本發(fā)明公開了一種用于量化Sigma?Delta調制器的低失調量化器，包括前饋電路、預放大器U1和Latch比較器U2，所述前饋電路包括至少一個前饋支路，前饋支路分別包括前饋正向支路和前饋負向支路；前饋正向支路和前饋負向支路分別通過前饋電...

本發(fā)明提供一種電流自適應控制的快速響應低壓差線性穩(wěn)壓器，包括：依次連接的第一級電路、第二級電路和輸出級電路；所述第一級電路用于將基準電壓VREF1與反饋電壓進行比較，并對產生的誤差信號進行放大，為后續(xù)的第二級和輸出級電路提供控制信號；所...

本發(fā)明公開了一種帶TL?C并聯(lián)型嵌入式網絡的放大器結構，包括放大器嵌入式核心；輸入匹配網絡和輸出匹配網絡；輸入串聯(lián)型嵌入式網絡，其輸入端與所述輸入匹配網絡的輸出端電氣連接；輸出串聯(lián)型嵌入式網絡，其輸出端與所述輸出匹配網絡的輸入端電氣連接...

本發(fā)明涉及半導體集成電路設計領域，具體涉及一種基于CMOS工藝的低噪聲低功耗有源矢量合成移相器，包括單端轉差分電路、第一正交網絡、第二正交網絡和矢量調制電路；單端轉差分電路的1端作為輸入端，單端轉差分電路的2端、3端分別連接第一正交網絡...

本發(fā)明公開了一種多工位PCB電路板測試裝置及其使用方法，該裝置包括：底座和若干個設置在所述底座上的測試組件，所述測試組件包括測試臺、測試板、支撐架、檢測驅動器和滑動承載臺；所述檢測驅動器的固定端固設于所述支撐架上，驅動端與所述測試板的背...

本發(fā)明公開了通信移相一體化的多功能混頻器結構，包括混頻器核心，用于調節(jié)相位或混頻調制，還包括：正交信號發(fā)生器，其輸出端與所述混頻器核心的第一輸入端電氣連接，用于產生差分正交信號；可重構匹配網絡，其輸入端連接所述混頻器核心的混頻輸出端，其...

本發(fā)明公開了一種帶嵌入式網絡及增益提升電感的放大器結構，包括放大器，輸入匹配網絡和輸出匹配網絡，用于所述放大器的輸入及輸出阻抗共軛匹配；輸入串聯(lián)型嵌入式網絡，其輸入端與所述輸入匹配網絡的輸出端電氣連接；輸出串聯(lián)型嵌入式網絡，其輸出端與所...

本發(fā)明公開了一種與集成電路微組裝工藝兼容的點火橋及其制作方法，制作方法包括：在基板正面依次沉積薄膜電阻層、阻擋層和薄金籽晶層；在薄金籽晶層上通過光刻形成挖空區(qū)域的圖形，并露出兩個電極圖形；在兩個電極圖形所在區(qū)域電鍍金層；去除挖空區(qū)域的薄...

本發(fā)明涉及一種基于柵電容抵消的高電源抑制比低壓差線性穩(wěn)壓器，包括：誤差放大器、功率管M<subgt;P</subgt;、反饋網絡R1和R2、負載電容C<subgt;L</subgt;、頻率補償電容C<sub...

本發(fā)明公開了一種功率VDMOS器件及其制作方法，功率VDMOS器件包括VDMOS芯片和金屬互聯(lián)橋，所述金屬互聯(lián)橋包括水平段和引出段，所述引出段固定設置于水平段的一端，并從水平段的正面向外凸出；所述VDMOS芯片的背面電極金屬與水平段的正...

本發(fā)明公開了一種低基區(qū)連接電阻的自對準硅鍺HBT結構及其制作方法，制作方法包括以下步驟：完成制作基區(qū)前的工藝步驟，打開基區(qū)窗口；在基區(qū)窗口處刻蝕形成非平面型凹槽；采用非選擇性方式外延形成Si?Ge層，所述Si?Ge層在非平面型凹槽中部的...

本發(fā)明公開了一種逐次逼近型模數(shù)轉換器的數(shù)據(jù)校準方法及裝置，所述方法包括以下步驟：獲取理想數(shù)據(jù)集以及訓練數(shù)據(jù)集；構建神經網絡校準模型并基于理想數(shù)據(jù)集和訓練數(shù)據(jù)集對神經網絡校準模型進行訓練；利用訓練后的神經網絡校準模型對逐次逼近型模數(shù)轉換器...

本發(fā)明公開了一種數(shù)模轉換器的開關驅動裝置，設置于數(shù)據(jù)同步模塊與DAC?core模塊之間，包括：增強單元，用于接入數(shù)據(jù)同步模塊輸出的差分信號，并提升所述差分信號的驅動能力后作為驅動信號輸出到調整單元；以及調整單元，用于接收所述驅動信號并控...

本發(fā)明屬于集成電路技術領域，涉及一種應用于線性穩(wěn)壓器的自適應零點追蹤補償電路，包括：基準模塊BG、主運放EA、壓控電流源VCCS、驅動管MN1、線性區(qū)管MN2、功率管MP1、五個電阻以及三個電容；各個器件依次連接；本發(fā)明采用的自適應零點...

本發(fā)明涉及集成電路混合集成電路封裝技術領域，尤其涉及一種高可靠高密度混合集成封裝結構，所述封裝結構由陶瓷基體、芯片、無源器件、金屬環(huán)框和蓋板，陶瓷基體、金屬環(huán)框和蓋板組成氣密性腔體；所述陶瓷基體為立方體結構，除底部外的正面或側面用于安裝...

本發(fā)明公開了一種多電壓軌工作時序控制裝置及方法，所述裝置包括:第一正電壓單元，用于將接入的輸入電壓轉換成第一正電壓；負電壓單元，用于將第一正電壓轉換成第三供電電壓和第四供電電壓，第三供電電壓和第四供電電壓均為負電壓；邏輯控制單元，用于檢...

本發(fā)明公開了一種大升壓比高功率密度升壓電路，包括m級功率模塊，所述功率模塊包括融合的Boost拓撲電路和全橋整流變壓器電路，每一所述功率模塊通過驅動信號控制工作在Boost電路模式或全橋整流變壓器電路模式；m級所述功率模塊的輸入端并聯(lián)連...

本發(fā)明涉及半導體集成電路設計技術領域，特別涉及一種低功耗壓擺率提升電路，該電路由兩個場效應管J1、J2，六個晶體管Q1～Q6，兩個電流源I1、I2，兩個電阻R1、R2組成，各個器件對應連接，形成壓擺率提升電路；所述壓擺率提升電路應用于運...

本發(fā)明涉及集成電路領域，特別涉及一種兼具死區(qū)時間控制與抗電壓變化率干擾的驅動控制電路，包括邏輯電路、高側驅動電路和低側驅動電路，其中，邏輯電路用于對輸入的高低側PWM控制信號及電路內反饋的高低側邏輯信號進行處理，實現(xiàn)高低側信號之間的互鎖...

本技術公開了一種電路切邊透錫結構及電路模塊，包括底座、設置有支撐孔組的電路單元以及設置在所述底座上并支撐電路單元懸于所述底座上方的電路支撐結構，所述電路支撐結構包括與所述支撐孔組配合支撐電路單元的支撐單元，所述支撐單元的第一端與所述底座...