本發(fā)明公開了一種基于讀干擾感知的NAND塊健康度預(yù)測(cè)方法及系統(tǒng)，實(shí)時(shí)采集NAND閃存塊的讀干擾事件計(jì)數(shù)；并動(dòng)態(tài)觸發(fā)多維參數(shù)采集生成帶時(shí)間戳的多維參數(shù)數(shù)據(jù)；基于多維參數(shù)提取動(dòng)態(tài)變化率、分布熵值與增長(zhǎng)斜率特征，生成壓縮特征矩陣；將壓縮特征矩...

本發(fā)明公開了一種JTAG動(dòng)態(tài)密鑰燒錄方法，該方法包括以下步驟：1）采集主控芯片的物理特征，獲取設(shè)備唯一PUF校正值；2）對(duì)獲取的PUF校正值進(jìn)行加密，獲取與設(shè)備固件綁定的加密密鑰流；3）計(jì)算加密密鑰流的哈希值寫入SPI?NOR熔斷區(qū)，生...

本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)設(shè)備掉電保護(hù)方法及系統(tǒng)，該方法包括：每當(dāng)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)的用戶數(shù)據(jù)的總量增加到指定值時(shí)，對(duì)待保護(hù)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，生成數(shù)據(jù)快照；其中數(shù)據(jù)處理包括去重或壓縮；當(dāng)存儲(chǔ)設(shè)備異常掉電時(shí)，獲取最新的數(shù)據(jù)快照以及待保護(hù)數(shù)據(jù)的增量數(shù)據(jù)，...

本發(fā)明公開了一種通過智能控制晶振增加SSD可靠性的測(cè)試方法及系統(tǒng)，方法包括：獲取SSD在正常晶振條件下的基準(zhǔn)數(shù)據(jù)；設(shè)定測(cè)試參數(shù)，并發(fā)送控制指令，其中測(cè)試參數(shù)包括測(cè)試環(huán)境參數(shù)和測(cè)試工作參數(shù)；接收控制指令，進(jìn)行晶振的動(dòng)態(tài)控制與可靠性測(cè)試，并...

本發(fā)明公開一種閃存芯片的抽樣測(cè)試方法、設(shè)備及介質(zhì)，該方法包括：確定閃存芯片單位碼長(zhǎng)最大錯(cuò)誤比特?cái)?shù)和頁(yè)面最大誤碼率；將塊劃分為相同的若干個(gè)區(qū)域；對(duì)于所有塊的每一個(gè)區(qū)域，將單位碼長(zhǎng)錯(cuò)誤比特?cái)?shù)從大到小排序，選取前第一比例的單位碼長(zhǎng)錯(cuò)誤比特?cái)?shù)并...

本發(fā)明公開了一種SSD遠(yuǎn)程量產(chǎn)開卡與測(cè)試方法及系統(tǒng)，該方法包括：在遠(yuǎn)程服務(wù)器中部署遠(yuǎn)程開發(fā)環(huán)境并編譯生成SPI?NOR?FLASH最小驅(qū)動(dòng)單元的可執(zhí)行文件，所述可執(zhí)行文件用于實(shí)現(xiàn)對(duì)SPI?NOR?FLASH的擦寫讀；通過遠(yuǎn)程控制程序調(diào)試...

本發(fā)明公開了一種分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)的測(cè)試方法、設(shè)備與存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括以下步驟：1）從分布式存儲(chǔ)系統(tǒng)的歷史故障與運(yùn)行數(shù)據(jù)中提取故障特征、故障模式、系統(tǒng)配置、環(huán)境參數(shù)和故障影響信息，構(gòu)建故障知識(shí)圖譜和數(shù)據(jù)集；2）獲取給定的測(cè)試目標(biāo)，將測(cè)試目...

本技術(shù)公開了一種批量實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化開卡和NAND?Sorting的裝置及系統(tǒng)，包括：多個(gè)NAND?Sorting單元板，一個(gè)Sorting協(xié)議轉(zhuǎn)換載板，用于在正面固定設(shè)置所述多個(gè)NAND?Sorting單元板，Sorting協(xié)議轉(zhuǎn)換載板上，...

本發(fā)明公開了一種用于UFS命令的驗(yàn)證測(cè)試方法，該方法包括以下步驟：1）動(dòng)態(tài)生成UFS命令，其中，UFS命令為管理UFS設(shè)備的操作命令集；2）發(fā)送端對(duì)UFS命令加入CRC校驗(yàn)標(biāo)志位；3）在UFS命令中注入預(yù)定義的CRC錯(cuò)誤；4）設(shè)置時(shí)鐘頻...

本發(fā)明公開了一種基于AI技術(shù)的存儲(chǔ)器測(cè)試方法、設(shè)備與介質(zhì)，包括以下步驟：1)獲取待測(cè)試存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)解析數(shù)據(jù)和存儲(chǔ)器類型描述信息，生成用于表達(dá)測(cè)試目標(biāo)的測(cè)試意圖向量；2)以所述測(cè)試意圖向量為輸入，生成測(cè)試激勵(lì)序列；3)執(zhí)行所述測(cè)試激勵(lì)序列...

