本發(fā)明公開了一種用于eMMC存儲設(shè)備的數(shù)據(jù)加密方法與裝置，該方法包括以下步驟：1）根據(jù)鑒權(quán)模塊首次設(shè)置的設(shè)備解鎖信息和硬件設(shè)備唯一ID序列號，獲取加密特征；2）將加密特征由SOC處理融合，獲得加密密鑰key的特征矩陣；3）SOC芯片將特...

本發(fā)明公開了一種優(yōu)化的存儲器量產(chǎn)RDT測試方法及存儲介質(zhì)，其特征在于先執(zhí)行RAM測試，之后再執(zhí)行掃描Flash壞塊操作。RAM測試包括基于RAM類型，對存儲介質(zhì)內(nèi)部的數(shù)據(jù)拷貝和比對，以及存儲介質(zhì)之間的數(shù)據(jù)拷貝和對比。以改善現(xiàn)有RDT測試...

本發(fā)明公開了一種基于查找閃存弱頁及分布類型的閃存快速測試方法，包括以下步驟：1）讀取閃存指定Block的配置信息；2）在指定的Block內(nèi)在頁首、頁中及頁尾三個位置對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行讀取，在沒有擦寫條件下，記錄頁首、頁中、頁尾每個區(qū)域?qū)?yīng)的...

本發(fā)明公開了一種基于閃存弱頁的閃存芯片快速測試方法，包括以下步驟：1）通過閃存測試設(shè)備讀取閃存指定Block的信息，所述信息包括：Block的總頁數(shù)；2）在指定的Block內(nèi)查找該Block的閃存弱頁；3）根據(jù)查找的閃存弱頁，評估閃存芯...

本發(fā)明公開了一種基于linux的NVMe協(xié)議測試分析方法、裝置、設(shè)備與存儲介質(zhì)，該方法包括：1）設(shè)置注錯配置文件和分析配置文件；其中，分析配置文件用于配置是否開啟NVMe協(xié)議測試分析功能；注錯配置文件用于設(shè)置注錯類型和注錯數(shù)據(jù)指導(dǎo)NVM...

本發(fā)明公開了一種基于電磁平衡條件評估eMMC可靠性的讀寫測試裝置及方法，包括電磁平衡模塊、讀寫模塊和信號分析儀；將待測試的eMMC芯片與測試裝置的讀寫模塊相連；利用電磁平衡模塊為eMMC芯片提供穩(wěn)定的電磁平衡條件；借助讀寫模塊對eMMC...

本技術(shù)公開了一種用于固態(tài)硬盤量產(chǎn)測試上下料的工裝板及測試裝置，工裝板矩形板長邊方向上間隔設(shè)置多個開口槽，遠(yuǎn)離槽口的矩形板長邊以及長邊兩側(cè)矩形板短邊均形成向上延伸的豎向壁結(jié)構(gòu)；各開口槽底面設(shè)置多個沉孔或通孔，以定位和固定不同尺寸的固態(tài)硬盤...

本發(fā)明公開了一種智能自適應(yīng)溫度管理與安全保護(hù)系統(tǒng)及其控制方法,用于對固態(tài)硬盤進(jìn)行溫度監(jiān)控以及安全保護(hù)，包括智能溫度監(jiān)控與預(yù)警模塊、自適應(yīng)冷卻管理模塊、集成安全保護(hù)模塊、溫度傳感器、溫感電路、控制監(jiān)測單元、冷卻組件和備用電源。本發(fā)明在智能...

本發(fā)明提供了一種存儲器信號測試裝置及方法，通過將PC中PCIe槽位的引腳通過硬件設(shè)計在一塊轉(zhuǎn)接板上，分別對應(yīng)NVMe和SATA的電信號引腳和數(shù)據(jù)信號引腳，控制多路信號的時序與通斷測試，支撐單盤異常掉電測試；同時完善了不同主板型號對應(yīng)信號...

