一種目檢機(jī)臺(tái)宏觀檢測(cè)光源裝置，包括：光源模組，具有微調(diào)旋鈕，用于對(duì)光源模組中的光源參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)；濾光組件，具有若干不同色彩的濾光片，用于對(duì)光源模組發(fā)出的光線進(jìn)行濾光；第一光傳導(dǎo)組件，第一光傳導(dǎo)組件用于將濾光后的光線傳輸至目檢機(jī)臺(tái)；多角度...

一種壓環(huán)組件的校準(zhǔn)工具。所述壓環(huán)組件包括：屏蔽件以及壓環(huán)；所述屏蔽件包括延同一方向延伸的內(nèi)壁及外壁，所述壓環(huán)套設(shè)在所述屏蔽件的內(nèi)壁外，且所述壓環(huán)的邊緣位于所述屏蔽件外壁及內(nèi)壁的空隙內(nèi)；所述校準(zhǔn)工具包括至少一個(gè)校準(zhǔn)單元，每個(gè)所述校準(zhǔn)單元包...

本公開實(shí)施例提供了一種液位監(jiān)測(cè)管道、液位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，其中，液位監(jiān)測(cè)系統(tǒng)包括：液體容器；液位監(jiān)測(cè)管道；一個(gè)或多個(gè)液位傳感器，位于所述液體容器外且朝向所述液位監(jiān)測(cè)管道。液位監(jiān)測(cè)管道，用于對(duì)液體容器中液體頂部表面位置進(jìn)行監(jiān)測(cè)，其特征在于，包括：...

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種SRAM計(jì)數(shù)標(biāo)記的版圖及其設(shè)計(jì)方法、SRAM器件，所述版圖，包括：多個(gè)位線庫圖案，所述位線庫圖案包括多個(gè)互相平行的子庫圖案，各個(gè)子庫圖案包括相同數(shù)量個(gè)互相平行的位線圖案，且相鄰所述位線庫圖案之間具有冗余區(qū)域；與每個(gè)...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種熔絲結(jié)構(gòu)及其制備方法、半導(dǎo)體器件和集成電路，該熔絲結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底上的熔絲體；其中，熔絲體的材質(zhì)為多晶硅材質(zhì)；刻蝕停止層；其中，刻蝕停止層覆蓋在熔絲體的正上方，且刻蝕停止層的厚度為35埃至65...

本技術(shù)提供一種冷量回收系統(tǒng)，包括：氣化裝置，用于將液態(tài)氮轉(zhuǎn)化為氣態(tài)氮?dú)猓焕淞看鎯?chǔ)裝置，與所述氣化裝置連接，用于回收所述氣態(tài)氮?dú)庵械睦淞浚隼淞看鎯?chǔ)裝置上具有供水管和回水管；與所述冷量存儲(chǔ)裝置連通的至少一個(gè)終端裝置，所述供水管為所述終端...

一種鎖緊狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置及晶圓裝載設(shè)備，鎖緊狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置用于在晶圓裝載設(shè)備和晶圓傳送盒對(duì)接前監(jiān)測(cè)晶圓傳送盒的鎖孔狀態(tài)，所述鎖緊狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置包括測(cè)距單元和處理單元，所述測(cè)距單元用于測(cè)量晶圓裝載設(shè)備至晶圓傳送盒的鎖孔處的距離，所述處理單元用于接...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)的制造方法及半導(dǎo)體器件，其中方法包括：沉積介電保護(hù)層；在介電保護(hù)層上形成光刻膠層，保留多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)熔絲區(qū)的光刻膠層，以暴露其他非多晶硅熔絲結(jié)構(gòu)熔絲區(qū)的介電保護(hù)層；刻蝕去除其他非多晶硅熔...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體工藝腔室及半導(dǎo)體設(shè)備，其中，所述半導(dǎo)體工藝腔室，包括：旋涂腔體，用于在晶圓上旋涂光刻膠；設(shè)置于所述旋涂腔體側(cè)壁的腔體門，用于使傳送臂通過所述腔體門取送晶圓；設(shè)置于所述腔體門遠(yuǎn)離所述旋涂腔體的方向的氣體對(duì)流裝置...