本發(fā)明公開了一種基于加密PSSD的權(quán)限共享操作的數(shù)據(jù)保密方法、設(shè)備與介質(zhì)，該方法包括以下步驟：1）對(duì)PSSD進(jìn)行權(quán)限分區(qū)；2）設(shè)定加密區(qū)域特征屬性；對(duì)每一個(gè)加密區(qū)設(shè)有一個(gè)屬性結(jié)構(gòu)L<subgt;ij</subgt;，該結(jié)構(gòu)內(nèi)...

本發(fā)明公開了一種多芯片堆疊結(jié)構(gòu)及制造方法，其特征在于：基板上設(shè)置至少兩層芯片，第一層設(shè)置至少一個(gè)第一芯片，第二層設(shè)置一個(gè)第二芯片；第一芯片四周設(shè)置第一芯片引線，第二芯片四周設(shè)置第二芯片引線；第二芯片從上方覆蓋所述第一芯片，且第二芯片部分...

本發(fā)明公開了一種DRAM芯片的測(cè)試系統(tǒng)及方法，包括：FPGA和LVDS組合模塊，用于對(duì)待測(cè)試DRAM芯片發(fā)出信號(hào)并接受DRAM芯片返回的信號(hào)，并控制DRAM芯片進(jìn)入不同工作狀態(tài)；電壓檢測(cè)ADC電路，用于獲取待測(cè)試DRAM芯片在不同工作狀...

本發(fā)明公開了一種增強(qiáng)HBM和DDR內(nèi)存穩(wěn)定性的系統(tǒng)和方法，將DDR內(nèi)存模塊連接超級(jí)電容模塊，實(shí)時(shí)獲取內(nèi)存電壓值、以及電容電壓值及電容量；超級(jí)電容在系統(tǒng)正常工作時(shí)由系統(tǒng)供電充電，當(dāng)檢測(cè)到電源異常事件時(shí)，由主電源對(duì)DDR內(nèi)存供電切換為超級(jí)電...

本發(fā)明公開了一種檢測(cè)固態(tài)硬盤電源質(zhì)量的測(cè)試方法及裝置，包括：第一類可編程電源芯片，對(duì)應(yīng)連接固態(tài)硬盤的主控芯片，在第一類可編程電源芯片上設(shè)置n個(gè)電壓傳感器和n個(gè)電流傳感器；以及，n個(gè)第二類可編程電源芯片，各第二類可編程電源芯片分別與n個(gè)N...

本發(fā)明公開了一種利用擦除時(shí)間測(cè)試閃存介質(zhì)溫區(qū)分布的方法和存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：在連續(xù)變溫的環(huán)境中，命令閃存介質(zhì)按照預(yù)設(shè)的周期擦除數(shù)據(jù)并采樣擦除時(shí)間，統(tǒng)計(jì)采樣區(qū)間內(nèi)的平均擦除時(shí)間，根據(jù)溫度變化趨勢(shì)取最大或最小擦除時(shí)間；根據(jù)所述平均擦除時(shí)間和最大...

本發(fā)明公開了一種ZNS固態(tài)硬盤溫度控制方法、系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于包括：Zone優(yōu)先級(jí)配置模塊，用于對(duì)各個(gè)Zone的業(yè)務(wù)優(yōu)先級(jí)進(jìn)行配置；業(yè)務(wù)狀態(tài)檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)當(dāng)前SSD有哪些業(yè)務(wù)正在進(jìn)行及各業(yè)務(wù)請(qǐng)求個(gè)數(shù)；溫度檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)當(dāng)...

本發(fā)明提供了一種基于ZNS的AI大模型存儲(chǔ)加速算法，通過定義基于ZNS的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)學(xué)習(xí)算法的存儲(chǔ)模式以及狀態(tài)機(jī)調(diào)度算法，基于ZNS的SSD單獨(dú)存儲(chǔ)每層的參數(shù)，降低了設(shè)備對(duì)于大容量?jī)?nèi)存存儲(chǔ)的需求，同時(shí)提升神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法學(xué)習(xí)過程中的參數(shù)導(dǎo)入性能...

本發(fā)明公開了一種針對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器進(jìn)行批量系統(tǒng)級(jí)測(cè)試的測(cè)試系統(tǒng)和方法，其特征在于，所述測(cè)試系統(tǒng)包括多個(gè)測(cè)試節(jié)點(diǎn)、網(wǎng)絡(luò)模塊、控制模塊、監(jiān)控模塊；所述方法包括確定待測(cè)嵌入式存儲(chǔ)器類型和數(shù)量，配置測(cè)試節(jié)點(diǎn)環(huán)境并裝載存儲(chǔ)器；配置并裝載完成后，控制...

本發(fā)明公開了一種批量檢測(cè)閃存芯片電信號(hào)參數(shù)異常的測(cè)試方法及裝置，包括閃存芯片測(cè)試架，用于對(duì)待測(cè)閃存芯片進(jìn)行上下料操作，外圍電路設(shè)置與待采集電信號(hào)參數(shù)對(duì)應(yīng)的引腳測(cè)試點(diǎn)；測(cè)試點(diǎn)選擇開關(guān)，用于選擇需要測(cè)試的電信號(hào)參數(shù)；電信號(hào)顯示模塊，設(shè)置為將...