兩級(jí)微腔全彩Micro?OLED器件結(jié)構(gòu)，涉及微顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種兩級(jí)微腔顯示器結(jié)構(gòu)。本發(fā)明器件結(jié)構(gòu)由一級(jí)電致發(fā)光微腔和二級(jí)光致發(fā)光微腔組成，通過一級(jí)電致發(fā)光微腔產(chǎn)生的綠光激發(fā)二級(jí)光致發(fā)光微腔中的光轉(zhuǎn)換層，利用二級(jí)光致發(fā)光微腔實(shí)現(xiàn)顏...

MicroOLED無機(jī)、有機(jī)疊層薄膜與蓋片復(fù)合的非接觸式封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及MicroOLED封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的封裝結(jié)構(gòu)，包括襯底和封裝蓋，襯底和封裝蓋通過封裝層粘合，封裝蓋內(nèi)非接觸設(shè)置MicroOLED層；所述封裝層為無機(jī)、...

本發(fā)明公開了一種動(dòng)態(tài)自適應(yīng)消隙的連續(xù)變焦距鏡頭裝置及變焦方法，包括變倍鏡組、補(bǔ)償鏡組和調(diào)焦鏡組；變倍鏡組用于通過自身沿光軸移動(dòng)改變透鏡之間的間隔，從而改變裝置的焦距；補(bǔ)償鏡組用于相對(duì)變倍鏡組沿光軸作微量移動(dòng)來補(bǔ)償變倍鏡組移動(dòng)帶來的像面離...

本技術(shù)公開了一種雙端板彈簧支承的對(duì)置式線性壓縮機(jī)，包括主機(jī)架部件、定子部件、動(dòng)子部件和壓縮機(jī)外殼，定子部件為兩個(gè)，兩個(gè)定子部件對(duì)稱安裝在主機(jī)架部件的兩側(cè)，用于減小壓縮機(jī)的振動(dòng)；所述動(dòng)子部件與定子部件分別通過緊固螺釘進(jìn)行連接。本技術(shù)解決了...

本發(fā)明涉及一種微型長(zhǎng)波紅外斬波器及其制備方法，屬于涉及斬波器領(lǐng)域。該斬波器包含長(zhǎng)波紅外窗片，上、下高透過率長(zhǎng)波紅外透明電極，上、下長(zhǎng)波高透過率絕緣層，相變薄膜層以及上、下透明電極引出結(jié)構(gòu)。通過電極施加交變電場(chǎng)，誘導(dǎo)相變薄膜層發(fā)生可逆相變...

本發(fā)明公開了一種低熱導(dǎo)結(jié)構(gòu)的大像元尺寸熱釋電薄膜MEMS器件及制備方法，包括上電極金屬層、熱釋電薄膜層、下電極金屬層和氮化硅支撐層，形成從上而下的平板電容疊層結(jié)構(gòu)；無電連接功能的支撐柱陣列分布在敏感像元區(qū)域，其底部氮化硅直接和襯底接觸；...

本技術(shù)一種真空腔體閘板閥防止污染的機(jī)構(gòu)，屬于真空腔體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該機(jī)構(gòu)包括在真空腔體與閘板閥之間設(shè)置有遮擋裝置，所述遮擋裝置用于保護(hù)閘板閥的板面、閘板閥與閥基座的縫隙不受殘余源材料的污染。本技術(shù)通過在腔體與閘板閥之間設(shè)置遮擋裝置，實(shí)現(xiàn)...

本發(fā)明公開了一種非制冷紅外探測(cè)器的深孔電連接方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該非制冷紅外探測(cè)器基于氧化釩（VOx）材料的紅外探測(cè)芯片制作，所述方法包括：步驟1，完成氧化釩非制冷探測(cè)器芯片的前期相關(guān)工藝；步驟2，形成圖形化的光刻膠層A；步驟...

本發(fā)明提出了一種高量子效率的可見?短波紅外InGaAs探測(cè)器及其制備方法，包括專用讀出電路芯片和光敏芯片，光敏芯片從下到上依次由P型接觸電極區(qū)、鈍化層、InP帽層P型區(qū)、InP帽層N型區(qū)、In0.53Ga0.47As吸收層、N?InGa...

本發(fā)明公開了一種用于紅外搜索跟蹤系統(tǒng)的自適應(yīng)時(shí)序控制方法及存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于紅外搜索跟蹤技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：對(duì)紅外搜索跟蹤系統(tǒng)的時(shí)序控制外部觸發(fā)PPS秒脈沖信號(hào)的狀態(tài)監(jiān)測(cè)，實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)控制時(shí)序的觸發(fā)方式進(jìn)行判斷和自適應(yīng)切換；然后監(jiān)測(cè)系統(tǒng)控制...