本發(fā)明提供了一種閃存芯片高速測試中數(shù)據(jù)處理的方法和裝置，通過統(tǒng)一下發(fā)上位機(jī)工單命令和接收測試結(jié)果，使用測試底板集中多個測試子板、中轉(zhuǎn)信號和測試數(shù)據(jù)，同時控制多個測試子板以提高測試效率；測試完畢直接輸出測試等級，并直接向芯片自動分揀系統(tǒng)發(fā)...

本發(fā)明提供了一種支持硬件數(shù)據(jù)銷毀的eMMC和硬件數(shù)據(jù)銷毀方法，通過eMMC的內(nèi)部邏輯模塊自行完成數(shù)據(jù)銷毀的判斷和執(zhí)行流程，實(shí)現(xiàn)了使eMMC脫離主機(jī)環(huán)境實(shí)現(xiàn)硬件數(shù)據(jù)銷毀的功能。本發(fā)明通過設(shè)計初期實(shí)現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)方式簡易，無需額外硬件投入，不受應(yīng)...

本發(fā)明公開了一種固態(tài)硬盤在讀寫命令失敗場景下的測試方法與裝置，包括：在量產(chǎn)流程執(zhí)行完成后，將壞塊表存儲在固態(tài)硬盤閃存顆粒上的物理地址；在固態(tài)硬盤測試模塊上安裝固態(tài)硬盤并執(zhí)行量產(chǎn)流程，執(zhí)行完成后將固態(tài)硬盤寫滿全盤后進(jìn)行掉電，取出閃存顆粒；...

本發(fā)明公開了一種基于固態(tài)硬盤溫度的監(jiān)控預(yù)警裝置、方法與存儲介質(zhì)，包括溫感電路、控制監(jiān)測單元和冷卻組件；其中，溫感電路，用于通過溫度傳感器測量固態(tài)硬盤的溫度，并根據(jù)控制監(jiān)測單元的控制指令觸發(fā)報警；控制監(jiān)測單元，用于持續(xù)監(jiān)測溫度傳感器的溫度...

本發(fā)明公開了一種eMMC批量測試上掉電的裝置與方法，包括集成板，其上并行設(shè)置有若干組配置相同的eMMC控制模塊，集成板上還設(shè)置有MCU控制單元以及串口交互單元，MCU控制單元與所有eMMC控制模塊分別連接，串口交互單元與MCU控制單元連...

本發(fā)明公開了一種存儲器數(shù)據(jù)保護(hù)方法與裝置，該方法包括：1)存儲介質(zhì)質(zhì)量檢測，根據(jù)存儲介質(zhì)類型獲取存儲介質(zhì)全周期壽命的擦寫次數(shù)，并按存儲介質(zhì)已擦寫次數(shù)設(shè)定等級閾值，判斷存儲器中存儲介質(zhì)質(zhì)量所屬等級；2)根據(jù)存儲介質(zhì)質(zhì)量檢測等級結(jié)果確定校驗(yàn)...

本發(fā)明公開了一種基于嵌入式平臺的存儲器量產(chǎn)裝置及量產(chǎn)方法，該裝置包括總控機(jī)以及若干量產(chǎn)治具；若干存儲器與若干量產(chǎn)治具一一連接，最后通過工業(yè)總線將若干量產(chǎn)治具與總控機(jī)相連接，通過總控機(jī)控制所有量產(chǎn)治具實(shí)現(xiàn)存儲器量產(chǎn)；每個量產(chǎn)治具均為一嵌入...

本發(fā)明提供了一種用于掉電自檢的電源模塊和掉電自檢方法，通過在

本發(fā)明公開了一種基于固態(tài)硬盤的軟件加密方法，包括以下步驟：對軟件開發(fā)商原始的軟件授權(quán)信息

本發(fā)明公開了一種固態(tài)硬盤的測試方法

本發(fā)明公開了一種基于自適應(yīng)學(xué)習(xí)的閃存電壓快速讀重試糾錯方法與裝置，包括收到來自主控端對閃存的當(dāng)前有效電壓值的糾錯請求后，進(jìn)行讀重試糾錯；將讀重試動態(tài)電壓表中第一行的電壓參數(shù)作為參考電壓參數(shù)，并使用參考電壓參數(shù)對當(dāng)前有效電壓值進(jìn)行第一次讀...