本發明公開了一種提升DC?DC變換器穩定性的裝置及方法，所述裝置包括控制單元、分壓單元及反饋單元；分壓單元的基準信號輸入端與控制單元的基準信號輸出端電連接以對控制單元輸出的基準信號進行分壓，得到分壓信號；分壓單元的分壓信號輸出端與反饋單...

本發明公開了一種啟動供電電路，包括線性穩壓單元、輔助供電單元、啟動控制單元、PWM控制器及開關穩壓單元；所述線性穩壓單元通過對輸入電壓進行監測和線性穩壓運算，以為后端提供供電電壓，并與啟動控制單元共同作用得到輸出控制信號至PWM控制器，...

本發明屬于集成電路領域，特別涉及一種用于線性穩壓器的降噪濾波電路及其降噪濾波方法；所述降噪濾波電路包括：第一開關管，第一MOS管、第一電容管、運放器、比較器、第二電容管、電容充電電路以及數字電路；主要通過調整MOS管偏置電壓及寬長比，將...

本發明公開了一種提高采樣保持電路開關線性度和帶寬的裝置，包括采樣保持電路和輸出緩沖器，輸出緩沖器包括第一電壓信號輸出結構和第二電壓信號輸出結構，第一電壓信號輸出結構包括：第一開關控制單元，用于在采樣保持電路的工作模式為跟蹤模式時斷開第一...

本發明公開了一種針對未封裝芯片輻照實驗的測試夾具。一種針對未封裝芯片輻照實驗的測試夾具包括用于放置芯片的承載板、用于限制芯片位置的限位件、用于復位承載板的第一復位件、用于與芯片電連接的探針、用于將芯片壓緊在承載板上的壓緊機構以及用于安裝...

本發明公開了一種未封裝芯片便攜式快速電學測試夾具。未封裝芯片便攜式快速電學測試夾具包括用于放置芯片的承載板、用于限制芯片位置的限位件、用于復位承載板的第一復位件、用于與芯片電連接的探針、用于將芯片壓緊在承載板上的壓緊機構以及用于安裝承載...

本技術公開了一種金屬六面體電路互連焊接結構及電路模塊，包括底座、設置有第一互連孔組和/或第二互連孔組的電路單元以及連接所述電路單元與底座的電氣互連結構，所述電氣互連結構包括與所述第一互連孔組電氣接觸的第一互連單元和/或與所述第二互連孔組...

本發明公開了一種驅動增強型LDO瞬態響應增強裝置及方法，所述裝置包括：取樣反饋模塊，用于實時監測調整模塊的輸出電壓并對其進行分壓采樣，獲取反饋電壓，輸出反饋信號；誤差放大模塊，用于接收所述反饋信號并對所述反饋信號和基準信號進行差分放大，...

本發明屬于模擬集成電路領域，涉及一種高精度和寬輸出電壓范圍的電流基準電路，包括：箝位電路、非對稱運放A、隔離管MP1以及取樣電阻R；箝位電路的一端與電源連接、另一端與非對稱運放A的同相端連接，非對稱運放A的輸出端與隔離管MP1的柵極連接...

本申請提供一種隔離型直流恒流源電路，包括：隔離模塊，其將外部輸入與內部電路隔離，并基于脈沖控制信號將外部輸入的第一電源電壓轉換為第二電源電壓；整流模塊，其將所述第二電源電壓轉換為第三電源電壓；濾波模塊，其對所述第三電源電壓進行濾波，得到...

本發明屬于電源技術領域，特別涉及一種基于二極管陣列的太陽能電池模擬器電路，包括電源、太陽能電池負載、第一比例電路、第一參考電壓、二極管陣列、第二比例電路、第二參考電壓以及采樣電阻，其中：電源的輸出與太陽能電池負載連接，第一比例電路采集電...

本申請提供一種直流EMI濾波器能量循環電老煉電路及方法，所述電路包括：直流電源，其用于提供直流電；負載，其用于提供可調節的負載電阻；多個EMI濾波器，各所述EMI濾波器依次級聯在所述直流電源和所述負載之間，形成待老煉結構；恒流源，其輸入...

本發明涉及一種用于線性穩壓器的零點補償電路及其線性穩壓器，包括電阻R、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電容C1、電容C2、運算放大器A0、NMOS管MN1和MN2；運算放大器A0的反相輸入端并接在線性穩壓器的輸出端；運算放大器A0的同相輸...

本發明涉及半導體集成電路設計，特別涉及一種基于GaAs開關晶體管的正壓低相移數控衰減器；本發明通過引入自鉗位結構，可以將電路中GaAs?pHEMT開關晶體管的源極、漏極上拉至高電平，相較于傳統的數控衰減器結構更簡單，且減少了信號泄露通道...

本申請提供一種準確測量電源負載動態響應的方法及系統，該方法包括：獲取電源負載動態響應測量的波形原始數據；對所述波形原始數據進行濾波，得到第一波形數據；計算所述第一波形數據的高值和低值，其中，所述高值和低值是基于所述第一波形數據中落入等間...

本發明屬于集成電路技術領域，具體涉及一種低靜態電流環路自適應調節線性穩壓器，該器件包括功率檢測比較器、自適應電流源、環路調節模塊、PMOS管Mp、NMOS管Mc、柵極泄放模塊、電容Cm、誤差運放、帶隙基準以及3個電阻R1、R2、Rm，各...

本發明涉及半導體集成電路設計領域，特別涉及一種高1dB壓縮點的寬帶射頻放大器，包括輸入匹配級電路、負反饋電路、有源偏置電路、放大電路、輸出匹配級電路。本發明通過引入經電容接地的共基極晶體管，實現對放大器線性度的提升；通過構建有源偏置結構...

本發明涉及信號處理與圖像處理領域，特別涉及一種應用于圖像傳輸的高可靠Cameralink接口，包括總線接口模塊，寄存器接口模塊，握手控制模塊，圖像數據控制模塊，Cameralink接口模塊；其中，總線接口模塊與寄存器接口模塊相連，寄存器...

本發明公開了一種屏蔽柵溝槽MOSFET的元胞結構及其制作方法，屏蔽柵溝槽MOSFET的元胞結構包括襯底、漂移區和層間介質層，所述漂移區上設置有深溝槽，所述深溝槽中設置有屏蔽柵、中間氧化物層和控制柵；所述漂移區的上部通過注入形成有體區和源...

本發明屬于BCD工藝、分立器件領域，涉及一種BCD工藝器件及制備方法，包括：N+襯底、外延層N<subgt;EPI?1</subgt;以及外延層N<subgt;EPI?2</subgt;；N<subgt;E...