一種半導體結構，該半導體結構包括在一晶體管的一柵極結構上的一柵極接觸結構。該柵極接觸結構包括一金屬通孔，其穿過一介電層且接觸該柵極結構的一柵極電極。該金屬通孔包括具有電阻率與平均自由路徑的低乘積值的一金屬，諸如釕。在該金屬通孔與該柵極電...

本技術提供一種半導體裝置，所述半導體裝置包括半導體襯底、內連線以及至少一個熱通孔。半導體襯底包括至少一個有源構件。內連線被設置在至少一個有源構件上方且與至少一個有源構件電耦合。至少一個熱通孔貫穿內連線并與至少一個有源構件熱耦合，其中至少...

本技術的實施例提供一種半導體結構包括彼此堆疊并接合的第一半導體管芯和第二半導體管芯、密封第一和第二半導體管芯的接合界面的封蓋層以及設置在第二半導體管芯上方并覆蓋第一半導體管芯和封蓋層的絕緣包封體。第一半導體管芯包括第一部分和連接到第一部...

本技術實施例的半導體裝置包括第一集成電路、第二集成電路以及接合層。接合層位于第一集成電路和第二集成電路之間，其中接合層包括第一層和第二層，第一層為氮化鋁(AlN)層，以及第二層為氧化鋁(AlO)層和氮氧化鋁(AlON)層中一者。

集成電路包括第一有源區域組以及第一柵極組和第二柵極組。第一有源區域組在第一方向上延伸，并且位于第一層級上。第一有源區域組對應于第一晶體管。第二柵極組在第二方向上延伸，位于第二層級上，并且與第一有源區域組重疊。第一柵極組對應于第一晶體管。...

本發明的實施例提供了一種半導體器件以及形成半導體器件的方法。該方法包括在目標層上方形成第一掩模層，在第一掩模層上方形成多個間隔件，在多個間隔件上方形成第二掩模層，并圖案化第二掩模層以形成第一開口，其中，在平面圖中，開口的主軸在與多個間隔...

提供半導體裝置及形成方法。例示性方法包含接收晶體管，包含柵極結構于通道區上方，第一及第二源極∕漏極部件耦合至通道區，及介電結構于第一及第二源極∕漏極部件上方；形成第一溝槽延伸穿過介電結構以露出第一源極∕漏極部件，形成第二溝槽延伸穿過介電...

一種半導體裝置結構及其形成方法。半導體裝置結構包含設置在基板上方的互連結構、設置在互連結構上方的第一介電層、以及設置在第一介電層上的第二介電層。第二介電層包括具有大于約20的k值及小于約5eV的帶隙的介電材料。半導體裝置結構還包含設置在...

一種封裝結構及其形成方法，封裝結構包含封裝基板、半導體模組、復合熱界面材料(TIM)層、封裝蓋基板以及反應性界面層，其中半導體模組位于封裝基板上，復合熱界面材料層包含在聚合物基質中的液態金屬、且位于半導體模組上，封裝蓋位于復合熱界面材料...

根據本公開的半導體結構包括半導體結構，該半導體結構包括背側介電層、位于背側介電層上方的背側蝕刻停止層(ESL)、位于背側ESL上方并且沿著第一方向彼此間隔開的第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件、設置在第一源極/漏極部件與第二源極/漏...

形成半導體器件的方法包括：通過在鰭上方依次形成介電材料、犧牲材料、第一半導體材料和第二半導體材料而在鰭上方形成層堆疊件；在層堆疊件上方形成偽柵極結構；在偽柵極結構的相對側上形成源極/漏極區域；在偽柵極結構周圍的源極/漏極區域上方形成層間...

本公開提供了一種半導體結構，其包括具有前側和背側的襯底；SRAM電路，其具有形成在襯底的前側上的SRAM位單元，其中每個SRAM位單元包括交叉耦合在一起的兩個反相器、耦合到兩個反相器的兩個寫入傳輸門、耦合到兩個反相器的讀取下拉器件和耦合...

在實施例中，拋光系統可以包括拋光臺。該拋光系統還可以包括：位于拋光臺上的拋光墊；配置為保持晶圓與拋光墊接觸的拋光頭；電容傳感器，配置為在拋光工藝期間測量晶圓上的介電薄膜的電容；以及電連接到電容傳感器的控制器。控制器可以配置為基于測量到的...

本申請的實施例公開了存儲器電路及其操作方法。存儲器電路包括：第一存儲器單元和第二存儲器單元，分別通過第一位線和第二位線耦合到第一感測放大器；第三存儲器單元和第四存儲器單元，分別通過第三位線和第四位線耦合到第二感測放大器；以及參考電路，被...

提出了光學器件及其制造方法，其中接收第一光學封裝件，第一光學封裝件包括第一定位開口和插座開口。將插座插入插座開口和第一定位開口中，以便接入第一光學封裝件內的邊緣耦合器。

本公開的實施例提供了半導體器件結構及其形成方法。半導體器件結構包括第一源極/漏極區、與第一源極/漏極區相鄰設置的第二源極/漏極區、設置在第一源極/漏極區上方的接觸蝕刻停止層、設置在接觸蝕刻停止層上方的第一層間介電(ILD)層、設置在接觸...

描述了半導體結構和制造半導體結構的方法。一種示例性方法包括：接收包括n型晶體管和p型晶體管的中間結構，在n型晶體管和p型晶體管下形成介電結構，形成各自延伸穿過介電結構的第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽暴露n型晶體管的源極/漏極部件的底面，第...

光學器件及其制造方法被呈現，其中光纖陣列單元被連接至第一光學封裝件。在實施例中，光纖陣列單元使用第一突起和開口進行被動對準，并且然后在被動對準之后進行主動對準。一旦對準，光纖陣列單元使用粘合劑粘合。

本技術提供一種用于懸臂梁的雙電容調平系統，其包括：壓電區，包括底電極層、壓電層和頂電極層；第一電容，包括底電極層，第一絕緣膜和初級金屬層，初級金屬層電連接至頂電極層；二極管，電連接至底電極層；和位于二極管上的第二電容，包括與二極管電連接...

本新型的實施例提供一種集成電路，包括：多個主動組件可操作地彼此耦合以形成集成電路，其中所述多個主動組件設置在襯底的正面上方；多個虛設組件，所述多個虛設組件的每一個橫向設置為緊鄰一個或多個所述主動組件，其中所述多個虛設組件形成在所述正面之...