本公開涉及具有自電流平衡能力的多相電源系統。一種裝置包括功率轉換器控制器。功率轉換器控制器接收所述第一輸入。第一輸入的幅度是從多個功率轉換器供應到負載的組合輸出電流導出的。功率轉換器控制器還接收第二輸入，該第二輸入指示從多個功率轉換器的...

提供了用于信號轉換的裝置、系統和信號轉換方法。如本文中討論的系統可以被配置成包括：第一模數轉換器，其可操作以將第一模擬電壓轉換成第一數字信號；數模轉換器，其可操作以將第一數字信號轉換成第二模擬電壓；耦接至數模轉換器的開關電容器電路，該開...

公開了用于信號轉換的裝置及信號轉換方法。如本文中討論的裝置可以被配置成包括可操作成將模擬誤差電壓轉換成數字誤差電壓信號的延遲線模數轉換器。另外，該裝置可以被配置成包括積累器功能模塊以及數模轉換器。積累器功能模塊可操作成產生表示模擬輸入電...

提供了用于控制無刷直流電機的方法和控制器。該無刷直流電機具有多個相，每個相由逆變器的不同橋臂供電，該方法包括：生成用于無刷直流電機的每個相的梯形電流參考信號，該梯形電流參考信號具有電流斜升階段和電流斜降階段，電流斜升階段具有階梯輪廓，沿...

本公開涉及半導體裝置及其制造方法。一種半導體裝置包括具有第一主表面的半導體主體。半導體主體包括第一導電型的源極區、第二導電型的主體區和第一導電型的漂移區。第一溝槽沿著第一方向從半導體主體的第一主表面延伸到半導體主體中。第一柵極電極位于第...

一種半導體器件，包括：襯底；具有第一表面和第二表面的裸片，其中，所述裸片嵌入所述襯底中；第一散熱器，其布置在所述襯底的第一表面處；以及第二散熱器，其布置在所述襯底的第二表面處，其中，所述襯底包括導熱結構和熱隔離結構，所述導熱結構布置在所...

公開了一種雙有源橋電路以及用于控制雙有源橋轉換器的系統和方法。該系統包括調節器電路，該調節器電路被配置為基于雙有源橋轉換器的輸出電壓或輸出電流中的至少一者來確定控制變量；以及脈寬調制(PWM)生成器，其包括被耦合到雙有源橋轉換器的多個開...

公開了一種右手半導體器件，包括：控制連接器、第一負載連接器和第二負載連接器；其中，連接器布置在同一平面中并從半導體器件的封裝體中突出，形成右手布置結構的手指；其中，控制連接器后是第一負載連接器，第一負載連接器后是第二負載連接器；和其中，...

本公開涉及功率半導體裝置和生產功率半導體裝置的方法。在功率半導體裝置(1)中，除了阻擋層結構(15)之外，還提供深半導體區(105)。阻擋層結構(15)在空間上與有源區(1?2)中的溝槽結構(14，16)分離，并且被布置在功率半導體裝置...

一種應用板和安裝在其上的半導體封裝體以及一種半導體器件模塊，所述應用板包括：第一主面和設置在所述第一主面上的多個電接觸區域，所述多個電接觸區域包括一個或多個第一電接觸區域以及一個或多個第二電接觸區域；以及設置在所述第一主面中的凹部、即縫...

提供了柵極驅動器系統和確定柵極驅動器系統中的故障位置的方法。柵極驅動器系統包括多個柵極驅動器，每個柵極驅動器具有可在指示由相應的柵極驅動器檢測到故障的故障狀態與工作狀態之間切換的故障輸出節點。為每個柵極驅動器提供定時裝置，每個定時裝置被...

具有電容式分壓器電路的晶體管器件。一種晶體管器件，包括：襯底；外延層堆疊，其被形成在襯底上，外延層堆疊包括在具有不同帶隙的兩個外延層之間的異質結，異質結限定了晶體管器件的溝道區；源極端子，其被電連接到外延層堆疊的源極區；漏極端子，其被電...

本公開涉及功率半導體裝置和生產功率半導體裝置的方法，其包括：半導體主體，被配置為在第一負載端子和第二負載端子之間傳導正向負載電流；主要控制端子；輔助控制端子，與主要控制端子隔離；控制電極結構，包括：主要控制電極，按照電氣方式連接到主要控...

本發明涉及電路組件和溫度監測裝置。本公開內容中的一個示例包括繞組驅動器組件，該繞組驅動器組件包括：基板；固定至基板的第一表面的第一開關；固定至基板的第二表面的第二開關，第一開關和第二開關經由延伸通過基板的第一電路路徑串聯連接；以及串聯設...

公開了一種電流傳感器和電流感測方法。所述電流傳感器包括：傳感器芯片(10)，具有第一芯片表面(11)、第二芯片表面(12)和至少一個傳感器元件(30)；以及殼體(20)，具有鄰接所述第二芯片表面(12)的第一殼體表面(21)和與所述第一...

公開了超結JFET、用于制造超結JFET的方法以及包括超結JFET的電子電路。超結JFET具有閾值電壓和耗盡電壓。根據一個示例，耗盡電壓低于閾值電壓的幅度的4倍。根據另一個示例，耗盡電壓小于40V或小于30V。

本公開涉及半導體器件及其制造方法。半導體器件包括具有第一主表面的半導體本體。在半導體本體中形成溝槽。溝槽沿第一方向從第一主表面延伸到半導體本體中。溝槽包括場電極以及位于場電極和半導體本體之間的場電介質。場電介質的厚度沿第一方向從距第一主...

半導體晶體管器件以及制造其的方法。本公開涉及一種半導體晶體管器件(10)，包括在半導體主體(20)的第一側(20.1)處的源極區(11)；半導體主體(20)中的源極區(11)下方的主體區(12)；場電極溝槽(45)中的場電極區(40)；...

本公開涉及具有終止區的晶體管裝置和生產晶體管裝置的方法。一種晶體管裝置包括：半導體襯底，具有插入在第一有源基元區和半導體襯底的邊緣之間的終止區；和晶體管基元，位于第一有源基元區中，每個晶體管基元包括形成在第一導電型的主體區中的柵極溝槽。...

提供了用于功率轉換的裝置及其制造方法和控制方法。如本文中所討論的多層級功率轉換器包括第一功率轉換器電路和第二功率轉換器電路。第一功率轉換器電路被磁耦合至第一電路路徑。第二功率轉換器電路被磁耦合至第二電路路徑。多層級功率轉換器還包括第三電...