多個子振蕩器以及選擇開關(guān)，各個子振蕩器具有不同的輸出信號頻段且相鄰的兩個頻段之間具有交疊；電壓控制裝置，由充電控制信號控制，將調(diào)諧電壓、窗口上...

本實用新型公開了一種涉及集成電路測試領(lǐng)域的等離子掃描驅(qū)動芯片測試裝置，包括主處理器、數(shù)字邏輯模塊、芯片供電模塊、多路選擇開關(guān)、功率管腳測試模塊和顯示終端，可用于進行PDP芯片的靜態(tài)電流測試、工作電流測試、串行移位器功能測試、高壓漏電流測...

一種用于測試智能功率模塊的測試裝置，包括：待測智能功率模塊包括2n路驅(qū)動電路和2n個功率開關(guān)器件，2n路驅(qū)動電路的輸入為2n個驅(qū)動信號；所述外圍功能模塊包括n個電阻；2n個功率開關(guān)器件兩兩分組，每組第一個功率開關(guān)器件的漏極接高電壓、第二...

本實用新型公開了一種MOSFET開關(guān)元件的電流采樣電路，所述開關(guān)元件的第一端和采樣模塊的第一輸入端相連，并作為電流輸入信號端，所述開關(guān)元件的第二端和采樣模塊的第二輸入端相連，并作為MOSFET開關(guān)元件電流輸出信號端，所述采樣模塊的輸出端...

本發(fā)明提供一種功率器件及其制造方法，通過在器件電流集中區(qū)域的局部調(diào)整，去除部分發(fā)射區(qū)第一類型區(qū)，使發(fā)射區(qū)第一類型區(qū)形成間隔分布，消除電子注入，防止發(fā)射區(qū)第一類型區(qū)、溝道區(qū)和外延層、集電區(qū)第二類型區(qū)構(gòu)成的PN結(jié)正向?qū)ǎ苊饬擞砂l(fā)射區(qū)第一...

本實用新型公開了一種MOSFET驅(qū)動電路：電平轉(zhuǎn)換模塊將低壓信號轉(zhuǎn)換為高壓信號；第一級驅(qū)動模塊接收高壓信號，各級驅(qū)動模塊依次串聯(lián)，第N級驅(qū)動模塊驅(qū)動開關(guān)模塊的柵端；每一級驅(qū)動模塊包括上驅(qū)動MOS管、下驅(qū)動MOS管和控制管，第N級驅(qū)動模塊...

本實用新型提供了一種射頻調(diào)制輸出電路，包括：第一混頻器，接收第一輸入信號和第一載波信號并對其進行混頻后產(chǎn)生第一射頻調(diào)制信號；第一放大電路，與所述第一混頻器相連，對所述第一射頻調(diào)制信號進行放大后產(chǎn)生第一放大信號；第二混頻器，接收第二輸入信...

一種集成電路通用輸入輸出參數(shù)自動測試裝置，該裝置包括主處理器模塊、數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換模塊和第一、第二多路選擇開關(guān)，主處理器分別控制第一、第二多路選擇開關(guān)選擇被測集成電路的一個輸入狀態(tài)的輸入/輸出管腳和輸出狀態(tài)的輸入/輸出管腳，以及發(fā)送測試數(shù)字...

本發(fā)明提出一種四通道的之型掃描方法，步驟如下：在只寫一邊的每個時鐘周期按0、1、2、3為一組，4、5、6、7為一組的諸如此等次序，向4個輸入通道分別連續(xù)輸入數(shù)據(jù)；按照三個約束條件，使每個時鐘周期輸入的4個數(shù)據(jù)重新排列分發(fā)至4個子塊及將4...