本申請(qǐng)涉及深度學(xué)習(xí)技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種半導(dǎo)體工藝參數(shù)優(yōu)化模型訓(xùn)練方法、裝置和計(jì)算機(jī)設(shè)備，其中，采集結(jié)構(gòu)化樣本數(shù)據(jù)，每一結(jié)構(gòu)化樣本數(shù)據(jù)中包含生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時(shí)記錄的工藝參數(shù)，以及對(duì)基于工藝參數(shù)生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件測(cè)量得到的真實(shí)性能指標(biāo)；利用結(jié)構(gòu)...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件，所述形成方法，包括：提供基底；在基底上形成漂移區(qū)；在漂移區(qū)內(nèi)形成隔離的第一摻雜層和第二摻雜層；形成位于漂移區(qū)內(nèi)第一體區(qū)和第二體區(qū)；在第一體區(qū)內(nèi)形成相互隔離的第三摻雜層、第四摻雜...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N邊緣環(huán)平整度檢測(cè)裝置，應(yīng)用于氣相沉積腔室，所述氣相沉積腔室包括基座和位于所述基座邊緣的邊緣環(huán)，所述基座內(nèi)設(shè)置有加熱器，用于對(duì)所述基座進(jìn)行加熱，所述邊緣環(huán)平整度檢測(cè)裝置包括：檢測(cè)主體，和環(huán)繞所述檢測(cè)主體邊緣的接觸指示結(jié)構(gòu)；...

本發(fā)明提供一種電熔絲燒調(diào)良率測(cè)試結(jié)構(gòu)及方法，通過采用多個(gè)電熔絲結(jié)構(gòu)單元相互并聯(lián)的設(shè)計(jì)，并將所有電熔絲結(jié)構(gòu)單元電連接于第一測(cè)試鍵與第二測(cè)試鍵之間，同時(shí)在檢測(cè)過程中采用統(tǒng)一的燒調(diào)條件對(duì)所有電熔絲結(jié)構(gòu)單元進(jìn)行燒調(diào)，并在第一測(cè)試鍵上施加電壓以量...

本發(fā)明提供一種測(cè)試連接路徑選取方法、裝置及終端，選取方法包括：獲取連接路徑數(shù)據(jù)，并將所述連接路徑數(shù)據(jù)構(gòu)建成圖模型；其中，所述圖模型中的節(jié)點(diǎn)表示測(cè)試器件的引腳和測(cè)試端口；所述圖模型中的邊表示所述引腳與所述測(cè)試端口之間的潛在連接路徑；所述邊...

本公開提供一種用于廢水處理系統(tǒng)的控制裝置及廢水處理系統(tǒng)，廢水處理系統(tǒng)包括液體傳輸裝置和氣體傳輸裝置，液體傳輸裝置包括液體傳輸管路，氣體傳輸裝置與液體傳輸裝置連接；控制裝置包括：第一檢測(cè)電路，與液體傳輸管路耦接，配置為向液體傳輸管路內(nèi)部發(fā)...

本技術(shù)提供一種噴膠設(shè)備及噴膠系統(tǒng)，其中，噴膠設(shè)備包括：第一供應(yīng)裝置，所述第一供應(yīng)裝置用于提供第一光刻膠；第二供應(yīng)裝置，所述第二供應(yīng)裝置用于提供第二光刻膠，所述第一供應(yīng)裝置和所述第二供應(yīng)裝置相互獨(dú)立供膠，且所述第二光刻膠的供應(yīng)量，小于所述...

本發(fā)明提供一種電容結(jié)構(gòu)及其形成方法，所述方法包括：形成第一金屬極板；在所述第一金屬極板上形成第一氮化鈦層，所述第一氮化鈦層的熱膨脹系數(shù)小于所述第一金屬極板的熱膨脹系數(shù)；在所述第一氮化鈦層上形成介質(zhì)疊層，所述介質(zhì)疊層中所有層均為含氮材料層...

一種CMP機(jī)臺(tái)，包括：臺(tái)面；置于所述臺(tái)面上的機(jī)臺(tái)主體和機(jī)臺(tái)罩、以及置于所述機(jī)臺(tái)罩內(nèi)側(cè)的若干噴頭，所述機(jī)臺(tái)罩圍設(shè)在所述機(jī)臺(tái)主體周圍，所述機(jī)臺(tái)罩具有機(jī)臺(tái)門，所述機(jī)臺(tái)門可繞其門軸向外打開，若干所述噴頭用于向所述機(jī)臺(tái)門噴水形成水簾；置于所述機(jī)臺(tái)...

一種晶圓傳送裝置，包括：傳送部件，用于傳送晶圓；光學(xué)發(fā)射器，用于發(fā)射檢測(cè)光線，檢測(cè)光線照射至晶圓的表面并反射；光學(xué)接收器，光學(xué)發(fā)射器和光學(xué)接收器設(shè)置固定在相同高度，用于接收檢測(cè)光線；控制器，用于在光學(xué)接收器接收到檢測(cè)光線后，控制傳送部件...

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N能量回收系統(tǒng)，包括：冷卻塔；熱回收冷機(jī)，包括第一熱媒管和第二熱媒管；冷卻空調(diào)，所述冷卻空調(diào)包括加熱單元；第一連接管路組，包括第一管路和第二管路，所述第一管路連接所述第一熱媒管的一端和所述冷卻塔的入口，所述第二管路連接所述第...