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        西安工業(yè)大學(xué)專利技術(shù)

        西安工業(yè)大學(xué)共有4512項(xiàng)專利

        • 本發(fā)明公開了基于空間與光譜特征聯(lián)合的高光譜圖像降維方法,截取灰度歸一化后的高光譜圖像中第1幀圖像的模板區(qū)域,并且確定所述模板區(qū)域中每個(gè)波段的梯度概率分布(GPDF);根據(jù)(GPDF)獲取高光譜空間相關(guān)強(qiáng)度和局部梯度分布的信息熵;通過自適...
        • 本發(fā)明涉及一種多元素固溶強(qiáng)化的鋰合金負(fù)極材料、制備方法及其應(yīng)用。該鋰合金負(fù)極材料的制備方法包括:先將鋰與Mg、Al、Zn中至少一種輔助元素按質(zhì)量5%?30%配比投于銅坩堝,在≤1Pa真空、氬氣保護(hù)下以5?20kW感應(yīng)功率懸浮熔煉2?10...
        • 本技術(shù)公開了一種場(chǎng)域測(cè)溫設(shè)備的溫度控制電路系統(tǒng),包括電源模塊、控制器、溫度控制器、白光相機(jī)模塊、紅光相機(jī)模塊和通斷開關(guān)電路;所述控制器分別與紅光相機(jī)模塊和白光相機(jī)模塊雙向傳輸連接,所述控制器與溫度控制器雙向傳輸連接;所述電源模塊通過通斷...
        • 本發(fā)明公開了一種液態(tài)金屬復(fù)合的硅基負(fù)極材料的制備方法及在全固態(tài)電池中的應(yīng)用,涉及全固態(tài)電池技術(shù)領(lǐng)域,具體包括如下步驟:S1:采用懸浮熔煉結(jié)合快淬技術(shù)獲得硅基相和金屬相復(fù)合的硅基復(fù)合材料;S2:將硅材料或硅基復(fù)合材料與導(dǎo)電劑混合,通過砂磨...
        • 本發(fā)明涉及一種細(xì)晶強(qiáng)化鋰合金粉末負(fù)極材料、制備方法及其應(yīng)用。該鋰合金粉末負(fù)極材料的制備方法包括:將鋰與Mg、Al、Zn中至少一種輔助元素按質(zhì)量5%–30%配比,在≤1Pa真空、氬氣保護(hù)下經(jīng)5–20kW感應(yīng)懸浮熔煉2–10mi?n并冷卻成...
        • 本發(fā)明涉及光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種低成本可批量生產(chǎn)的異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器及其制備方法。為解決現(xiàn)有光電探測(cè)器制備成本過高,生產(chǎn)工藝復(fù)雜,難以大批量生產(chǎn)的問題。本發(fā)明的技術(shù)方案包括自上而下的電極層,以異質(zhì)結(jié)形式呈現(xiàn)的光感受區(qū)以及襯底;通過...
        • 本發(fā)明屬于嵌入式平臺(tái)模型優(yōu)化技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種融合循環(huán)卷積與重參數(shù)化的輕量級(jí)模型優(yōu)化方法及系統(tǒng)。旨在解決現(xiàn)有輕量級(jí)網(wǎng)絡(luò)在資源受限設(shè)備上計(jì)算量大、延遲高、適應(yīng)性差的問題。本發(fā)明通過采用Metaformer框架為基礎(chǔ)架構(gòu);基于Mobil...
        • 本發(fā)明屬于計(jì)算機(jī)視覺領(lǐng)域,具體涉及一種結(jié)合動(dòng)態(tài)特征優(yōu)化與非線性建模的多目標(biāo)跟蹤方法。所述方法包括以下步驟:使用門控雙軸融合單元與邊緣感知卷積算子優(yōu)化YOLOv11主干網(wǎng)絡(luò),并提取多尺度特征圖;然后進(jìn)行特征融合與檢測(cè)頭回歸,得到檢測(cè)框集合...
        • 本發(fā)明涉及光學(xué)成像技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種傾斜成像機(jī)載長(zhǎng)波紅外等地面分辨率連續(xù)變焦系統(tǒng),包括:反射子系統(tǒng)和變焦子系統(tǒng);反射子系統(tǒng)包括主反射鏡、次反射鏡和第三反射鏡,主反射鏡設(shè)置在物方光線的入射光路上,次反射鏡位于主反射鏡的反射光路上,第三...
        • 本發(fā)明公開了具備離散化信號(hào)的試紙條以及提升試紙條靈敏度的方法,試紙條的NC膜上設(shè)置有n條T檢測(cè)線,n為≥2的正整數(shù),各T檢測(cè)線相互平行且間隔設(shè)置,各所述T檢測(cè)線上的核酸捕獲探針數(shù)量相同;本發(fā)明在捕獲低濃度目標(biāo)物時(shí),增加T檢測(cè)線的個(gè)數(shù)不僅...
