本申請實施例提供一種介質窗均溫散熱裝置、介質窗均溫散熱方法、刻蝕設備，涉及半導體制造技術領域，介質窗均溫散熱裝置包括風扇、風板、導電線圈和冷卻液進出接頭，風板位于風扇和介質窗之間且三者同軸布置，風板包括中心孔和位于中心孔四周的風板主體，...

本申請提供一種鰭式場效應晶體管及其形成方法，形成半導體結構；半導體結構包括位于襯底一側的多個鰭、保護層和光刻膠層；多個鰭包括偽鰭，光刻膠層具有溝槽；對溝槽進行測量得到第一尺寸和中心偏移量；根據第一尺寸、中心偏移量和目標區域的第二尺寸，確...

本申請公開了一種氮化鈦薄膜的制備方法及一種半導體器件，該方法中，首先，基于目標致密度以及目標電阻率，調節輔助離子源的能量以及惰性氣體與反應氣體的氣體流量比例；繼而，向濺射離子源通入惰性氣體，向輔助離子源通入反應氣體；而后，濺射離子源電離...

本申請公開了一種離子束沉積設備及合金薄膜沉積方法，涉及合金制備技術領域，首先根據預沉積的合金薄膜的厚度、合金薄膜中各合金元素的比例和各合金元素的沉積速率，計算得到各合金元素的濺射時間，繼而，控制第一離子源產生第一離子束，并控制第一載臺旋...

本申請提供一種半導體刻蝕設備及其控制方法，半導體刻蝕設備包括柵網和至少一個電磁線圈；柵網包括多個網孔，離子束可以通過柵網的網孔進行引出。電磁線圈圍繞至少一個網孔或多個網孔環繞電磁線圈，至少一個電磁線圈用于提供目標形狀和目標強度的磁場，以...

本申請提供一種半導體刻蝕設備及其控制方法，半導體刻蝕設備包括離子源腔。離子源腔設置有電磁鐵陣列結構，電磁鐵陣列結構包括多個電磁鐵單元以及支撐結構，多個電磁鐵單元設置于所述支撐結構上。電磁鐵陣列結構用于提供目標形狀和目標強度的磁場，以利用...

本申請公開了一種半導體結構的制備方法，涉及半導體工藝技術領域，包括：在襯底上形成介電膜層、硬掩膜層和光刻膠膜層；對光刻膠膜層進行第一次處理形成多個第一凹槽，相鄰第一凹槽在第一方向上的間距為第一次處理的最小尺寸；基于第一凹槽對光刻膠膜層和...

本申請提供一種圖形對準精度控制方法、刻蝕設備及存儲介質，方法包括：在待刻蝕結構的表面形成光刻膠，光刻膠包括實際曝光后的第一實際圖形。獲取光刻膠在理想曝光后的理想圖形，確定第一實際圖形的第一實際中心位置指向理想圖形的理想中心位置的第一偏差...

本申請提供一種介質窗控溫結構及介質窗控溫方法，介質窗控溫結構包括：介質窗、蓋板、邊緣風扇、導風板和導風板調節器。蓋板和介質窗相對設置，邊緣風扇設置于蓋板靠近介質窗的一側表面，導風板調節器設置于邊緣風扇靠近介質窗的一側表面，導風板設置于導...

本申請涉及一種控制器、處理設備、處理速率高斯曲面的確定方法及裝置，其中，處理速率高斯曲面的確定方法包括如下步驟：S100：通過訓練獲得預設模型；S200：獲取束斑的二維高斯曲面，以作為第一特征數據；S300：記錄基片的材料屬性信息，以作...

本發明提供了一種柵網清洗系統及離子源刻蝕設備，涉及半導體技術領域。在對第一柵網和第二柵網進行清洗時，通過等離子體生成裝置為真空腔提供等離子體，并且通過電源裝置為第一柵網和第二柵網分別施加相反的正電壓和負電壓，且施加在柵網上的電壓按照第一...

本申請涉及一種靜電吸盤及等離子刻蝕設備，其中，靜電吸盤包括吸盤座和吸盤板；所述吸盤板與所述吸盤座可拆卸固定，所述吸盤座設有冷卻流道，所述吸盤板遠離所述吸盤座的一側設有吸附面；所述吸盤板與所述吸盤座固定狀態下，吸盤板和所述吸盤座之間圍合形...

本技術涉及一種開合機構以及等離子刻蝕系統，該開合機構用于真空腔室，真空腔室包括腔蓋及腔體，開合機構包括平移滑動支撐裝置以及開合裝置，兩個平移滑動支撐裝置對稱地設置于腔體的兩側，多個開合裝置對稱地在腔體的兩側滑動設置于平移滑動支撐裝置，開...

本申請公開了一種等離子體刻蝕設備，涉及等離子體處理領域，包括：等離子體反應腔室、射頻組件和偏壓電極組件；其中，所述偏壓電極組件包括：靜電吸盤，所述靜電吸盤包括層疊的第一組成結構和第二組成結構，所述第二組成結構遠離所述第一組成結構的一側放...

本申請公開了一種等離子體刻蝕設備，涉及等離子體處理領域，包括：等離子體反應腔室，用于通入工藝氣體和放置晶圓；射頻組件，射頻組件包括射頻線圈和射頻源，射頻源用于給射頻線圈提供射頻信號，使得射頻線圈產生射頻場，作用于工藝氣體，產生等離子體；...

本技術公開了一種離子束工藝腔室及離子刻蝕設備，本方案包括離子腔室、反應腔室、晶圓載臺以及束縛板，其中，離子腔室具有離子源，與反應腔室銜接處為噴射口，離子源通過噴射口在反應腔室內形成離子束；晶圓載臺布置在反應腔室內；束縛板布置于噴射口處，...

本技術公開了一種類金剛石薄膜低溫沉積裝置，包括連通設置的微波解離腔室和射頻解離腔室，所述微波解離腔室與工藝氣體的氣罐通過氣體管路連通，所述微波解離腔室通過微波波導與微波源連接，所述射頻解離腔室通過射頻柱與射頻電源的射頻端口連接，所述射頻...

本申請提供一種刻蝕腔室冷卻系統及方法，包括：冷卻板、腔室測溫裝置、比例控制調節閥和冷卻水閥；冷卻板設置于刻蝕腔室的外側壁，冷卻板中設置有冷卻水道。腔室測溫裝置用于測量刻蝕腔室的側壁溫度，比例控制調節閥用于根據刻蝕腔室的側壁溫度調整比例控...

本技術提供了一種晶圓載臺裝置，通過對晶圓載臺裝置的結構進行調整，使得晶圓載臺裝置能夠適應不同厚度的晶圓，提高了晶圓載臺裝置的適應性。晶圓載臺裝置包括載臺本體，所述載臺本體具有用以容納晶圓的容納槽，所述容納槽由所述載臺本體的表面沿軸向下凹...

本申請公開了一種半導體處理裝置，涉及半導體刻蝕領域，該半導體處理裝置中處理腔室的四種進氣口分別通過供氣柜的四種供氣通道供氣，供氣柜的氣體通過中心供氣通道和中心進氣口流向待處理工件的中心區域、通過中間供氣通道和中間進氣口流向待處理工件的中...