本發明公開一種半導體處理裝置，該裝置提供襯底或晶片夾持器（１８０）的掃描臂（６０）在至少兩個通常正交方向（所謂Ｘ－Ｙ掃描）上運動。在第一方向上的掃描是縱向貫穿在真空室壁上孔（５５）。臂（６０）通過一個或多個直線式電動機（９０Ａ、９０Ｂ）...

本發明的實施例大體上提供了使用多室處理系統（例如組合工具）處理襯底的裝置和方法，所述多室處理系統具有更大吞吐量、更高可靠性，組合工具中處理過的襯底具有更具重復性的晶片歷史，還具有較小的系統占地。在組合工具的一種實施例中，通過將襯底分組到...

本發明公開了一種熱處理設備和方法，其中第一激光源（４０），例如以１０．６μｍ發射的ＣＯ↓［２］激光器，作為線光源（４８）聚焦到硅晶片（２０）上，并且第二激光源（２６），例如以８０８ｎｍ發射的ＧａＡｓ激光器棒作為圍繞線光束的更大光束（３４...

一種半導體晶片處理系統（４０）包括工廠接口（２６），其在大氣壓力下工作，能夠安裝多個襯底盒子，其還包括安裝在框架（１６）上并通過相應縫隙閥連接到工廠接口的多個襯底處理室（４２、４４）。工廠接口中的機械手能夠在盒子和處理室之間傳送晶片（３...

一種閥系統，具有高的最大氣體導通性和對氣體導通性的精密控制，所述閥系統包括：閥殼體，用于阻擋經過氣體流路的氣流；穿過所述殼體的大面積開口，具有第一弓形側壁；穿過所述殼體的小面積開口，具有第二弓形側壁；以及大面積和小面積可旋轉閥翼片，分別...

本發明提供了一種用于在襯底上形成金屬互連的方法。一方面，本方法包括沉積含難熔金屬的阻擋層，所述阻擋層的厚度小于２ｎｍ使得其呈現類晶體結構，并足以抑制至少一部分金屬層上的原子遷移；通過交替地引入一次或多次含金屬化合物的脈沖和一次或多次含氮...

本發明提供一種利用分級抗反射涂層形成器件的方法。在基底上形成一層或多層無定形碳層。在一層或多層無定形碳層上形成抗反射涂層（ＡＲＣ），其中所述ＡＲＣ層的吸收系數隨著所述ＡＲＣ層的厚度而改變。在所述ＡＲＣ層上形成能量敏感抗蝕材料。通過將所述...

注入器提供對襯底的相對于注入射束的二維掃描，使得射束在襯底上畫出掃描線的柵格。在離開襯底的轉折點對射束電流進行測量，并且電流值被用來控制隨后的快速掃描速度，以補償射束電流的任何變化對慢速掃描方向上的劑量均勻性的影響。該掃描可以產生不相交...

本發明提供了用于從襯底選擇性地去除光刻膠、有機上覆層和／或聚合物／殘余物而不改變下方襯底層的表面化學和粘附性能的方法。通常，該方法包括在沉積光刻膠層之前用氫預處理襯底（例如，通過基于氫的等離子體），然后在刻蝕、刻蝕后處理、重新使用等過程...

本發明提供了系統、機器和方法，其中，從機器向加工設備發送第一信號，第一信號指示所有的待處理襯底都已從指定載具卸下，并指示可以從機器的裝載端口暫時卸載該指定載具。從機器向加工設備發送第二信號，第二信號指示可以使指定載具返回機器。在載具從機...

提供了一種在置于襯底處理室中的襯底上沉積膜的方法。所述襯底具有形成在相鄰的凸起表面之間的間隙。將第一前驅體沉積氣體流提供到所述襯底處理室。由所述第一前驅體沉積氣體流形成第一高密度等離子體，以利用同時具有沉積和濺射分量的第一沉積處理在所述...

本發明提供一種控制特征尺寸收縮的蝕刻工藝。多層掩模包括形成在待刻蝕的襯底層上平版印刷圖形化的光致抗蝕劑和未圖形化的有機抗反射涂層（ＢＡＲＣ）。使用有效的負性蝕刻偏置蝕刻該ＢＡＲＣ層以減小在該多層掩模中的開口的特征尺寸至在該光致抗蝕劑中的...

本發明提供一種襯底支架、襯底處理裝置和放置襯底的方法，所述襯底支架用于將待處理的襯底支撐在真空處理室中，包括：用于承載所述襯底的框架；固定安裝到所述框架的至少第一緊固裝置，用于通過將所述襯底安裝到所述第一緊固裝置來將所述襯底相對于所述框...

本發明提供一種氣體流動擴散器。在一個實施例中，提供一種真空處理室，其包括具有內部體積的室本體、設置在內部體積中的襯底支撐件和具有非對稱分布的氣體噴射端口的氣體分配組件。在另一實施例中，提供一種用于真空處理襯底的方法，其包括將襯底設置在處...

本發明提供一種清潔圖案化設備以及在襯底上沉積層系統的方法和系統。圖案化設備至少具有沉積于其上的有機涂敷材料，方法包括這樣的步驟：提供清潔等離子體，以通過等離子體刻蝕處理從圖案化設備除去涂敷材料。在從圖案化設備除去涂敷材料的步驟期間，圖案...

本發明利用具有插入區域的間隔物掩模的頻率三倍化。本發明描述了一種用于制造半導體掩模的方法。首先提供具有由一系列線構成的犧牲掩模的半導體疊層。然后形成間隔物掩模，其包括與所述一系列線的側壁鄰接的間隔物線。間隔物掩模還具有處于間隔物線之間的...

本發明涉及一種制備用于太陽能電池的抗反射和／或鈍化涂層的方法，包括步驟：在沉積室中提供硅晶片；將所述硅晶片預加熱至大于４００℃的溫度；通過濺射工藝沉積含氫抗反射或鈍化涂層。本發明還涉及一種制造太陽能電池、優選在Ｓｉ晶片上制備抗反射和／或...

本發明利用間隔物掩模的頻率加倍。本發明描述了一種用于制造半導體掩模的方法。首先提供具有犧牲掩模和間隔物掩模的半導體疊層。所述犧牲掩模由一系列線構成，并且所述間隔物掩模包括與所述一系列線的側壁鄰接的間隔物線。接著，修剪所述間隔物掩模。最后...

在第一方面中，提供了一種用于組裝洗滌器刷子組件的方法。所述方法包括以下步驟：（１）將一個或多個插件插入到洗滌器刷子的開口中，其中洗滌器刷子的開口由洗滌器刷子的內表面限定；（２）將心軸插入到洗滌器刷子的開口中，使得一個或多個插件位于心軸的...

本發明涉及具有緊鄰穿過離子注入器的離子束的路徑的表面的部件。上述表面易于發生沉積，并且本發明解決與沉積材料的剝離相關的問題。本發明提供一種離子注入器部件，其具有至少部分地限定穿過所述離子注入器的離子束路徑的表面，其中，所述表面的至少一部...