本發明涉及鎓鹽型單體、單體型光酸產生劑、聚合物、化學增幅抗蝕劑組成物、及圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻中，溶劑溶解性優良，為高感度、高對比度，且光刻性能優良的化學增幅抗蝕劑組成物中含有的聚合物的材料即作為單體型...

本發明涉及抗蝕劑組成物、層疊體及圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻，尤其電子束(EB)光刻及EUV光刻中，感度及分辨率優良的抗蝕劑組成物、及使用該抗蝕劑組成物的圖案形成方法。該課題的解決手段為一種抗蝕劑組成物，其特...

本發明涉及一種相移掩模坯料和相移掩模的制造方法。該相移掩模坯料包括相移膜和與相移膜接觸地形成并由含鉻材料形成的遮光膜，其中相移膜由含硅而不含碳的材料形成，遮光膜由含鉻、氧、氮和碳的材料形成，遮光膜具有包括四層的層疊結構：第一層、第二層、...

本發明涉及化學增幅正型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。本發明的課題為提供可獲得改善圖案形成時的分辨度，且LER、分辨度、圖案忠實性及劑量寬容度經改善的抗蝕劑圖案的化學增幅正型抗蝕劑組成物，及抗蝕劑圖案形成方法。該課題的解決手段為一種化...

本發明涉及化學增幅負型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。本發明提供圖案形成時的分辨性提升且能獲得LER、分辨性、圖案忠實性及劑量寬容度有所改善的抗蝕劑圖案的化學增幅負型抗蝕劑組成物，并提供抗蝕劑圖案形成方法。一種化學增幅負型抗蝕劑組成物...

本發明涉及鎓鹽、光酸產生劑、化學增幅抗蝕劑組成物、及圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻中，溶劑溶解性優良，雖控制酸擴散但仍為高感度、高對比度，且光刻性能優良的化學增幅抗蝕劑組成物中所含的使用作為光酸產生劑的鎓鹽、由...

提供形成高強度、具有長期耐熱性和抗漏電起痕性的固化物的熱固化性樹脂組合物。該熱固化性樹脂組合物包含：(A)由下述式(1)表示的脂肪族雙檸康酰亞胺化合物，【化1】(式(1)中，A為碳原子數2～12的2價的脂肪族烴基。)，和(B)在1分子中...

本發明提供液體硅橡膠組合物，其包含：（A）在1分子中含有2個以上與硅原子鍵合的烯基的液體有機聚硅氧烷，（B）平均粒徑0.1～300μm的填充劑，（C）由下述式（1）表示的3?縮水甘油氧基丙基硅烷醇低聚物（式中，R1為1價烴基，R2為可被...

本發明是一種一分子中含有一個以上（甲基）丙烯酰氧基的聚硅氧烷化合物，其特征在于，所述聚硅氧烷化合物的側鏈末端具有三級羥基。由此，能夠提供一種適用于醫用材料的聚硅氧烷化合物、使用了所述聚硅氧烷化合物的聚合物、包含所述聚合物的水凝膠、包含所...

本發明涉及化學增幅負型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。本發明提供可獲得圖案形成時的分辨性提升且LER及圖案忠實性良好的抗蝕劑圖案的化學增幅負型抗蝕劑組成物、及抗蝕劑圖案形成方法。一種化學增幅負型抗蝕劑組成物，包含(A)由下式(A)表示...

本發明涉及鎓鹽、化學增幅正型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。本發明的課題為提供可產生具有適當的酸強度且擴散小的酸的鎓鹽、含有其的化學增幅正型抗蝕劑組成物、及使用該抗蝕劑組成物的抗蝕劑圖案形成方法。該課題的解決手段為一種鎓鹽，以下式(A...

本發明涉及層疊體、層疊體的制造方法及圖案形成方法。本發明為提供在使用高能射線的光學光刻中，兼顧高感度及高分辨率且形成微細圖案的層疊體，層疊體的制造法及圖案形成方法。該課題的解決手段為一種層疊體，其特征為按順序具備：基板，含硅的抗蝕劑下層...

本發明涉及锍鹽、化學增幅正型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻中，溶劑溶解性良好，且分辨度、LER、圖案形狀等光刻性能優良的化學增幅正型抗蝕劑組成物、及使用該化學增幅抗蝕劑組成物的圖案形成方法。...

本發明涉及锍鹽、化學增幅正型抗蝕劑組成物及抗蝕劑圖案形成方法。本發明的課題為提供：在使用高能射線的光學光刻中，溶劑溶解性良好，且分辨性、LER、圖案形狀等光刻性能優異的化學增幅正型抗蝕劑組成物；以及使用該化學增幅抗蝕劑組成物的圖案形成方...

本發明涉及分子抗蝕劑組成物及圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻中，感度、分辨性及LWR優異的分子抗蝕劑組成物、以及使用該分子抗蝕劑組成物的圖案形成方法。本發明為一種分子抗蝕劑組成物，其特征在于：包含下式(1)或(2...

本發明涉及抗蝕劑組成物及圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻中，感度及極限分辨度優良的非化學增幅抗蝕劑組成物、以及使用該抗蝕劑組成物的圖案形成方法。該課題的解決手段為一種抗蝕劑組成物，含有下式(1)～(4)中任一者表...

提供了一種反射掩模坯，其包括基板、形成在基板上并且反射曝光光的多層反射膜、形成在多層反射膜上的保護膜，以及與保護膜接觸形成并且吸收曝光光的吸收膜。該反射掩模坯是用于使用EUV光作為曝光光的EUV光刻中的反射掩模的材料。吸收膜包括占吸收膜...

本發明涉及高價鉍化合物、抗蝕劑組成物及圖案形成方法。本發明的課題為提供在使用高能射線的光學光刻，尤其電子束(EB)光刻及EUV光刻中，感度及分辨度優良的非化學增幅抗蝕劑組成物、及使用該抗蝕劑組成物的圖案形成方法。該課題的解決手段為一種高...

本發明涉及空白光掩模、空白光掩模的加工方法及空白光掩模的制造方法。本發明的課題提供，一種空白光掩模，含有在將吸收體層借由干蝕刻進行加工時，可發揮作為硬掩模的功能、且對于抗蝕劑圖案的分辨性改善亦有所貢獻的含硅硬掩模膜。本發明的解決手段是一...

本發明提供了一種表面處理劑組合物、顆粒和制品。該表面處理劑組合物含有機硅烷化合物(α)和/或其部分反應縮合物及溶劑，有機硅烷化合物(α)是非氟基化合物，具有選自O、S、N和Si的至少一者，含具3至60個碳原子的直鏈、支鏈或環狀一價烴基和...