在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，提供一種干涉式光調(diào)制顯示裝置，在所述光調(diào)制顯示裝置上具有一觸摸屏。所述觸摸屏可具有一漫射材料，所述漫射材料可為所述觸摸屏的一部分。在某些實(shí)施例中，所述漫射材料可用于減小或最小化色移或可用于改變由顯示器反射的光的性...

本發(fā)明揭示各種用于對(duì)一顯示器進(jìn)行照明的裝置及方法。在一實(shí)施例中，例如，一種顯示裝置包括一透射式顯示器及一反射式顯示器，所述透射式顯示器經(jīng)配置以透過(guò)一背面進(jìn)行照明，且所述反射式顯示器經(jīng)配置以透過(guò)一正面進(jìn)行照明。相對(duì)于所述透射式顯示器的所述...

本文揭示用于測(cè)量例如干涉式調(diào)制器等鏡面反射裝置中的顏色和對(duì)比度的系統(tǒng)和方法。為了做出顏色和對(duì)比度確定，可利用對(duì)鏡面反射裝置的照明來(lái)在線測(cè)量從所述裝置反射的光。所述測(cè)量可包含測(cè)量從所述被測(cè)試的裝置以及從鏡面明亮和黑暗標(biāo)準(zhǔn)件反射的光的光譜。...

在一襯底上布置一可移動(dòng)元件陣列。每一元件均具有一空腔及一移動(dòng)穿過(guò)所述空腔的可移動(dòng)部件。所述元件的壓力阻力發(fā)生變化，從而允許以致動(dòng)信號(hào)的不同電平來(lái)操縱致動(dòng)信號(hào)來(lái)從而以不同的壓力阻力來(lái)激勵(lì)元件。

本發(fā)明揭示一種微機(jī)電系統(tǒng)裝置，其制作于其中形成有凹槽的經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上。下部電極沉積于所述襯底上并與正交的上部電極相隔空腔。所述上部電極配置成可移動(dòng)以調(diào)制反射光。半反射性層及透明材料形成于所述可移動(dòng)的上部電極上面。

通過(guò)在一犧牲層與一鏡層之間使用一蝕刻終止層來(lái)改良例如干涉式調(diào)制器等ＭＥＭＳ裝置的制作。所述蝕刻終止層可減輕對(duì)犧牲層及鏡層的不良過(guò)蝕刻。所述蝕刻終止層還可用作一障蔽層、緩沖層及／或模板層。

本發(fā)明提供一種用于產(chǎn)生ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ－ｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　　ｓｙｓｔｅｍｓ）裝置的先驅(qū)薄膜堆疊（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｆｉｌｍ　　ｓｔａｃｋ）。所述先驅(qū)薄膜堆疊包含：一載體基板、一形成于所述載體基板上的第一層、一形成于...

本發(fā)明揭示一種可分開(kāi)式調(diào)制器架構(gòu)。所述調(diào)制器具有一在一空腔上方懸掛于一撓性層上的反射鏡。所述撓性層還形成所述反射鏡的支撐件及支撐柱。一替代的可分開(kāi)式調(diào)制器架構(gòu)具有一懸掛于一空腔上方的反射鏡。所述調(diào)制器由支撐件及支撐柱來(lái)支撐。所述支撐柱包...

本發(fā)明揭示一種調(diào)制器，其具有一帶有一第一表面的透明襯底。至少一個(gè)干涉式調(diào)制器元件駐留于所述第一表面上。至少一個(gè)電連接至所述元件的薄膜電路組件駐留于所述表面上。當(dāng)多于一個(gè)干涉式元件駐留于所述第一表面上時(shí)，有至少一個(gè)薄膜電路組件對(duì)應(yīng)于駐留于...

本發(fā)明揭示一種根據(jù)特定的一組處理參數(shù)制成的干涉式調(diào)制器，其可具有一非零偏移電壓。已開(kāi)發(fā)出一種方法來(lái)用于修改所述處理參數(shù)，以將所述非零偏移電壓移至更接近于零。例如，所述方法可涉及：識(shí)別一組會(huì)形成干涉式調(diào)制器的一非零偏移電壓的用于制造干涉式...

