本公開涉及用于操作與整流器元件并聯(lián)連接的開關元件的方法和電子電路。該方法包括：對耦合到電子開關(1)的負載路徑節(jié)點(13、14)的電容器(2)進行充電，其中該電子開關(1)包括開關元件(11)以及與該開關元件(11)的負載路徑并聯(lián)連接、...

本公開涉及具有功能芯片并且具有在物理上分開的感測芯片的封裝。一種封裝(100)包括：功能芯片(102)，用于提供涉及電流的電功能；和感測芯片(104)，用于提供表征所述電流的電感測信號，其中功能芯片(102)和感測芯片(104)是在物理...

公開了具有電流監(jiān)測的裝置以及電流監(jiān)測方法。如本文討論的諸如提供電流監(jiān)測的開關電路的裝置可以包括電流監(jiān)測器電路、經(jīng)由第一半導體技術制造的第一開關以及經(jīng)由第二半導體技術制造的第二開關。電流監(jiān)測器電路可以包括第二開關。電流監(jiān)測器電路可以被配置...

一種半導體封裝(10)，包括包封物(11)，所述包封物(11)包括外圍側壁(11.1)，所述外圍側壁(11.1)中具有至少一個凹部(11.2)，其中，所述凹部(11.2)包括內底表面(11.2A)和在所述內底表面(11.2A)和所述包封...

用于形成半導體管芯的方法。公開了一種方法和半導體管芯。該方法包括基于晶片(100)形成半導體管芯(3)。該晶片(100)包括在絕緣層(130)的相對側上形成的半導體層(110)和犧牲層(120)。該方法包括：形成分離結構(2)，該分離結...

提供了電源裝置以及用于操作電源裝置的方法。被配置用于提供負載電流的電源裝置包括：半橋電路，其包括高側功率晶體管和低側功率晶體管；柵極驅動器電路，其被配置成交替地在第一開關模式和第二開關模式下驅動高側功率晶體管和低側功率晶體管；負載電流感...

本公開涉及半導體裝置和用于監(jiān)測半導體裝置的方法。公開了一種半導體裝置和一種用于操作半導體裝置的方法。半導體裝置包括：多個半導體主體(11，12，1n)；殼體(3)，所述多個半導體主體(11，12)被布置在所述殼體中；和傳感器電路(2)，...

本公開涉及半導體管芯及其制造方法。本申請涉及一種包括半導體主體(10)的半導體管芯(1)，其中半導體主體(10)的背面(10.2)被結構化為具有多個開口(30)，開口(30)沿著第一軸線(41)并且沿著第二軸線(42)被布置成重復圖案(...

本公開內容涉及具有載體支撐結構的半導體封裝。一種形成半導體封裝的方法包括：提供引線框架，所述引線框架包括與外圍結構連接的多條引線；提供多個管芯焊盤，每個管芯焊盤上安裝有功率開關器件；提供第一電路載體，所述第一電路載體上安裝有控制器器件，...

本公開涉及電感器組件和堆疊式電源配置。根據(jù)一種配置，電感器組件包括：第一材料、第二材料和一個或多個導電路徑。第一導電路徑延伸穿過第一材料。在一個示例中，第一材料不是磁導材料或具有低磁導率。第二導電路徑延伸穿過第二材料。在一個示例中，第二...

一種制造引線框架封裝器件的方法，包括：提供引線框架，所述引線框架包括至少一個引線鍵合區(qū)域以及從所述至少一個引線鍵合區(qū)域延伸的多條引線，其中，每個引線鍵合區(qū)域包括多個鍵合焊盤；在每個引線鍵合區(qū)域上沉積鎳鍍層，以形成鍍鎳鍵合焊盤；在所述鎳鍍...

提供了半導體器件和半橋電路。半導體器件(500)包括具有第一導電類型的第一摻雜區(qū)域(120)的高電壓半導體元件(190)。第一摻雜區(qū)域(120)至少部分地橫向圍繞中心部分(110)，其中，中心部分(110)和第一摻雜區(qū)域(120)可以形...

公開了具有面內部互連的晶體管封裝。一種半導體芯片封裝包括半導體晶體管芯片，半導體晶體管芯片具有第一側和與第一側相對的第二側。第一側包括第一負載電流芯片焊盤和第二負載電流芯片焊盤。互連基板包括第一金屬層、第二金屬層和被部署在第一金屬層和第...

本發(fā)明涉及評估系統(tǒng)。一種方法包括評估功率開關的第一參數(shù)、第二參數(shù)和第三參數(shù)。第一評估模式包括在公共感測端子處從功率開關接收第一感測電流；以及基于第一感測電流在功率開關的切換事件期間測量第一參數(shù)。第二評估模式包括將第二感測電流從公共感測端...

一種隔離DC/DC轉換器，包括：變壓器，具有初級側和次級側；逆變器，被配置為將DC輸入電壓(Vin)改變?yōu)橛糜趯ψ儔浩鞯某跫墏裙┠艿腁C電流；電容器，與變壓器的初級側串聯(lián)；以及控制器，被配置為在第一模式下操作逆變器，使得在控制器接收到接...

本公開涉及用于雙向功率轉換的可配置驅動器電路裝置。描述了被配置為在第一模式或第二模式下操作以驅動功率開關的驅動器電路裝置。驅動器電路裝置可在第一模式下操作，在第一模式中，當通過次級側開關的電流過零時或稍早時，驅動器電路裝置控制功率開關關...

本公開涉及跨電感器電壓調節(jié)器(TLVR)電感器模塊和包括該TLVR電感器模塊的功率電子組件。一種跨電感器電壓調節(jié)器(TLVR)電感器模塊包括：磁芯；第一繞組，被嵌入在磁芯中；第二繞組，被嵌入在磁芯中，并且被電感耦合到第一繞組；第三繞組，...

本公開涉及垂直GAN裝置。一種芯片封裝包括第一板形金屬載體結構、第二板形金屬載體結構和第三板形金屬載體結構。芯片封裝還包括：第一GaN芯片，被夾在第一金屬載體結構和第二金屬載體結構之間；和第二GaN芯片，被夾在第二金屬載體結構和第三金屬...

本公開涉及一種功率器件單元和包括該功率器件單元的功率電子組件。所述功率器件單元包括：金屬體，所述金屬體具有第一主表面、與第一主表面相反的第二主表面、以及在第一主表面與第二主表面之間垂直延伸的側面；垂直功率半導體管芯，所述垂直功率半導體管...

本公開內容涉及一種包括管芯焊盤、半導體晶體管管芯和包括陶瓷層的層結構的半導體封裝。一種半導體封裝(30)，包括：引線框架(10)，包括管芯焊盤(11)和多個引線(12)，所述管芯焊盤(11)包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；半...