本發(fā)明的量子點(diǎn)紅外探測(cè)器晶圓級(jí)封裝方法包括：提供讀出電路晶圓；在讀出電路晶圓上涂敷量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換薄膜，在量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換薄膜上制作上電極，上電極覆蓋芯片光電轉(zhuǎn)換活性區(qū)，在上電極上制作有薄膜封裝層，薄膜封裝層為無機(jī)層和有機(jī)層的多層結(jié)構(gòu)，其中...

本發(fā)明公開了一種基于透明導(dǎo)電材料的可見?短波寬光譜InGaAs探測(cè)器及其制備方法，涉及紅外探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。所述探測(cè)器的結(jié)構(gòu)從下向上依次包括1??InGaAs探測(cè)器專用讀出電路芯片、2??銦柱及填充物、3??金屬電極、4??P型擴(kuò)散區(qū)、5...

本發(fā)明公開了一種雪崩焦平面器件過剩噪聲因子測(cè)試裝置及測(cè)試方法，該方法通過將測(cè)試裝置噪聲及讀出電路噪聲從總噪聲中扣除以獲得雪崩焦平面器件的輸出噪聲，從而準(zhǔn)確表征分析器件過剩噪聲因子。通過本發(fā)明能夠有效撇除測(cè)試裝置及讀出電路噪聲對(duì)雪崩焦平面...

本發(fā)明公開了一種極大角度入射情況下實(shí)現(xiàn)窗口高效透射的微納結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)方法，包括：選擇光學(xué)透過性能好的光學(xué)材料作為仿生蛾眼微納結(jié)構(gòu)窗口的材料；推導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)參數(shù)；選擇合適的仿生蛾眼微納結(jié)構(gòu)類型；利用仿真軟件對(duì)初步設(shè)計(jì)的仿生蛾眼微納結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)...

本發(fā)明公開一種基于RHEED斑點(diǎn)強(qiáng)度實(shí)時(shí)反饋的分子束外延碲鎘汞薄膜生長(zhǎng)控制方法，包括：選取特定晶向反射斑點(diǎn)并監(jiān)控其強(qiáng)度；設(shè)定生長(zhǎng)參數(shù)，基于Hg/Te比例確定初始生長(zhǎng)溫度、溫度區(qū)間及調(diào)整步長(zhǎng)；在初始溫度生長(zhǎng)獲取RHEED斑點(diǎn)強(qiáng)度初始值；經(jīng)...

本發(fā)明公開了一種提升液相外延碲鎘汞薄膜均勻性的裝置及方法，包括氣流導(dǎo)入管、含導(dǎo)氣槽蓋板、固定模塊、自由滑動(dòng)模塊、樣品承載臺(tái)和支撐架。本發(fā)明在母液槽四周設(shè)計(jì)了四個(gè)用于熱交換的儲(chǔ)氣槽，通過控制熱交換氣體的溫度，形成一個(gè)由母液四周向母液中心逐...

本發(fā)明公開了一種紅外分焦平面偏振探測(cè)器的盲元檢測(cè)方法，屬于紅外偏振成像技術(shù)領(lǐng)域，該包括：采集已完成非均勻校正的紅外偏振數(shù)據(jù)；計(jì)算不同溫度下采集數(shù)據(jù)的斯托克斯矢量；設(shè)置閾值，分別對(duì)斯托克斯矢量、和進(jìn)行判斷，當(dāng)斯托克斯矢量小于下閾值或大于上...

一種非制冷紅外相機(jī)焦平面保護(hù)方法，包括以下步驟：S1、定義坐標(biāo)系；包括導(dǎo)航坐標(biāo)系和陀螺儀本體坐標(biāo)系；S2、定位相機(jī)軸向角度；獲取相機(jī)軸向相對(duì)陀螺儀坐標(biāo)的垂直偏移角度，水平偏移角度；S3、自檢；S4、接收衛(wèi)星信號(hào)，通過衛(wèi)星接收機(jī)接收，由衛(wèi)...

本發(fā)明公開了一種低串?dāng)_的制冷型紅外偏振探測(cè)器及其制備方法，該探測(cè)器由下至上依次由制冷型紅外探測(cè)器芯片組、偏振調(diào)制陣列、微支架及光場(chǎng)匯聚陣列所組成，其制備方法為：以薄膜生長(zhǎng)、光刻、刻蝕等工藝組合實(shí)現(xiàn)偏振調(diào)制陣列片上集成，抑制衍射串?dāng)_；基于...

本發(fā)明公開了一種制冷型紅外偏振超構(gòu)透鏡探測(cè)器及其制備方法，包括偏振超構(gòu)透鏡陣列、探測(cè)器芯片組和裝載基板；偏振超構(gòu)透鏡陣列包含若干偏振超構(gòu)透鏡單元，每一偏振超構(gòu)透鏡單元具有相同焦距并與制冷型紅外焦平面陣列的單個(gè)像元或兩個(gè)連續(xù)像元相對(duì)應(yīng)；偏...