應用電荷扣除技術提高讀出電路電荷存儲容量的方法，其特征是在積分過程中，一旦積分電容上存儲的電荷超過一定量，則通過電荷扣除電路將積分電容上的電荷瀉放一部分，避免積分電容飽和，使光電流積分過程得以繼續進行，電荷扣除電路每次扣除的電荷量是恒定...

應用倒置電壓跟隨器的光伏探測器讀出單元電路，由級聯電流鏡電路、電流積分電路和偏置電壓產生電路組成，晶體管Mp1、Mp3與Mp2、Mp4組成級聯電流鏡電路；晶體管Mp2、Mp4、Mn2及積分電容Cint組成電流積分電路；晶體管MBn1、M...

無后固定組中波紅外30倍連續變焦光學系統，從物側到像側依次由變焦物鏡和中繼組組成；變焦物鏡由前固定組透鏡、變倍組和補償組組成，三組透鏡的光焦度分配依次為正、負、正的結構，通過變倍組和補償組的軸向移動實現變焦功能；中繼組由四片透鏡組成，第...

一種微機械陀螺自適應補償的方法及裝置。裝置由高性能慣導裝置及調試夾具、控制系統、微機械陀螺工作溫度獲取裝置、信號采集裝置、數據存儲裝置和數據處理裝置組成，其方法是：一、采集基于不同狀態下獨立工作的高性能慣導裝置的數據作為微機械陀螺的當前...

U型折疊式中波紅外30倍連續變焦光學系統，從物側到像側依次由前固定組、變倍組、補償組、后固定組、第一反射鏡、二次成像組、第二反射鏡和三次成像組組成，光焦度分配依次為正、負、正、負、正、正的結構。本發明采用二組元變焦原理、三次成像技術，焦...

三組元中波紅外30倍連續變焦光學系統，從物側到像側依次由正光焦度的前固定透鏡組、負光焦度的變焦Ⅰ透鏡組、正光焦度的補償透鏡組、正光焦度的后固定透鏡組、第一反射鏡、正光焦度的變焦Ⅱ透鏡組、負光焦度的二次成像固定透鏡組、第二反射鏡和正光焦度...

耐高過載沖擊的紅外探測器殼體組件，其特征在于：在殼體的底部，從底部的外表面到內表面制作一個與殼體同軸且內徑依次減小的三級臺階孔，最小孔徑的孔用于透過紅外線，在中間孔徑的臺階孔內安裝紅外窗口，紅外窗口與中間孔徑底面用光學膠粘接，安裝后，紅...

耐高過載高靈敏度平面電極結構熱釋電探測器，其特征在于在熱釋電晶片的下表面上制備一層全反射電極，在全反射電極的下表面上制備一層絕熱層，絕熱層的下表面與襯底用粘接膠粘接；在熱釋電晶片的上表面的中心位置制備紅外吸收層，從紅外吸收層引出金絲引線...

本實用新型所述的一種非致冷長波紅外連續變焦鏡頭，其技術方案為從物側算起沿光軸由前固定組、變焦組、補償組和后調焦組共四片透鏡組成，補償組朝向物側透鏡的表面上含有衍射面，并具有表面浮雕結構，在靠近像方的表面設置有系統光闌。變焦組透鏡朝向物側...

一種非晶態碲鎘汞線列探測器的信號處理電路，其特征在于由非晶態探測器與集成信號處理電路電學接口、非晶態探測器阻抗適配放大電路、并行信號串行轉換與時序輸出電路組成，其中，處理電路電學接口是探測器與信號處理電路的物理接口，按照探測器的性能和功...

基于光子晶體和超晶格雪崩光電二極管的太赫茲探測器結構，包括第一電極、p+GaAs接觸層、GaAs/AlxGa1-xAs超晶格層、n+GaAs緩沖層、第二電極和n+GaAs襯底材料層，其特征在于在GaAs/AlxGa1-xAs超晶格層的p...

本發明提供一種非晶碲鎘汞單片集成式焦平面探測器的制造方法，其工藝步驟為：A.襯底清洗；B.沉積金屬下電極；C.光刻；D.干法刻蝕(下電極成型)；E.去膠清洗；F.磁控濺射(非晶碲鎘汞光敏材料生長)；G.光刻；H.干法刻蝕(光敏面成型)；...

非晶碲鎘汞單片集成式焦平面探測器，其特征在于：由讀出電路，鋁電極，下電極，光敏層和上電極組成。在讀出電路上設計有鋁電極，鋁電極上設計有凹槽，在凹槽內沉積金屬下電極，下電極通過鋁電極與讀出電路連接，在讀出電路、鋁電極以及下電極三個部分的表...

雙色雙視場紅外成像光學系統，其特征在于由前固定組(9)、變倍組(10)和后固定組(11)共五片透鏡組成，其中，前固定組透鏡由兩片透鏡組成，變倍組透鏡由一片透鏡組成，后固定組透鏡由兩片透鏡組成，變倍組透鏡可以在一次像面的前、后作軸向移動來...

一種非晶碲鎘汞紅外探測器離子束表面清洗方法，其特征在于在真空腔體內，把探測器芯片固定在樣品臺上，將樣品臺傾角調整為4.5°，樣品臺溫度設置為10℃，然后對真空腔體抽真空，使真空度達到6×10-4Pa；向真空腔體內通入工作氣體，并將氣體流...

非晶態碲化鎘薄膜的磁控濺射生長法，其特征在于在具有六工位磁控濺射靶位的超高真空磁控濺射生長室，本底真空度優于3.0×10-4Pa，溫度為25℃±10℃，用純度為7N的高純圓塊狀CdTe單晶靶為靶材，用純度為5N的高純Ar氣為濺射工作氣體...

一種生長碲鎘汞薄膜的靶材制備方法，其特征在于采用晶態碲化鎘(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通過A.確定靶材組分，B.質量計算，C.研磨，D.稱量，E.混合，F.冷軋的工藝步驟，實現生長碲鎘汞薄膜的靶材制備，該靶材制備方法可以在...

本發明提供的用于透射電鏡研究的非晶態薄膜樣品制備方法，其特正在于采取A.襯底清洗，B.甩膠，C.生長材料，D.剝離的技術步驟，獲得用于透射電鏡實驗的非晶態薄膜樣品，生長薄膜材料的襯底，可采用載玻片、硅片、石英片或者寶石片。本發明方法工藝...

一種石墨烯量子點的超聲波化學制備方法，涉及石墨烯量子點的制備方法，尤其是采用廉價的炭黑或石墨粉為原料，使用簡單、環保的工藝來制備單分散性好，且具有發光特性的石墨烯量子點溶液的方法。本發明的一種石墨烯量子點的超聲波化學制備方法，其特征在于...

一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，屬于光電子技術領域，尤其是一種半導體紫外光伏探測器技術。本發明的一種有機與無機雜化半導體紫外光伏探測器，包括基板、負極電極層、正極電極層和紫外半導體材料層，其特征在于該探測器的紫外半導體材料層是由...