本發(fā)明提供一種微機(jī)電系統(tǒng)（ＭＥＭＳ）裝置８００，其包括集成柱和可變形層８７０。在一些實(shí)施例中，所述柱與可變形層之間的變換部分大體上包括單一弓形或凸?fàn)畋砻妫宕颂峁C(jī)械上堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)。一些實(shí)施例提供一種用于制造ＭＥＭＳ裝置的方法，其包括使用...

本發(fā)明提供一種具有兩個(gè)觀看表面的干涉儀光調(diào)制裝置。在某些實(shí)施例中，所述裝置可同時(shí)產(chǎn)生兩個(gè)不同圖像，所述裝置的每一側(cè)上產(chǎn)生一個(gè)圖像。

可使用薄膜晶體管（ＴＦＴ）制造技術(shù)制造ＭＥＭＳ裝置（例如干涉式調(diào)制器）。在一實(shí)施例中，ＭＥＭＳ制造工藝包含鑒定ＴＦＴ生產(chǎn)線和安排ＭＥＭＳ裝置在所述ＴＦＴ生產(chǎn)線上的制造。在另一實(shí)施例中，在先前配置用于ＴＦＴ制造的生產(chǎn)線上至少部分地制造干涉...

在一個(gè)實(shí)施例中，本發(fā)明提供一種用于制作微機(jī)電系統(tǒng)裝置的方法。所述方法包含：制作第一層，所述第一層包含具有特征機(jī)電響應(yīng)和特征光學(xué)響應(yīng)的膜，其中所述特征光學(xué)響應(yīng)是需要的且所述特征機(jī)電響應(yīng)是不需要的；和通過(guò)至少減少在激活所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置期間...

本發(fā)明將光學(xué)過(guò)濾器功能性并入到一顯示元件的一襯底中，藉此減少對(duì)于一單獨(dú)的薄膜過(guò)濾器的需要，且相應(yīng)地減小一過(guò)濾顯示元件的一總厚度。例如，過(guò)濾器功能性可由例如顏料材料、光致發(fā)光材料和不透明材料的任何過(guò)濾材料提供。所述過(guò)濾材料可在形成所述襯底...

本發(fā)明提供一種鏡面干涉式調(diào)制器陣列，其經(jīng)配置以至少部分地可選擇地反射。由此，所述陣列形成具有在向用戶顯示信息的同時(shí)用作鏡面鏡的能力的鏡面表面。所顯示的信息可基于來(lái)自外部源的信息，可為可編程的，且可基于用戶輸入。

本發(fā)明的各種實(shí)施例涉及用于ＭＥＭＳ裝置的熱補(bǔ)償?shù)姆椒ê拖到y(tǒng)。在某些實(shí)施例中，干涉式調(diào)制器包括位于襯底上的第一電極和柔性第二電極。柔性第二電極是可包含鋁或含鋁材料的可移動(dòng)層，而所述襯底可包含玻璃。當(dāng)干涉式調(diào)制器經(jīng)受溫度變化時(shí)，熱膨脹速率的...

本發(fā)明揭示使用用于制造ＭＥＭＳ裝置１０８的相同過(guò)程步驟中的至少某些過(guò)程步驟生產(chǎn)的過(guò)程控制監(jiān)視器１００、１０２和１０４。過(guò)程控制監(jiān)視器１００、１０２和１０４的分析可提供有關(guān)ＭＥＭＳ裝置１０８和所述裝置中組件或子組件的性質(zhì)的信息。此信息可用...

本發(fā)明揭示使用用于制造ＭＥＭＳ裝置１０８的相同過(guò)程步驟中的至少某些過(guò)程步驟生產(chǎn)的過(guò)程控制監(jiān)視器１００、１０２和１０４。過(guò)程控制監(jiān)視器１００、１０２和１０４的分析可提供有關(guān)ＭＥＭＳ裝置１０８和所述裝置中組件或子組件的性質(zhì)的信息。此信息可用...

一個(gè)實(shí)施例提供一種測(cè)試濕度的方法，其包括：確定封圍多個(gè)干涉式調(diào)制器的裝置的性質(zhì)；和至少部分基于所述確定的性質(zhì)來(lái)確定所述裝置內(nèi)的相對(duì)濕度值或所述相對(duì)濕度的程度。在一個(gè)實(shí)施例中，所述裝置的所述性質(zhì)包含以下中的一者：ｉ）所述裝置的重量，ｉｉ）...