本公開案的實施方式涉及用于在等離子體處理系統(tǒng)中處理基板的系統(tǒng)及方法。在實施方式中，提供了一種等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理系統(tǒng)包括射頻(RF)產(chǎn)生器，所述射頻(RF)產(chǎn)生器耦合至安置在所述等離子體處理系統(tǒng)內(nèi)的基板支撐底座并經(jīng)配置以將...

一種方法包括獲得基底結(jié)構(gòu)，該基底結(jié)構(gòu)包括安置在基板上的介電層堆疊。該介電層堆疊包括：第一光敏性介電層，該第一光敏性介電層包括對第一輻射劑量敏感的第一光敏性介電材料；第二光敏性介電層，該第二光敏性介電層包括對不同于該第一輻射劑量的第二輻射...

公開了一種群集工具的交換器組件，該交換器組件包括外殼、至少兩個交換器和馬達(dá)組件。該至少兩個交換器至少部分地安置在該外殼內(nèi)并相對于該外殼可旋轉(zhuǎn)。每個交換器包括主體、第一臂和第二臂。該第一臂和該第二臂相對于該主體可旋轉(zhuǎn)。該馬達(dá)組件包括至少一...

實施例包括用于低粗糙度納米結(jié)晶金剛石膜的生長的模塊化高頻發(fā)射源。在一個實施例中，一種制造納米結(jié)晶金剛石(NCD)膜的方法包括將納米金剛石種晶硅晶片或已經(jīng)經(jīng)過表面處理和溫育的裸硅晶片裝載到微波等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(MWPECVD)腔室...

在一個實施例中，一種噴嘴組件包括主體，所述主體具有內(nèi)部表面，所述內(nèi)部表面形成所述主體內(nèi)的內(nèi)部空腔。所述組件還包括：氣體入口，所述氣體入口設(shè)置在所述主體內(nèi)；流體入口，所述流體入口設(shè)置在所述主體內(nèi)；以及混合腔室，所述混合腔室設(shè)置在所述主體的...

本文所描述的實施例涉及一種形成子像素的方法。所述方法包括在基板和陽極上方沉積第一結(jié)構(gòu)材料。所述陽極設(shè)置在所述基板上方。在所述第一結(jié)構(gòu)材料上方沉積層間介電（ILD）材料。將ILD材料圖案化。在所述ILD材料和所述第一結(jié)構(gòu)材料上方沉積中間結(jié)...

本公開內(nèi)容涉及用于半導(dǎo)體制造的分析基板處理的均勻性的方法及相關(guān)設(shè)備和系統(tǒng)。在一個或多個實施例中，指示不均勻性，并且該不均勻性是溫度不均勻性和/或物理不均勻性。在一個或多個實施例中，接受或拒絕信號輪廓。在一個或多個實施例中，一種適用于半導(dǎo)...

示例性半導(dǎo)體處理方法可包括對容納在第一半導(dǎo)體處理腔室的第一處理區(qū)域內(nèi)的基板執(zhí)行處置操作。該方法可包括向第一半導(dǎo)體處理腔室的第一處理區(qū)域提供含氮前驅(qū)物。該方法可包括形成含氮前驅(qū)物的等離子體流出物。該方法可包括使基板與含氮前驅(qū)物的等離子體流...

本文所述的實施例涉及加工金屬氧化物層界面以改善電子器件穩(wěn)定性。例如，晶體管器件可以包括基底結(jié)構(gòu)和設(shè)置在基底結(jié)構(gòu)上的金屬氧化物層。金屬氧化物層包括至少一個區(qū)域，該區(qū)域具有關(guān)于氧氣(O2)組成的梯度剖面。

公開了用于拋光液體傳輸臂的清潔系統(tǒng)。一種拋光組件包括：用以支撐拋光墊的能夠旋轉(zhuǎn)的工作臺；拋光液體傳輸臂，具有在底部處開啟的圍護(hù)件，和一個或更多個端口，以傳輸拋光液體和清潔流體向下通過圍護(hù)件的內(nèi)部空間至拋光墊上；以及傳輸臂清潔工具，可移除...