        • 本發(fā)明涉及反應(yīng)釜技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種可在反應(yīng)過程中分步加料的反應(yīng)裝置,包括反應(yīng)釜本體及釜蓋,還包括進(jìn)料漏斗、進(jìn)料管、活塞套筒、球形閥、連桿和活塞,活塞套筒的下端通過釜蓋上設(shè)置的進(jìn)料預(yù)留孔與釜蓋連接,進(jìn)料管與活塞套筒下半部側(cè)壁連接,球形閥...
        • 本發(fā)明公開了一種孔隙率可控的高熵碳化物陶瓷及其3D打印制備方法,屬于高熵碳化物陶瓷粉體制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明借助3D打印技術(shù),憑借數(shù)字化設(shè)計(jì)與逐層制造優(yōu)勢(shì),無需模具即可制備復(fù)雜結(jié)構(gòu)高熵陶瓷。通過構(gòu)建可控孔隙結(jié)構(gòu)前驅(qū)體并引入甲烷原位碳化,顯...
        • 本發(fā)明涉及一種測(cè)量剛性長(zhǎng)管件三維振動(dòng)參數(shù)的方法。所述方法包括以下步驟:三線陣相機(jī)交會(huì)測(cè)量系統(tǒng)的布置;伸縮量比例測(cè)量圖案粘貼于長(zhǎng)管件上,圖案為長(zhǎng)方形,長(zhǎng)為L(zhǎng)、寬為L(zhǎng),以長(zhǎng)L為底,對(duì)邊的中點(diǎn)為頂點(diǎn)做一個(gè)邊長(zhǎng)為L(zhǎng)的黑色等邊三角形,其余部分為白...
        • 本發(fā)明涉及超聲技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種超聲相控陣稀疏布陣方法。包括以下步驟:首先構(gòu)建平面矩形超聲陣列模型并確定基本參數(shù);以最小化最大旁瓣電平(MSLL)為優(yōu)化準(zhǔn)則設(shè)置適應(yīng)度函數(shù);其次引入tent混沌映射?佳點(diǎn)集混合方法,得到經(jīng)典解種群;在...
        • 本發(fā)明涉及高速飛行器技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種基于液態(tài)金屬電磁驅(qū)動(dòng)的高速飛行器變質(zhì)心控制裝置,其包括液態(tài)金屬流道、兩塊絕緣隔板豎向絕緣隔板、兩塊永磁體、兩個(gè)電極、導(dǎo)磁鐵軛、兩個(gè)儲(chǔ)液倉、直流電源和兩根信號(hào)導(dǎo)線;液態(tài)金屬流道的內(nèi)部填充有液態(tài)金屬;...
        • 本發(fā)明公開了一種鉆孔加工刀具,涉及鉆孔加工技術(shù)領(lǐng)域,包括:筒體為中空結(jié)構(gòu),筒體的側(cè)壁上開設(shè)有通孔;切削結(jié)構(gòu)包括支撐柱、推動(dòng)塊和刀片,支撐柱套裝固定在筒體內(nèi),支撐柱上開設(shè)有第一凹槽,第一凹槽沿支撐柱的軸向開設(shè),推動(dòng)塊卡裝在第一凹槽內(nèi),且推...
        • 本發(fā)明涉及一種輪式移動(dòng)機(jī)器人(WMR)動(dòng)力學(xué)模型的自適應(yīng)軌跡跟蹤控制方法,包括以下步驟:首先針對(duì)WMR運(yùn)動(dòng)學(xué)模型,設(shè)計(jì)運(yùn)動(dòng)學(xué)期望控制信號(hào);其次針對(duì)WMR動(dòng)力學(xué)模型,設(shè)計(jì)分層自適應(yīng)控制策略:在參數(shù)估計(jì)層中引入修正函數(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)動(dòng)力學(xué)控制環(huán)中...
        • 本發(fā)明公開了一種激光熔覆高熵合金碳化物陶瓷涂層及其制備方法,屬于高熵合金涂層技術(shù)領(lǐng)域。采用激光熔覆技術(shù),通過高能激光束原位熔化基體與高熵合金?酚醛樹脂復(fù)合粉體,實(shí)現(xiàn)了涂層與基體間牢固的冶金結(jié)合,界面處元素呈梯度過渡,抗剪切強(qiáng)度超100M...
        • 本發(fā)明提供一種W1O/NiS/CC催化劑及其制備方法和應(yīng)用,屬于電催化劑制備技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明以Ni(NO3)2·6H2O和(NH4)6H2W12O40·xH2O為原料,以預(yù)處理碳布為基底,制備得到Ni?W復(fù)合氧化物前驅(qū)體,隨后通過煅燒處...
        • 本發(fā)明公開了一種化學(xué)機(jī)械拋光磨粒軌跡優(yōu)化方法,涉及化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)領(lǐng)域,解決現(xiàn)有技術(shù)中規(guī)律磨粒軌跡導(dǎo)致光學(xué)元件性能降低的問題。該方法通過構(gòu)建磨粒軌跡模型,采用元件/主軸轉(zhuǎn)速比為1:2的大比例轉(zhuǎn)速比進(jìn)行模擬研究,分別模擬不同主軸擺動(dòng)速度大...