本公開內(nèi)容的實施例提供了一種用于化學(xué)機(jī)械拋光的具有多個圓盤的墊調(diào)節(jié)器。所述墊調(diào)節(jié)器包括：軸承環(huán)，所述軸承環(huán)連接到軸的下部分；外圓盤組件，所述外圓盤組件連接到所述軸的所述下部分，所述外圓盤組件、外圓盤撓性件、多個外圓盤設(shè)置在外圓盤的底表面...

本公開涉及用于制造半導(dǎo)體封裝的系統(tǒng)和方法，并且更具體地，用于通過激光燒蝕在半導(dǎo)體封裝中形成特征的系統(tǒng)和方法。在一個實施例中，本文描述的激光系統(tǒng)和方法可用于將用作半導(dǎo)體封裝的封裝框架的基板圖案化，所述半導(dǎo)體封裝具有穿過其形成的一個或多個互...

本公開內(nèi)容涉及用于半導(dǎo)體制造的調(diào)整基板處理均勻性的方法和相關(guān)設(shè)備和系統(tǒng)。在一個或多個實施例中，施加至一組一個或多個熱源的加熱功率通過調(diào)整因子來調(diào)整。在一個或多個實施例中，一種調(diào)整均勻性的方法。該方法包括跨一個或多個區(qū)段掃描傳感器以獲取多...

刷盒清潔模塊是作為集成混合結(jié)合平臺中的預(yù)處置工藝流程的一部分引入的。它解決了在晶粒前側(cè)和背側(cè)表面上實現(xiàn)高清潔度水平的技術(shù)問題，特別是通過去除由背磨膠帶和劃片膠帶引起的殘留物和顆粒。所述刷盒清潔模塊以化學(xué)方式和機(jī)械方式兩者高效地去除難除的...

本公開內(nèi)容涉及增強(qiáng)現(xiàn)實裝置和相關(guān)方法。在一個或多個實施例中，一種增強(qiáng)現(xiàn)實裝置包括投影系統(tǒng)和波導(dǎo)。投影系統(tǒng)包括投影儀和棱鏡。投影儀沿著投影儀主軸投射圖像。棱鏡折射出具有第一光譜、第二光譜和第三光譜的圖像。波導(dǎo)與由投影儀的主軸形成的平面成包...

本文公開了一種用于控制處理腔室中顆粒生長的方法。該方法包括在腔室中使用前驅(qū)物來執(zhí)行至少一個等離子體沉積工藝以在基板上形成層。該方法還包括在至少一個等離子體沉積工藝期間向腔室提供功率，以及監(jiān)測至少一個判據(jù)以確定何時將執(zhí)行至少一次等離子體凈...

示例性半導(dǎo)體處理腔室可包括腔室主體。腔室可包括腔室主體內(nèi)的基板支撐件。基板支撐件可限定基板支撐表面。腔室可包括被支撐在腔室主體頂上的面板。基板支撐件和面板的底表面可至少部分地限定處理區(qū)域。面板的底表面可限定位于基板支撐表面的徑向外部10...

示例性處理方法可包括向半導(dǎo)體處理腔室的處理區(qū)域提供含硅前驅(qū)物。基板可被容納在所述處理區(qū)域中。所述基板可限定特征。所述方法可包括形成所述含硅前驅(qū)物的等離子體流出物。所述方法可包括在所述基板上沉積含硅材料。所述方法可包括向所述處理區(qū)域提供含...

本文討論并且提供諸如柔性蓋板透鏡膜的柔性顯示設(shè)備。柔性蓋板透鏡膜具有良好的強(qiáng)度、彈性、光學(xué)透明度、耐磨性和熱穩(wěn)定性。蓋板透鏡膜包括：硬涂層，具有從約5μm至40μm的厚度；沖擊吸收層，具有從約20μm至110μm的厚度；和基板層，具有從...

一種基板支撐組件包括：加熱器板，所述加熱器板包括電介質(zhì)材料；加熱器電極，所述加熱器電極嵌入加熱器板內(nèi)；一組分布式凈化通道，所述組分布式凈化通道在加熱器板內(nèi)形成，其中所述組分布式凈化通道提供一組氣體流動路徑，以均衡來自加熱器板內(nèi)的氣流并在...